SI4491EDY-T1-GE3

SI4491EDY-T1-GE3 Vishay Siliconix


si4491edy.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 17.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 6.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4620 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+25.31 грн
5000+ 23.07 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4491EDY-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 30V 17.3A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 13A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 6.9W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4620 pF @ 15 V.

Інші пропозиції SI4491EDY-T1-GE3 за ціною від 25.28 грн до 80.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI4491EDY-T1-GE3 SI4491EDY-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0002473643-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4491EDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 25.8 A, 0.0054 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.9W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+44.11 грн
500+ 34.75 грн
1000+ 31.46 грн
Мінімальне замовлення: 100
SI4491EDY-T1-GE3 SI4491EDY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4491edy.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 17.3A 8-Pin SO T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
249+49.03 грн
259+ 47.06 грн
500+ 45.36 грн
1000+ 42.32 грн
Мінімальне замовлення: 249
SI4491EDY-T1-GE3 SI4491EDY-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si4491edy.pdf MOSFETs -30V Vds 25V Vgs SO-8
на замовлення 10566 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+70.88 грн
10+ 57.87 грн
100+ 39.11 грн
500+ 32.36 грн
1000+ 28.89 грн
5000+ 28.6 грн
Мінімальне замовлення: 5
SI4491EDY-T1-GE3 SI4491EDY-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0002473643-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4491EDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 25.8 A, 0.0054 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.9W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+78.1 грн
13+ 61.62 грн
100+ 44.11 грн
500+ 34.75 грн
1000+ 31.46 грн
Мінімальне замовлення: 11
SI4491EDY-T1-GE3 SI4491EDY-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si4491edy.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 17.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 6.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4620 pF @ 15 V
на замовлення 6569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+80.61 грн
10+ 52.42 грн
100+ 36.45 грн
500+ 27.49 грн
1000+ 25.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
SI4491EDY-T1-GE3 SI4491EDY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4491edy.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 17.3A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
SI4491EDY-T1-GE3 SI4491EDY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4491edy.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 17.3A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
SI4491EDY-T1-GE3 Виробник : VISHAY si4491edy.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -25.8A; Idm: -60A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -25.8A
Pulsed drain current: -60A
Power dissipation: 6.9W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 11.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 153nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
SI4491EDY-T1-GE3 SI4491EDY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4491edy.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 17.3A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
SI4491EDY-T1-GE3 Виробник : VISHAY si4491edy.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -25.8A; Idm: -60A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -25.8A
Pulsed drain current: -60A
Power dissipation: 6.9W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 11.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 153nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товару немає в наявності