Продукція > VISHAY > SI4435FDY-T1-GE3
SI4435FDY-T1-GE3

SI4435FDY-T1-GE3 Vishay

doc75339.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 12.6A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+7.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4435FDY-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI4435FDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12.6 A, 0.015 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 4.8W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET III, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції SI4435FDY-T1-GE3 за ціною від 6.34 грн до 37.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI4435FDY-T1-GE3 SI4435FDY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4435fdy.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 8.6A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+8.28 грн
Мінімальне замовлення: 5000
SI4435FDY-T1-GE3 SI4435FDY-T1-GE3 Виробник : Vishay doc75339.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 12.6A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+8.32 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SI4435FDY-T1-GE3 SI4435FDY-T1-GE3 Виробник : Vishay doc75339.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 12.6A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+8.93 грн
10000+ 8.75 грн
Мінімальне замовлення: 5000
SI4435FDY-T1-GE3 SI4435FDY-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si4435fdy.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 12.6A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+8.99 грн
5000+ 7.96 грн
7500+ 7.6 грн
12500+ 6.75 грн
17500+ 6.52 грн
25000+ 6.34 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SI4435FDY-T1-GE3 SI4435FDY-T1-GE3 Виробник : Vishay doc75339.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 12.6A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+9.13 грн
10000+ 8.6 грн
Мінімальне замовлення: 5000
SI4435FDY-T1-GE3 SI4435FDY-T1-GE3 Виробник : VISHAY 3006534.pdf Description: VISHAY - SI4435FDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12.6 A, 0.015 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.8W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 28425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+15.92 грн
500+ 12.49 грн
1000+ 9.35 грн
Мінімальне замовлення: 100
SI4435FDY-T1-GE3 SI4435FDY-T1-GE3 Виробник : VISHAY si4435fdy.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -12.6A; Idm: -32A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -12.6A
Pulsed drain current: -32A
Power dissipation: 4.8W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 902 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+31.05 грн
17+ 23.07 грн
50+ 16.41 грн
70+ 12.35 грн
191+ 11.68 грн
Мінімальне замовлення: 13
SI4435FDY-T1-GE3 SI4435FDY-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si4435fdy.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 12.6A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
на замовлення 29570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+31.48 грн
15+ 20.48 грн
100+ 13.85 грн
500+ 10.13 грн
1000+ 9.18 грн
Мінімальне замовлення: 10
SI4435FDY-T1-GE3 SI4435FDY-T1-GE3 Виробник : VISHAY 3006534.pdf Description: VISHAY - SI4435FDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12.6 A, 0.015 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.8W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 28425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+32.16 грн
50+ 24.04 грн
100+ 15.92 грн
500+ 12.49 грн
1000+ 9.35 грн
Мінімальне замовлення: 25
SI4435FDY-T1-GE3 SI4435FDY-T1-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix si4435fdy.pdf MOSFETs -30V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 182074 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+36.18 грн
12+ 27.67 грн
100+ 11.92 грн
1000+ 9.08 грн
2500+ 7.66 грн
10000+ 7.38 грн
Мінімальне замовлення: 10
SI4435FDY-T1-GE3 SI4435FDY-T1-GE3 Виробник : VISHAY si4435fdy.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -12.6A; Idm: -32A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -12.6A
Pulsed drain current: -32A
Power dissipation: 4.8W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 902 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+37.26 грн
10+ 28.74 грн
50+ 19.69 грн
70+ 14.82 грн
191+ 14.02 грн
Мінімальне замовлення: 8
SI4435FDY-T1-GE3 SI4435FDY-T1-GE3 Виробник : Vishay doc75339.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 12.6A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
SI4435FDY-T1-GE3 SI4435FDY-T1-GE3 Виробник : Vishay doc75339.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 12.6A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності