![SI4436DY-T1-GE3 SI4436DY-T1-GE3](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/98dee6805cea05668d88b17298b7aef468bcd912/soic127p600x175-8l43_vsh_n.step.jpg)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 43.27 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4436DY-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI4436DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 8 A, 0.03 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції SI4436DY-T1-GE3 за ціною від 24.96 грн до 74.64 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SI4436DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.6A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 30 V |
на замовлення 710 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SI4436DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 15587 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SI4436DY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 85 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SI4436DY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 85 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
![]() |
SI4436DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
SI4436DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
SI4436DY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6.8A; 3.2W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 6.8A Power dissipation: 3.2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 36mΩ Mounting: SMD Gate charge: 10.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
SI4436DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.6A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 30 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
SI4436DY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6.8A; 3.2W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 6.8A Power dissipation: 3.2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 36mΩ Mounting: SMD Gate charge: 10.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |