![SI4634DY-T1-GE3 SI4634DY-T1-GE3](https://www.mouser.com/images/mouserelectronics/lrg/SO_8_t.jpg)
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 153.67 грн |
10+ | 136.25 грн |
100+ | 95.48 грн |
250+ | 93.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4634DY-T1-GE3 Vishay Semiconductors
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 24.5A; Idm: 70A, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: TrenchFET®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 24.5A, Pulsed drain current: 70A, Power dissipation: 5.7W, Case: SO8, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 6.7mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 68nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 2500 шт.
Інші пропозиції SI4634DY-T1-GE3
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
SI4634DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() |
на замовлення 2498 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
SI4634DY-T1-GE3 |
![]() |
на замовлення 2480 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
SI4634DY-T1-GE3 |
![]() |
на замовлення 220 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
![]() |
SI4634DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|
SI4634DY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 24.5A; Idm: 70A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 24.5A Pulsed drain current: 70A Power dissipation: 5.7W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 68nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 2500 шт |
товар відсутній |
||
![]() |
SI4634DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() |
товар відсутній |
|
SI4634DY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 24.5A; Idm: 70A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 24.5A Pulsed drain current: 70A Power dissipation: 5.7W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 68nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |