![G3R75MT12J G3R75MT12J](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/6ac96b37c9fcf52cbe89aedc9a9363beaca7deb2/g3r75mt12j_image.jpg)
G3R75MT12J GeneSiC Semiconductor
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
800+ | 617.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис G3R75MT12J GeneSiC Semiconductor
Description: SIC MOSFET N-CH 42A TO263-7, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V, Power Dissipation (Max): 224W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.69V @ 7.5mA, Supplier Device Package: TO-263-7, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): ±15V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 800 V.
Інші пропозиції G3R75MT12J за ціною від 620.32 грн до 1371.24 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
G3R75MT12J | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
![]() |
G3R75MT12J | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V Power Dissipation (Max): 224W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.69V @ 7.5mA Supplier Device Package: TO-263-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 800 V |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
![]() |
G3R75MT12J | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
![]() |
G3R75MT12J | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||
G3R75MT12J | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||
G3R75MT12J | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
||||||
![]() |
G3R75MT12J | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||
![]() |
G3R75MT12J | Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 30A; Idm: 80A; 224W Type of transistor: N-MOSFET Technology: G3R™; SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 30A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 224W Case: TO263-7 Gate-source voltage: -5...15V On-state resistance: 75mΩ Mounting: SMD Gate charge: 54nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: Kelvin terminal кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||
![]() |
G3R75MT12J | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||
![]() |
G3R75MT12J | Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 30A; Idm: 80A; 224W Type of transistor: N-MOSFET Technology: G3R™; SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 30A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 224W Case: TO263-7 Gate-source voltage: -5...15V On-state resistance: 75mΩ Mounting: SMD Gate charge: 54nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: Kelvin terminal |
товар відсутній |