![SI4434ADY-T1-GE3 SI4434ADY-T1-GE3](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/389/8-SOIC.jpg)
SI4434ADY-T1-GE3 Vishay Siliconix
![si4434ady.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 250V 2.8A/4.1A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 125 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 62.15 грн |
5000+ | 57.6 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4434ADY-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 2.8A/4.1A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), 4.1A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 6W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 125 V.
Інші пропозиції SI4434ADY-T1-GE3 за ціною від 50.69 грн до 150.06 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SI4434ADY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SI4434ADY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250 Dauer-Drainstrom Id: 4.1 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 6 Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: ThunderFET Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.125 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 4 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
на замовлення 4110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SI4434ADY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250 Dauer-Drainstrom Id: 4.1 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 6 Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: ThunderFET Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.125 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 4 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
на замовлення 4110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SI4434ADY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), 4.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.8A, 10V Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 125 V |
на замовлення 9338 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SI4434ADY-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
![]() |
на замовлення 4121 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SI4434ADY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
SI4434ADY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
SI4434ADY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 250V; 4.1A; Idm: 25A; 6W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 4.1A Pulsed drain current: 25A Power dissipation: 6W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.17Ω Mounting: SMD Gate charge: 16.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 2500 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
SI4434ADY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 250V; 4.1A; Idm: 25A; 6W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 4.1A Pulsed drain current: 25A Power dissipation: 6W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.17Ω Mounting: SMD Gate charge: 16.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |