![SI4435DDY-T1-E3 SI4435DDY-T1-E3](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2017/6/6/13/30/29/777/vsh_/manual/soic127p600x175-8l43_vsh_n.step.jpg)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 15.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4435DDY-T1-E3 Vishay
Description: VISHAY - SI4435DDY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11.4 A, 0.0195 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 11.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції SI4435DDY-T1-E3 за ціною від 16.16 грн до 57.24 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SI4435DDY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SI4435DDY-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 9.1A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SI4435DDY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SI4435DDY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 2019 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SI4435DDY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -6.5A; 5W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -6.5A Power dissipation: 5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 35mΩ Mounting: SMD Gate charge: 50nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 1214 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SI4435DDY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 2019 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SI4435DDY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 11.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 4421 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SI4435DDY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -6.5A; 5W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -6.5A Power dissipation: 5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 35mΩ Mounting: SMD Gate charge: 50nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1214 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SI4435DDY-T1-E3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 4256 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SI4435DDY-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 9.1A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V |
на замовлення 18142 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SI4435DDY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 11.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 4421 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
SI4435DDYT1E3 | Виробник : VISHAY |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
![]() |
SI4435DDY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |