G3R450MT17D GeneSiC SEMICONDUCTOR
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 6A; Idm: 16A; 88W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: G3R™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 88W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...15V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 488.85 грн |
| 3+ | 369 грн |
| 7+ | 349.23 грн |
| 120+ | 342.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис G3R450MT17D GeneSiC SEMICONDUCTOR
Description: SIC MOSFET N-CH 9A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 4A, 15V, Power Dissipation (Max): 88W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 2mA, Supplier Device Package: TO-247-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): ±15V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 454 pF @ 1000 V.
Інші пропозиції G3R450MT17D за ціною від 330.23 грн до 586.62 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
G3R450MT17D | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Description: SIC MOSFET N-CH 9A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 4A, 15V Power Dissipation (Max): 88W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 2mA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 454 pF @ 1000 V |
на замовлення 2687 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
G3R450MT17D | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
на замовлення 307 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
G3R450MT17D | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
MOSFET 1700V 450mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET |
на замовлення 3133 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
G3R450MT17D | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
на замовлення 307 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
G3R450MT17D | Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 6A; Idm: 16A; 88W Type of transistor: N-MOSFET Technology: G3R™; SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.7kV Drain current: 6A Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 88W Case: TO247-3 Gate-source voltage: -5...15V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: THT Gate charge: 18nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 550 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
G3R450MT17D | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| G3R450MT17D | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
|
G3R450MT17D | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
товар відсутній |