G2R1000MT33J GENESIC SEMICONDUCTOR
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTORDescription: GENESIC SEMICONDUCTOR - G2R1000MT33J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4 A, 3.3 kV, 1 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 3.3kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: G2R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1370.35 грн |
| 5+ | 1340.38 грн |
| 10+ | 1311.21 грн |
| 50+ | 1189.73 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис G2R1000MT33J GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: SIC MOSFET N-CH 4A TO263-7, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 20V, Power Dissipation (Max): 74W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 2mA, Supplier Device Package: TO-263-7, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): +20V, -5V, Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 238 pF @ 1000 V.
Інші пропозиції G2R1000MT33J за ціною від 862.82 грн до 1492.29 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
G2R1000MT33J | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263 |
на замовлення 553 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
G2R1000MT33J | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Description: SIC MOSFET N-CH 4A TO263-7 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 20V Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 2mA Supplier Device Package: TO-263-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +20V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 238 pF @ 1000 V |
на замовлення 1441 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
G2R1000MT33J | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
MOSFET 3300V 1000mohm TO-263-7 G2R SiC MOSFET |
на замовлення 2581 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
G2R1000MT33J | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263 |
на замовлення 1020 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
G2R1000MT33J | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263 |
на замовлення 553 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| G2R1000MT33J | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A |
товар відсутній |
||||||||||||||||
| G2R1000MT33J | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A |
товар відсутній |
||||||||||||||||
|
|
G2R1000MT33J | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263 |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
G2R1000MT33J | Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 3.3kV; 4A; Idm: 8A; 74W; TO263-7 Mounting: SMD Case: TO263-7 Power dissipation: 74W Kind of package: tube Drain-source voltage: 3.3kV Drain current: 4A On-state resistance: 1Ω Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Gate charge: 21nC Technology: G2R™; SiC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -5...20V Pulsed drain current: 8A кількість в упаковці: 1000 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
G2R1000MT33J | Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 3.3kV; 4A; Idm: 8A; 74W; TO263-7 Mounting: SMD Case: TO263-7 Power dissipation: 74W Kind of package: tube Drain-source voltage: 3.3kV Drain current: 4A On-state resistance: 1Ω Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Gate charge: 21nC Technology: G2R™; SiC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -5...20V Pulsed drain current: 8A |
товар відсутній |