SI4497DY-T1-GE3

SI4497DY-T1-GE3 Vishay Siliconix


si4497dy.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 36A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 285 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9685 pF @ 15 V
на замовлення 17500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+56.84 грн
5000+ 52.68 грн
12500+ 50.93 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4497DY-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI4497DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 36 A, 0.0027 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 36A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 7.8W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm, SVHC: Lead (10-Jun-2022).

Інші пропозиції SI4497DY-T1-GE3 за ціною від 54.07 грн до 141.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI4497DY-T1-GE3 SI4497DY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4497dy.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 24.8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+81.05 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SI4497DY-T1-GE3 SI4497DY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4497dy.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 24.8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+113.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SI4497DY-T1-GE3 SI4497DY-T1-GE3 Виробник : VISHAY SI4497DY.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -29A; 5W; SO8
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 5W
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 90nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -29A
On-state resistance: 3.3mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
на замовлення 1078 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+118.05 грн
5+ 96.55 грн
11+ 83.48 грн
28+ 79.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
SI4497DY-T1-GE3 SI4497DY-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si4497dy.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 36A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 285 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9685 pF @ 15 V
на замовлення 19296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+125.9 грн
10+ 100.76 грн
100+ 80.25 грн
500+ 63.73 грн
1000+ 54.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
SI4497DY-T1-GE3 SI4497DY-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0002474090-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4497DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 36 A, 0.0027 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.8W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+132.9 грн
Мінімальне замовлення: 6
SI4497DY-T1-GE3 SI4497DY-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si4497dy.pdf MOSFET -30V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 21890 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+135.78 грн
10+ 112.2 грн
100+ 77.36 грн
250+ 71.09 грн
500+ 64.81 грн
1000+ 57.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
SI4497DY-T1-GE3 SI4497DY-T1-GE3 Виробник : VISHAY SI4497DY.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -29A; 5W; SO8
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 5W
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 90nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -29A
On-state resistance: 3.3mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1078 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+141.66 грн
5+ 120.32 грн
11+ 100.18 грн
28+ 94.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
SI4497DY-T1-GE3 SI4497DY-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0002474090-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4497DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 36 A, 0.0027 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.8W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SI4497DY-T1-GE3 SI4497DY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4497dy.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 24.8A 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній
SI4497DY-T1-GE3 SI4497DY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4497dy.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 24.8A 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній