на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 39.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4490DY-T1-E3 Vishay
Description: MOSFET N-CH 200V 2.85A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.85A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min), Supplier Device Package: 8-SOIC, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V.
Інші пропозиції SI4490DY-T1-E3 за ціною від 63.65 грн до 159.78 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI4490DY-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 200V 2.85A 8SOPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.85A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min) Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI4490DY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 2.85A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI4490DY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 2.85A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI4490DY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 2.85A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI4490DY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 2.85A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI4490DY-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 200V 2.85A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.85A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min) Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V |
на замовлення 3904 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI4490DY-T1-E3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs RECOMMENDED ALT SI4490DY-TR |
на замовлення 10685 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SI4490DYT1E3 | Виробник : VISHAY |
на замовлення 50000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
| SI4490DY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
06+ ZIP |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| SI4490DY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
07+ SO-8 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| SI4490DY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
1018+ SOP8 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| SI4490DY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
SO-8 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
|
SI4490DY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 2.85A 8-Pin SOIC N T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| SI4490DY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 4A; Idm: 40A; 3.1W Technology: TrenchFET® Mounting: SMD Case: SO8 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 200V Drain current: 4A On-state resistance: 90mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 3.1W Polarisation: unipolar Gate charge: 42nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 40A кількість в упаковці: 2500 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| SI4490DY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 4A; Idm: 40A; 3.1W Technology: TrenchFET® Mounting: SMD Case: SO8 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 200V Drain current: 4A On-state resistance: 90mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 3.1W Polarisation: unipolar Gate charge: 42nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 40A |
товар відсутній |