SI4465ADY-T1-E3 VISHAY
Виробник: VISHAYDescription: VISHAY - SI4465ADY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 13.7 A, 0.0075 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 8V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 450mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.5W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
на замовлення 11244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 102.17 грн |
| 10+ | 82.67 грн |
| 100+ | 67.54 грн |
| 500+ | 57.28 грн |
| 1000+ | 46.99 грн |
| 5000+ | 46.19 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4465ADY-T1-E3 VISHAY
Description: MOSFET P-CH 8V 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.7A (Ta), 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 14A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 4.5 V.
Інші пропозиції SI4465ADY-T1-E3 за ціною від 55.89 грн до 141.94 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI4465ADY-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 8V 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.7A (Ta), 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 14A, 4.5V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 4.5 V |
на замовлення 2183 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI4465ADY-T1-E3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 8.0V 13.7A 3.0W 9.0mohm @ 4.5V |
на замовлення 6899 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI4465ADY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 8V 13.7A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| SI4465ADYT1E3 | Виробник : SIVHAY |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
| SI4465ADY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
|
на замовлення 25000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
 |
SI4465ADY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 8V 13.7A 8-Pin SOIC N T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| SI4465ADY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -8V; -13.7A; Idm: -40A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -8V Drain current: -13.7A Pulsed drain current: -40A Power dissipation: 3W Case: SO8 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 16mΩ Mounting: SMD Gate charge: 85nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 2500 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
|
|
SI4465ADY-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 8V 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.7A (Ta), 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 14A, 4.5V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 4.5 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| SI4465ADY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -8V; -13.7A; Idm: -40A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -8V Drain current: -13.7A Pulsed drain current: -40A Power dissipation: 3W Case: SO8 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 16mΩ Mounting: SMD Gate charge: 85nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |