Продукція > VISHAY > SI4442DY-T1-E3
SI4442DY-T1-E3

SI4442DY-T1-E3 Vishay

si4442dy.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+93.6 грн
10+ 87.87 грн
25+ 87 грн
100+ 77.37 грн
250+ 71.63 грн
500+ 63.45 грн
Мінімальне замовлення: 7
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4442DY-T1-E3 Vishay

Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 22A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V.

Інші пропозиції SI4442DY-T1-E3 за ціною від 68.61 грн до 250.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI4442DY-T1-E3 SI4442DY-T1-E3 Виробник : Vishay si4442dy.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
121+100.81 грн
129+ 94.66 грн
130+ 93.71 грн
141+ 83.33 грн
250+ 76.38 грн
500+ 68.61 грн
Мінімальне замовлення: 121
Si4442DY-T1-E3 Si4442DY-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si4442dy.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+104.37 грн
5000+ 96.43 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Si4442DY-T1-E3 Si4442DY-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si4442dy.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
на замовлення 6379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+214.19 грн
10+ 173.36 грн
100+ 140.24 грн
500+ 116.99 грн
1000+ 100.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
Si4442DY-T1-E3 Si4442DY-T1-E3 Виробник : Vishay Semiconductors si4442dy-1765403.pdf MOSFET 30V 22A 3.5W
на замовлення 2206 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+250.06 грн
10+ 222 грн
100+ 157.56 грн
500+ 138.39 грн
1000+ 122.78 грн
2500+ 105.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
SI4442DYT1E3 Виробник : VISHAY
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SI4442DY-T1-E3 SI4442DY-T1-E3 Виробник : Vishay si4442dy.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
Si4442DY-T1-E3 Виробник : VISHAY si4442dy.pdf SI4442DY-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності