SI4436DY-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 30 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 27.43 грн |
| 5000+ | 24.48 грн |
| 7500+ | 23.49 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4436DY-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI4436DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 8 A, 0.03 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції SI4436DY-T1-GE3 за ціною від 23.80 грн до 104.01 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI4436DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI4436DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI4436DY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4436DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 8 A, 0.03 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 2439 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI4436DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI4436DY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4436DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 8 A, 0.03 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 2412 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI4436DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 8A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.6A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 30 V |
на замовлення 12259 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI4436DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 60V Vds 20V Vgs SO-8 |
на замовлення 15502 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI4436DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC N T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
SI4436DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC N T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
SI4436DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC N T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| SI4436DY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
SI4436DY-T1-GE3 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |