Продукція > VISHAY > SI4459ADY-T1-GE3
SI4459ADY-T1-GE3

SI4459ADY-T1-GE3 Vishay

si4459ad.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 29A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+38.95 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4459ADY-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI4459ADY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 29 A, 0.0039 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 29A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm, SVHC: Lead (10-Jun-2022).

Інші пропозиції SI4459ADY-T1-GE3 за ціною від 44.05 грн до 139.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI4459ADY-T1-GE3 SI4459ADY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4459ady.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 29A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+48.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SI4459ADY-T1-GE3 SI4459ADY-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix Si4459ADY.PDF Description: MOSFET P-CH 30V 29A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 15 V
на замовлення 82500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+49.16 грн
5000+ 45.56 грн
12500+ 44.05 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SI4459ADY-T1-GE3 SI4459ADY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4459ady.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 29A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+75.59 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SI4459ADY-T1-GE3 SI4459ADY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4459ady.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 29A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 3588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
159+75.94 грн
167+ 72.22 грн
168+ 72.03 грн
200+ 68.29 грн
500+ 63.05 грн
1000+ 60.44 грн
2000+ 60.1 грн
2500+ 60.02 грн
Мінімальне замовлення: 159
SI4459ADY-T1-GE3 SI4459ADY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4459ady.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 29A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+88.6 грн
5000+ 80.96 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SI4459ADY-T1-GE3 SI4459ADY-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0002474623-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4459ADY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 29 A, 0.0039 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 12095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+90.67 грн
500+ 76.88 грн
1000+ 64.88 грн
Мінімальне замовлення: 100
SI4459ADY-T1-GE3 SI4459ADY-T1-GE3 Виробник : VISHAY SI4459ADY.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -23.5A; 5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 61nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -23.5A
On-state resistance: 5mΩ
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+101.71 грн
5+ 87.12 грн
14+ 65.89 грн
36+ 62.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
SI4459ADY-T1-GE3 SI4459ADY-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix Si4459ADY.PDF Description: MOSFET P-CH 30V 29A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 15 V
на замовлення 84220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+109.48 грн
10+ 87.2 грн
100+ 69.41 грн
500+ 55.12 грн
1000+ 46.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
SI4459ADY-T1-GE3 SI4459ADY-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors Si4459ADY.PDF MOSFET -30V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 9338 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+117.26 грн
10+ 96.19 грн
100+ 66.7 грн
500+ 61.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
SI4459ADY-T1-GE3 SI4459ADY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4459ady.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 29A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
99+121.98 грн
104+ 116.53 грн
250+ 111.85 грн
Мінімальне замовлення: 99
SI4459ADY-T1-GE3 SI4459ADY-T1-GE3 Виробник : VISHAY SI4459ADY.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -23.5A; 5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 61nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -23.5A
On-state resistance: 5mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+122.05 грн
5+ 108.57 грн
14+ 79.07 грн
36+ 74.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
SI4459ADY-T1-GE3 SI4459ADY-T1-GE3 Виробник : VISHAY Si4459ADY.PDF Description: VISHAY - SI4459ADY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 29 A, 0.0039 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 12095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+128.52 грн
10+ 97.77 грн
100+ 90.67 грн
500+ 76.88 грн
1000+ 64.88 грн
Мінімальне замовлення: 7
SI4459ADY-T1-GE3 SI4459ADY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4459ad.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 29A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 3998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
87+139.34 грн
92+ 131.15 грн
106+ 113.73 грн
200+ 104.73 грн
1000+ 89.38 грн
2000+ 81.5 грн
Мінімальне замовлення: 87
SI4459ADY-T1-GE3 Виробник : Siliconix Si4459ADY.PDF Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 7,7mOhm; 29A; 7,8W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: SI4459ADY-T1-E3; SI4459ADY-T1-GE3; SI4459ADY TSI4459ady
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+47.51 грн
Мінімальне замовлення: 20
SI4459ADY-T1-GE3 Виробник : Siliconix Si4459ADY.PDF Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 7,7mOhm; 29A; 7,8W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: SI4459ADY-T1-E3; SI4459ADY-T1-GE3; SI4459ADY TSI4459ady
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+55.1 грн
Мінімальне замовлення: 10
SI4459ADY-T1-GE3 SI4459ADY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4459ady.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 29A 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній
SI4459ADY-T1-GE3 SI4459ADY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4459ady.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 29A 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній
SI4459ADY-T1-GE3
Код товару: 184525 		Si4459ADY.PDF Транзистори > Польові P-канальні
товар відсутній