Продукція > VISHAY > SI4435DDY-T1-E3
SI4435DDY-T1-E3

SI4435DDY-T1-E3 Vishay

si4435ddy.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 8.1A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+15.58 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4435DDY-T1-E3 Vishay

Description: VISHAY - SI4435DDY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11.4 A, 0.0195 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 11.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).

Інші пропозиції SI4435DDY-T1-E3 за ціною від 16.16 грн до 57.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI4435DDY-T1-E3 SI4435DDY-T1-E3 Виробник : Vishay si4435ddy.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+18.69 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SI4435DDY-T1-E3 SI4435DDY-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si4435ddy.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 9.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+19.13 грн
5000+ 17.45 грн
12500+ 16.16 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SI4435DDY-T1-E3 SI4435DDY-T1-E3 Виробник : Vishay si4435ddy.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+19.95 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SI4435DDY-T1-E3 SI4435DDY-T1-E3 Виробник : Vishay si4435ddy.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
592+20.36 грн
Мінімальне замовлення: 592
SI4435DDY-T1-E3 SI4435DDY-T1-E3 Виробник : VISHAY SI4435DDY.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -6.5A; 5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.5A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1214 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+26.65 грн
39+ 22.28 грн
105+ 21.06 грн
1000+ 20.28 грн
Мінімальне замовлення: 14
SI4435DDY-T1-E3 SI4435DDY-T1-E3 Виробник : Vishay si4435ddy.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
22+28.27 грн
24+ 25.57 грн
25+ 25.32 грн
100+ 21.32 грн
250+ 19.55 грн
500+ 18.22 грн
1000+ 16.21 грн
Мінімальне замовлення: 22
SI4435DDY-T1-E3 SI4435DDY-T1-E3 Виробник : VISHAY si4435ddy.pdf Description: VISHAY - SI4435DDY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11.4 A, 0.0195 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 4421 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+30.2 грн
500+ 23.94 грн
1000+ 20.82 грн
Мінімальне замовлення: 100
SI4435DDY-T1-E3 SI4435DDY-T1-E3 Виробник : VISHAY SI4435DDY.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -6.5A; 5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.5A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1214 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+36.24 грн
10+ 33.21 грн
39+ 26.73 грн
105+ 25.28 грн
1000+ 24.34 грн
Мінімальне замовлення: 8
SI4435DDY-T1-E3 SI4435DDY-T1-E3 Виробник : Vishay Semiconductors si4435ddy.pdf MOSFETs -30V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 4256 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+49.61 грн
10+ 42.44 грн
100+ 26.43 грн
500+ 22.77 грн
1000+ 19.47 грн
2500+ 17.5 грн
5000+ 16.38 грн
Мінімальне замовлення: 7
SI4435DDY-T1-E3 SI4435DDY-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si4435ddy.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 9.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V
на замовлення 18142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+50.18 грн
10+ 42.02 грн
100+ 29.09 грн
500+ 22.81 грн
1000+ 19.41 грн
Мінімальне замовлення: 7
SI4435DDY-T1-E3 SI4435DDY-T1-E3 Виробник : VISHAY si4435ddy.pdf Description: VISHAY - SI4435DDY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11.4 A, 0.0195 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 4421 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+57.24 грн
17+ 48.02 грн
100+ 30.2 грн
500+ 23.94 грн
1000+ 20.82 грн
Мінімальне замовлення: 14
SI4435DDYT1E3 Виробник : VISHAY
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SI4435DDY-T1-E3 SI4435DDY-T1-E3 Виробник : Vishay si4435ddy.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній