Продукція > FDP

Description: PROTECT TUBE M6 DIF. FIBER 1M

на замовлення 8 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDP-14-T

Panasonic Industrial Automation

Headers & Wire Housings 14P DIP PLUG TIN PLATED

товар відсутній

FDP-1500

Sensor Fixings & Accessories PROTECTIVE TUBE FOR M6 DIF. FIBER, 1.5M LENGTH

на замовлення 5 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	2435.4 грн
10+	2160.55 грн
25+	1795.1 грн

FDP-16-T

Conn IDC Connector M 16 POS 1.27mm Solder RA Thru-Hole

товар відсутній

FDP-24-T

Conn IDC Connector PL 24 POS 2.54mm Solder RA Thru-Hole Tray

товар відсутній

FDP-308-T

FDP-308-T

товар відсутній

FDP-308-T

Description: PLUG FLAT CABLE IDC 8P 2.54MM PI
Features: Feed Through
Packaging: Tray
Connector Type: Ribbon Cable, DIP Header
Contact Finish: Tin
Color: Black
Mounting Type: Through Hole
Number of Positions: 8
Row Spacing: 0.300" (7.62mm)
Cable Termination: IDC
Cable Pitch: 0.050" (1.27mm)
Board-Side Pitch: 0.100" (2.54mm)
Part Status: Active
Number of Rows: 2

на замовлення 357 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	42.58 грн
10+	35.07 грн
25+	33.62 грн
40+	30.88 грн
204+	29.56 грн

Мінімальне замовлення: 8

FDP-310-T

Description: PLUG FLAT CABLE IDC 10P 2.54MM P
Features: Feed Through
Packaging: Tray
Connector Type: Ribbon Cable, DIP Header
Contact Finish: Tin
Color: Black
Mounting Type: Through Hole
Number of Positions: 10
Row Spacing: 0.300" (7.62mm)
Cable Termination: IDC
Cable Pitch: 0.050" (1.27mm)
Board-Side Pitch: 0.100" (2.54mm)
Part Status: Active
Number of Rows: 2

на замовлення 180 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	70.71 грн
10+	57.62 грн
25+	55.26 грн
40+	50.76 грн
180+	48.55 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDP-310-T

Conn IDC Connector PL 10 POS 2.54mm Solder RA Thru-Hole

товар відсутній

FDP-310-T

Headers & Wire Housings PLUG FLAT CABLE IDC 10P 2.54MM P

товар відсутній

FDP-314-G

CONNECTOR, IDC DIP PLUG

товар відсутній

FDP-314-SG

CONNECTOR, IDC DIP PLUG

товар відсутній

FDP-314-T

Headers & Wire Housings PLUG FLAT CABLE IDC 14P 2.54MM P

товар відсутній

FDP-314-T

Conn IDC Connector PL 14 POS 2.54mm Solder RA Thru-Hole

товар відсутній

FDP-314-T

Description: PLUG FLAT CABLE IDC 14P 2.54MM P
Packaging: Tray
Features: Feed Through
Connector Type: Ribbon Cable, DIP Header
Contact Finish: Tin
Color: Black
Mounting Type: Through Hole
Number of Positions: 14
Row Spacing: 0.300" (7.62mm)
Cable Termination: IDC
Cable Pitch: 0.050" (1.27mm)
Board-Side Pitch: 0.100" (2.54mm)
Part Status: Active
Number of Rows: 2

на замовлення 77 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	69.95 грн
10+	57.03 грн
25+	54.71 грн
40+	50.26 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDP-314-T

FDP-314-T

товар відсутній

FDP-316-SG

FDP-316-SG

товар відсутній

FDP-316-T

Description: PLUG FLAT CABLE IDC 16P 2.54MM P
Features: Feed Through
Packaging: Tray
Connector Type: Ribbon Cable, DIP Header
Contact Finish: Tin
Color: Black
Mounting Type: Through Hole
Number of Positions: 16
Row Spacing: 0.300" (7.62mm)
Cable Termination: IDC
Cable Pitch: 0.050" (1.27mm)
Board-Side Pitch: 0.100" (2.54mm)
Part Status: Active
Number of Rows: 2

на замовлення 154 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	101.12 грн
10+	82.22 грн
25+	78.84 грн
40+	72.4 грн
120+	69.26 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDP-316-T

Conn IDC Connector PL 16 POS 1.27mm Solder RA Thru-Hole

товар відсутній

FDP-318-T

Conn IDC Connector PL 18 POS 1.27mm Solder RA Thru-Hole

товар відсутній

FDP-318-T

Flat Cable IDC Plug 18P 2.54mm Pitch

товар відсутній

FDP-318-T

Description: PLUG FLAT CABLE IDC 18P 2.54MM P
Features: Feed Through
Packaging: Tray
Connector Type: Ribbon Cable, DIP Header
Contact Finish: Tin
Color: Black
Mounting Type: Through Hole
Number of Positions: 18
Row Spacing: 0.300" (7.62mm)
Cable Termination: IDC
Cable Pitch: 0.050" (1.27mm)
Board-Side Pitch: 0.100" (2.54mm)
Part Status: Active
Number of Rows: 2

на замовлення 272 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	104.16 грн
10+	87.56 грн
25+	83.84 грн
40+	76.95 грн
108+	73.45 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDP-320-T

Description: PLUG FLAT CABLE IDC 20P 2.54MM P
Features: Feed Through
Packaging: Tray
Connector Type: Ribbon Cable, DIP Header
Contact Finish: Tin
Color: Black
Mounting Type: Through Hole
Number of Positions: 20
Row Spacing: 0.300" (7.62mm)
Cable Termination: IDC
Cable Pitch: 0.050" (1.27mm)
Board-Side Pitch: 0.100" (2.54mm)
Part Status: Active
Number of Rows: 2

товар відсутній

FDP-320-T

Flat Cable IDC Plug 20P 2.54mm Pitch

товар відсутній

FDP-324-T

Description: PLUG FLAT CABLE IDC 24P 2.54MM P
Packaging: Tray
Features: Feed Through
Connector Type: Ribbon Cable, DIP Header
Contact Finish: Tin
Color: Black
Mounting Type: Through Hole
Number of Positions: 24
Row Spacing: 0.300" (7.62mm)
Cable Termination: IDC
Cable Pitch: 0.050" (1.27mm)
Board-Side Pitch: 0.100" (2.54mm)
Part Status: Active
Number of Rows: 2

на замовлення 132 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	114.81 грн
10+	95.91 грн
25+	91.84 грн
40+	84.27 грн
84+	80.45 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDP-324-T

Conn IDC Connector PL 24 POS 2.54mm Solder RA Thru-Hole

товар відсутній

FDP-328-T

Flat Cable IDC Plug 28P 2.54mm Pitch

товар відсутній

FDP-328-T

Description: PLUG FLAT CABLE IDC 28P 2.54MM P
Packaging: Tray
Features: Feed Through
Connector Type: Ribbon Cable, DIP Header
Contact Finish: Tin
Color: Black
Mounting Type: Through Hole
Number of Positions: 28
Row Spacing: 0.300" (7.62mm)
Cable Termination: IDC
Cable Pitch: 0.050" (1.27mm)
Board-Side Pitch: 0.100" (2.54mm)
Part Status: Active
Number of Rows: 2

на замовлення 83 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	124.69 грн
10+	104.26 грн
25+	99.84 грн
72+	91.6 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDP-334-T

Conn IDC Connector PL 34 POS 2.54mm Solder RA Thru-Hole

товар відсутній

FDP-500

Description: PROTECT TUBE M6 DIF. FIBER 500MM

на замовлення 11 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDP-624-T

Conn IDC Connector PL 24 POS 2.54mm Solder RA Thru-Hole

товар відсутній

FDP-624-T

Flat Cable IDC Plug 24P 2.54mm Pitch

товар відсутній

FDP-624-T

Description: PLUG FLAT CABLE IDC 24P 2.54MM P

на замовлення 169 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDP-628-T

Conn IDC Connector PL 28 POS 2.54mm Solder RA Thru-Hole

товар відсутній

FDP-628-T

Flat Cable IDC Plug 28P 2.54mm Pitch

товар відсутній

FDP-628-T

Description: PLUG FLAT CABLE IDC 28P 2.54MM P
Packaging: Tray
Features: Feed Through
Connector Type: Ribbon Cable, DIP Header
Contact Finish: Tin
Color: Black
Mounting Type: Through Hole
Number of Positions: 28
Row Spacing: 0.600" (15.24mm)
Cable Termination: IDC
Cable Pitch: 0.050" (1.27mm)
Board-Side Pitch: 0.100" (2.54mm)
Part Status: Active
Number of Rows: 2

на замовлення 168 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	100.36 грн
10+	81.93 грн
25+	78.6 грн
60+	72.19 грн
120+	69.05 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDP-632-T

Description: PLUG FLAT CABLE IDC 32P 2.54MM P
Packaging: Tray
Features: Feed Through
Connector Type: Ribbon Cable, DIP Header
Contact Finish: Tin
Color: Black
Mounting Type: Through Hole
Number of Positions: 32
Row Spacing: 0.600" (15.24mm)
Cable Termination: IDC
Cable Pitch: 0.050" (1.27mm)
Board-Side Pitch: 0.100" (2.54mm)
Part Status: Active
Number of Rows: 2

на замовлення 249 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	114.81 грн
10+	95.91 грн
25+	91.84 грн
60+	84.27 грн
120+	80.45 грн
240+	72.78 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDP-632-T

Conn IDC Connector PL 32 POS 2.54mm Solder RA Thru-Hole

на замовлення 60 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDP-632-T

Conn IDC Connector PL 32 POS 2.54mm Solder RA Thru-Hole

товар відсутній

FDP-632-T

Conn IDC Connector PL 32 POS 2.54mm Solder RA Thru-Hole

товар відсутній

FDP-634-T

Conn IDC Connector PL 34 POS 2.54mm Solder RA Thru-Hole

товар відсутній

FDP-636-T

Conn IDC Connector PL 36 POS 2.54mm Solder RA Thru-Hole

товар відсутній

FDP-636-T

Description: PLUG FLAT CABLE IDC 36P 2.54MM P

на замовлення 176 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDP-636-T

FDP-636-T

товар відсутній

FDP-640-T

Description: PLUG FLAT CABLE IDC 40P 2.54MM P

на замовлення 123 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDP-640-T

Panasonic Industrial Automation

Conn IDC Connector PL 40 POS 2.54mm Solder RA Thru-Hole

товар відсутній

FDP-N1000

Sensor Fixings & Accessories PROTECTIVE TUBE FOR M4 DIF. FIBER, 1M LENGTH

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	2364.06 грн
10+	2097.5 грн
25+	1742.38 грн

FDP-N1000

Description: PROTECT TUBE M4 DIF. FIBER 1M
Packaging: Box
For Use With/Related Products: FX-300 Series
Accessory Type: Protective Tube

товар відсутній

FDP-N500

Description: PROTECT TUBE M4 DIF. FIBER 500MM

товар відсутній

FDP01

ECUGEN

на замовлення 73 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP020N06B

FET 60V 1.5 MOHM TO220

товар відсутній

FDP020N06B-F102

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 268 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20930 pF @ 30 V

на замовлення 1705 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	480.51 грн
10+	311.97 грн
100+	226.49 грн
500+	178.3 грн
1000+	175.41 грн

FDP020N06B-F102

MOSFETs N-Channel PwrTrench 60V 313A 2mOhm

на замовлення 692 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	452.64 грн
10+	375.04 грн
50+	244.59 грн
100+	224.91 грн
250+	224.21 грн
500+	210.86 грн
800+	189.07 грн

FDP020N06B-F102

на замовлення 720 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP020N06B-F102

Trans MOSFET N-CH Si 60V 313A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP020N06B-F102

Trans MOSFET N-CH Si 60V 313A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP020N06B-F102

Description: ONSEMI - FDP020N06B-F102 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

товар відсутній

FDP022AN03LD0-EVAL

на замовлення 1672 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP023601-20

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP023N08B

Description: ONSEMI - FDP023N08B - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 17859 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

157+	177.4 грн

Мінімальне замовлення: 157

FDP023N08B

Description: 75V N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

товар відсутній

FDP023N08B

onsemi FET 80V 2.7 MOHM TO220

товар відсутній

FDP023N08B-F102

Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.35mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13765 pF @ 37.5 V

на замовлення 703 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	257.74 грн
50+	196.61 грн
100+	168.53 грн
500+	140.59 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP023N08B-F102

MOSFET FET 75V 2.35 MOHM TO220

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	276.34 грн
10+	231.17 грн
50+	198.21 грн
100+	146.19 грн
250+	126.51 грн
500+	120.19 грн
1000+	115.97 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP023N08B-F102

Description: ONSEMI - FDP023N08B-F102 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 20529 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	130.88 грн

Мінімальне замовлення: 1000

FDP023N08B-F102

Trans MOSFET N-CH Si 75V 242A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP023N08B-F102

Trans MOSFET N-CH Si 75V 242A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP025N06

Trans MOSFET N-CH Si 60V 265A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP025N06

Trans MOSFET N-CH Si 60V 265A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDP025N06

Trans MOSFET N-CH Si 60V 265A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP025N06
Код товару: 189620

товар відсутній

FDP025N06

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 226 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14885 pF @ 25 V

на замовлення 948 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	328.45 грн
50+	250.64 грн
100+	214.83 грн
500+	179.21 грн

FDP025N06

MOSFETs 60V N-Channel PowerTrench

на замовлення 1146 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	357.52 грн
10+	295.83 грн
25+	243.19 грн
100+	208.05 грн
250+	196.8 грн
500+	184.85 грн
1000+	163.77 грн

FDP025N06

на замовлення 950 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP027N08B

Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 246W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13530 pF @ 40 V

товар відсутній

FDP027N08B

onsemi FET 80V 2.7 MOHM TO220

товар відсутній

FDP027N08B-F102

Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 246W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13530 pF @ 40 V

на замовлення 690 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	222.77 грн
50+	170.24 грн
100+	145.92 грн
500+	121.73 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP027N08B-F102

MOSFETs N-Channel PwrTrench 80V 223A 2.7mOhm

на замовлення 1867 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	238.62 грн
10+	198.84 грн
25+	163.06 грн
100+	139.17 грн
250+	132.14 грн
500+	120.19 грн
800+	99.81 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP027N08B-F102

Trans MOSFET N-CH Si 80V 223A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP027N08B-F102

Description: ONSEMI - FDP027N08B-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 223 A, 0.00221 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 223A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 246W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00221ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

на замовлення 92 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	258.62 грн
10+	193.96 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDP027N08B-F102
Код товару: 194545

товар відсутній

FDP027N08B-F102

Trans MOSFET N-CH Si 80V 223A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP027N08B_F102

Description: FDP027N08B_F102

на замовлення 195 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDP030N06

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9815 pF @ 25 V

на замовлення 859 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	326.93 грн
50+	249.63 грн
100+	213.97 грн
500+	178.49 грн

FDP030N06

Trans MOSFET N-CH Si 60V 193A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP030N06

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 138A; 205W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 138A
Power dissipation: 205W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

FDP030N06

MOSFETs NCH 60V 3.0Mohm

на замовлення 996 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	271.42 грн
25+	231.17 грн
100+	182.74 грн
250+	182.04 грн
500+	146.19 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP030N06

Trans MOSFET N-CH Si 60V 193A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP030N06

Description: ONSEMI - FDP030N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0026 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 231W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 985 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	301.98 грн
10+	231.81 грн
100+	208.94 грн
500+	183.04 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDP030N06

товар відсутній

FDP030N06B

Description: 1-ELEMENT, N-CHANNEL, MOS FET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

185+	114.86 грн

Мінімальне замовлення: 185

FDP030N06B-F102

Trans MOSFET N-CH Si 60V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 138050 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	147.49 грн
10+	125.21 грн
100+	105.51 грн
250+	96.71 грн
500+	81.33 грн
800+	66.7 грн
2400+	62.56 грн
5600+	61.09 грн
10400+	59.85 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDP030N06B-F102

на замовлення 134 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP030N06B-F102

MOSFETs N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 195A, 3.1mO

на замовлення 452 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	182.04 грн
10+	149.53 грн
100+	103.32 грн
250+	95.59 грн
500+	86.45 грн
800+	73.8 грн
2400+	70.29 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP030N06B-F102

Trans MOSFET N-CH Si 60V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 3800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	77.16 грн

Мінімальне замовлення: 800

FDP030N06B-F102

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8030 pF @ 30 V

на замовлення 1479 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	170.31 грн
50+	131.57 грн
100+	108.24 грн
500+	85.95 грн
1000+	72.93 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP030N06B-F102

Description: ONSEMI - FDP030N06B-F102 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

товар відсутній

FDP030N06B-F102

Trans MOSFET N-CH Si 60V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 3200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	91.12 грн
2400+	87.09 грн

Мінімальне замовлення: 800

FDP030N06B-F102

Trans MOSFET N-CH Si 60V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP032N08

Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15160 pF @ 25 V

на замовлення 859 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	406.76 грн
50+	310.14 грн
100+	265.83 грн
500+	221.75 грн

FDP032N08

Trans MOSFET N-CH Si 75V 235A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 37691 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	254.01 грн
10+	235.43 грн
50+	233.11 грн
100+	217.59 грн
250+	197.61 грн
500+	179.28 грн
1000+	162.52 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDP032N08

Trans MOSFET N-CH Si 75V 235A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP032N08

MOSFETs 75V N-Channel PowerTrench

на замовлення 908 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	268.96 грн
10+	263.5 грн
50+	201.02 грн
100+	183.45 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP032N08

Trans MOSFET N-CH Si 75V 235A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 37691 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

45+	273.55 грн
48+	253.54 грн
50+	251.04 грн
100+	234.33 грн
250+	212.81 грн
500+	193.07 грн
1000+	175.02 грн

Мінімальне замовлення: 45

FDP032N08

Trans MOSFET N-CH Si 75V 235A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP032N08-F102

Description: ONSEMI - FDP032N08-F102 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

товар відсутній

FDP032N08-F102

MOSFET PT3 MV 75V 3.2mohm for Delta

товар відсутній

FDP032N08-F102

N-Channel PowerTrench® MOSFET

товар відсутній

FDP032N08-F102

N-Channel PowerTrench® MOSFET

товар відсутній

FDP032N08-F102

Description: MOSFET N-CHANNEL 75V 120A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15160 pF @ 25 V

товар відсутній

FDP032N08B

onsemi FET 80V 3.1 MOHM TO220

товар відсутній

FDP032N08B

Description: N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET 80V
Packaging: Bulk
Part Status: Active

товар відсутній

FDP032N08B-F102

Trans MOSFET N-CH Si 80V 211A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP032N08B-F102

Trans MOSFET N-CH Si 80V 211A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP032N08B-F102

Description: ONSEMI - FDP032N08B-F102 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

товар відсутній

FDP032N08B-F102

MOSFET N-Channel PowerTrench MOSFET 80V, 211A, 3.3mO

на замовлення 674 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	215.66 грн
10+	178.63 грн
25+	146.19 грн
100+	125.81 грн
250+	118.08 грн
500+	111.75 грн
800+	95.59 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP032N08B-F102

Trans MOSFET N-CH Si 80V 211A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP032N08B-F102

Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 144 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10965 pF @ 40 V

на замовлення 463 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	136.85 грн
50+	104.51 грн
100+	89.58 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDP036N10A

Description: ONSEMI - FDP036N10A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0032 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 859 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	330.37 грн
10+	252.31 грн
100+	227.87 грн
500+	204.27 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDP036N10A

MOSFETs PT5 NCH 100V 3.6Mohm PowerTrench MOSFET

на замовлення 3824 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	399.34 грн
10+	344.33 грн
25+	273.41 грн
100+	234.05 грн
250+	224.91 грн
500+	208.75 грн
800+	186.96 грн

FDP036N10A

Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 125 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	416.01 грн
10+	369.89 грн
100+	300.2 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP036N10A

Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7295 pF @ 25 V

на замовлення 1054 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	380.15 грн
50+	289.77 грн
100+	248.36 грн
500+	207.18 грн
1000+	177.4 грн

FDP036N10A

Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 125 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

27+	448.01 грн
31+	398.34 грн
100+	323.29 грн

Мінімальне замовлення: 27

FDP036N10A

Fairchild/ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP036N10A

N-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 120 А; Ptot, Вт = 227; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 7295 @ 25; Qg, нКл = 116 @ 10 В; Rds = 3,6 мОм @ 75 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; TO-220AB-3

на замовлення 10 шт:

термін постачання 3-4 дні (днів)

2+	416.74 грн
10+	388.95 грн
100+	361.17 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP036N10A

Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP036N10A
Код товару: 94301

Мікросхеми > Інші мікросхеми
8542 39 90 00

товар відсутній

FDP038AN06

на замовлення 5863 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP038AN06A0

Trans MOSFET N-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP038AN06A0

Trans MOSFET N-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 748 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

62+	197.21 грн
63+	193.36 грн
73+	167.13 грн
100+	137.92 грн
250+	124.71 грн
500+	118.52 грн

Мінімальне замовлення: 62

FDP038AN06A0

Trans MOSFET N-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 450 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	128.74 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDP038AN06A0
Код товару: 51728

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2

товар відсутній

FDP038AN06A0

Trans MOSFET N-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP038AN06A0

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 310W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 310W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

на замовлення 76 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	251.52 грн
3+	210.12 грн
6+	168.39 грн
15+	158.88 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP038AN06A0

Description: ONSEMI - FDP038AN06A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0035 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 80
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 310
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0035
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

товар відсутній

FDP038AN06A0

Trans MOSFET N-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 750 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	182.95 грн
10+	179.38 грн
50+	155.05 грн
100+	127.95 грн
250+	115.69 грн
500+	109.95 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDP038AN06A0

MOSFETs 60V 80a .38 Ohms/VGS=1V

на замовлення 6457 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	205 грн
10+	199.65 грн
50+	150.41 грн
100+	118.78 грн
250+	116.67 грн
800+	114.57 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP038AN06A0

на замовлення 76 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	301.82 грн
3+	261.85 грн
6+	202.07 грн
15+	190.65 грн
250+	187.14 грн

FDP038AN06A0

Description: MOSFET N-CH 60V 17A/80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 25 V

на замовлення 46 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	251.66 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP038AN06A0-F102

Description: ONSEMI - FDP038AN06A0-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0035 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 80
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 310
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: Power Trench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0035
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

товар відсутній

FDP038AN06A0-F102

N-Channel PowerTrench MOSFET

товар відсутній

FDP038AN06A0-F102

MOSFET 60V80A3.8OHMS MOSFET NCH PWR TRENCH

товар відсутній

FDP038AN06A0-F102

Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 25 V

товар відсутній

FDP038AN06A0-F102

N-Channel PowerTrench MOSFET

товар відсутній

FDP038AN06A0_Q

MOSFET

товар відсутній

FDP039N08B

Description: N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET 80V
Packaging: Bulk

на замовлення 1390 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

124+	169.27 грн

Мінімальне замовлення: 124

FDP039N08B

onsemi FET 80V 3.9 MOHM TO220

товар відсутній

FDP039N08B

Description: ONSEMI - FDP039N08B - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 1390 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

149+	175.83 грн

Мінімальне замовлення: 149

FDP039N08B-F102

Trans MOSFET N-CH Si 80V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 293 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	208.24 грн
10+	202.74 грн
25+	173.19 грн
100+	165.39 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDP039N08B-F102

MOSFET Hi Intg PWM contrlr Green-Mode

на замовлення 1263 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	574 грн
10+	484.97 грн
50+	397.82 грн
100+	338.78 грн
250+	308.55 грн
500+	266.38 грн
1000+	265.68 грн

FDP039N08B-F102

Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9450 pF @ 40 V

на замовлення 684 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	601.4 грн
10+	522.9 грн
100+	432.92 грн
500+	353.78 грн

FDP039N08B-F102

Trans MOSFET N-CH Si 80V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP039N08B-F102

Description: ONSEMI - FDP039N08B-F102 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

на замовлення 399 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	380.04 грн

Мінімальне замовлення: 100

FDP039N08B-F102

Trans MOSFET N-CH Si 80V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP039N08B-F102

Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9450 pF @ 40 V

на замовлення 399 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

69+	333.77 грн

Мінімальне замовлення: 69

FDP039N08B-F102

Trans MOSFET N-CH Si 80V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP040N06

Trans MOSFET N-CH 60V 168A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail

товар відсутній

FDP040N06

Description: ONSEMI - FDP040N06 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

194+	136.4 грн

Мінімальне замовлення: 194

FDP040N06

MOSFET PT3 Low Qg 60V, 4.0Mohm

товар відсутній

FDP040N06

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8235 pF @ 25 V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

161+	130.8 грн

Мінімальне замовлення: 161

FDP045N10A

FET 100V 4.5 MOHM TO220

товар відсутній

FDP045N10A

Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5270 pF @ 50 V

товар відсутній

FDP045N10A-F032

Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5270 pF @ 50 V

товар відсутній

FDP045N10A-F032

на замовлення 800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP045N10A-F032

товар відсутній

FDP045N10A-F102

Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 786 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

41+	296.21 грн
50+	244.05 грн
100+	205.04 грн
250+	182.32 грн
500+	163.73 грн

Мінімальне замовлення: 41

FDP045N10A-F102

Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 786 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	278.26 грн
10+	275.05 грн
50+	226.62 грн
100+	190.39 грн
250+	169.29 грн
500+	152.03 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDP045N10A-F102

MOSFETs 100V N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET

на замовлення 749 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	308.32 грн
10+	256.23 грн
25+	210.15 грн
100+	179.93 грн
250+	170.09 грн
500+	160.25 грн
800+	128.62 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP045N10A-F102

Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP045N10A-F102

Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5270 pF @ 50 V

на замовлення 198711 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	287.39 грн
50+	219.23 грн
100+	187.92 грн
500+	156.76 грн
1000+	134.22 грн
2000+	126.39 грн
5000+	119.27 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP045N10A-F102

Description: ONSEMI - FDP045N10A-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0038 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 263W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 367 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	330.37 грн
10+	235.75 грн
100+	201.85 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDP045N10A-F102

Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP045N10A-F102

Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP045N10AF102

Description: 120A, 100V, N-CHANNEL POWER MOSF
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5270 pF @ 50 V

товар відсутній

FDP047AN08A0

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 310W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 310W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 5 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

2+	265.87 грн
3+	230.83 грн
6+	176.59 грн
17+	166.93 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP047AN08A0

Trans MOSFET N-CH 75V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP047AN08A0

MOSFETs 75V N-Ch PowerTrench

на замовлення 851 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	253.38 грн
10+	234.4 грн
50+	172.2 грн
100+	146.9 грн
250+	144.79 грн
500+	130.73 грн
800+	116.67 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP047AN08A0
Код товару: 119329

товар відсутній

FDP047AN08A0

на замовлення 5 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	221.56 грн
3+	185.23 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP047AN08A0

Trans MOSFET N-CH 75V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 290 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	118.9 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDP047AN08A0

Trans MOSFET N-CH 75V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 290 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	170.66 грн
10+	164.84 грн
50+	150.28 грн
100+	132.2 грн
250+	120.76 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDP047AN08A0

Trans MOSFET N-CH 75V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 288 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

66+	182.78 грн
69+	176.54 грн
75+	160.95 грн
100+	141.59 грн
250+	129.34 грн

Мінімальне замовлення: 66

FDP047AN08A0

Description: MOSFET N-CH 75V 15A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V

на замовлення 1823 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	235.69 грн
50+	179.55 грн
100+	153.9 грн
500+	128.39 грн
1000+	109.93 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP047AN08A0-F102

Description: MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V

товар відсутній

FDP047AN08A0-F102

MOSFETs SNGL NCH 75V 4.7MOHM ULTRAFET TRENCH

товар відсутній

FDP047AN08A0_NL

на замовлення 11629 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP047AN08AO

на замовлення 2400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP047AN08AO

07+ QFP

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP047AN08AO

08+

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP047N08

на замовлення 740 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP047N08

Description: MOSFET N-CH 75V 164A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 164A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 268W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9415 pF @ 25 V

на замовлення 34178 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	229.61 грн
50+	175.29 грн
100+	150.25 грн
500+	125.33 грн
1000+	107.32 грн
2000+	101.05 грн
5000+	95.36 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP047N08

MOSFET 75V N-Channel PowerTrench

на замовлення 4074 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	249.28 грн
10+	206.92 грн
50+	169.39 грн
100+	135.65 грн
250+	124.41 грн
500+	115.27 грн
800+	104.02 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP047N08

Trans MOSFET N-CH 75V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP047N08

Trans MOSFET N-CH 75V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP047N08-F10

Description: ONSEMI - FDP047N08-F10 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 432 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

117+	225.5 грн

Мінімальне замовлення: 117

FDP047N08-F10

Description: 164A, 75V, N-CHANNEL, MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

на замовлення 432 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

97+	217.6 грн

Мінімальне замовлення: 97

FDP047N08-F102

на замовлення 3196 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	196.16 грн
10+	157.12 грн
100+	125.09 грн
800+	99.34 грн
1600+	84.28 грн
2400+	80.07 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP047N08-F102

Trans MOSFET N-CH 75V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP047N08-F102

Trans MOSFET N-CH 75V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP047N08-F102

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 116A; Idm: 656A; 168W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 116A
Pulsed drain current: 656A
Power dissipation: 168W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 152nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 24 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

2+	199.64 грн
3+	173.35 грн
8+	132.66 грн
22+	125.64 грн
250+	121.24 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP047N08-F102

на замовлення 24 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	139.11 грн
8+	110.55 грн
22+	104.7 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDP047N08-F102

MOSFET PT3 75V

товар відсутній

FDP047N08-F102

Description: ONSEMI - FDP047N08-F102 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 13522 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	136.4 грн

Мінімальне замовлення: 800

FDP047N10

Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP047N10

Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 5 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	206.7 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDP047N10

Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 5 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDP047N10

MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench

на замовлення 4941 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	284.54 грн
10+	279.67 грн
25+	181.34 грн
100+	165.87 грн
250+	144.09 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP047N10

Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP047N10

Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15265 pF @ 25 V

на замовлення 102 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	319.33 грн
50+	243.7 грн
100+	208.9 грн

FDP050AN06A0

MOSFETs N-Channel PowerTrench

на замовлення 1524 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	221.4 грн
10+	175.4 грн
100+	125.11 грн
500+	106.13 грн
800+	90.67 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP050AN06A0

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 18A; 245W; TO220AB
Technology: PowerTrench®
Case: TO220AB
Mounting: THT
On-state resistance: 11mΩ
Kind of package: tube
Power dissipation: 245W
Gate charge: 80nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 18A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

FDP050AN06A0

товар відсутній

FDP050AN06A0

Description: MOSFET N-CH 60V 18A/80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V

на замовлення 896 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	205.28 грн
50+	158.8 грн
100+	130.66 грн
500+	103.75 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP050AN06A0

Description: ONSEMI - FDP050AN06A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0043 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

товар відсутній

FDP050AN06A0

Trans MOSFET N-CH 60V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP050AN06A0

Trans MOSFET N-CH 60V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP050AN06A0_Q

MOSFET N-Channel PowerTrench

товар відсутній

FDP053N08B-F102

Description: MOSFET N-CH 80V 75A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 146W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5960 pF @ 40 V

на замовлення 1540 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	148.26 грн
50+	114.4 грн
100+	94.13 грн
500+	74.75 грн
1000+	63.43 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDP053N08B-F102

Description: ONSEMI - FDP053N08B-F102 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

товар відсутній

FDP053N08B-F102

Trans MOSFET N-CH Si 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP053N08B-F102

MOSFETs Smart Power Module

на замовлення 991 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	159.08 грн
10+	126.09 грн
100+	89.97 грн
500+	76.61 грн
800+	61.43 грн
2400+	59.46 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDP053N08B-F102

Trans MOSFET N-CH Si 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP054N10

Trans MOSFET N-CH 100V 144A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP054N10

Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 203 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13280 pF @ 25 V

на замовлення 1676 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	361.14 грн
50+	275.36 грн
100+	236.02 грн
500+	196.89 грн
1000+	168.58 грн

FDP054N10

Description: ONSEMI - FDP054N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0046 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 120
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 263
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0046
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 3.5
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

товар відсутній

FDP054N10

Trans MOSFET N-CH 100V 144A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP054N10

MOSFETs 100V N-Chan PowerTrench MOSFET

на замовлення 1039 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	393.6 грн
10+	353.22 грн
25+	267.09 грн
100+	229.13 грн
250+	222.1 грн
500+	203.83 грн
1000+	173.61 грн

FDP060AN08

на замовлення 5589 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP060AN08A0

Description: MOSFET N-CH 75V 16A/80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 25 V

на замовлення 11656 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	198.44 грн
50+	151.47 грн
100+	129.84 грн
500+	108.31 грн
1000+	92.74 грн
2000+	87.33 грн
5000+	82.41 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP060AN08A0

Description: ONSEMI - FDP060AN08A0 - Leistungs-MOSFET, Kfz-Anwendungen, n-Kanal, 75 V, 80 A, 0.0048 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: 0
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: 0
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 255W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: 0
Rds(on)-Prüfspannung: 0
Betriebstemperatur, max.: 0
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	235.75 грн
10+	165.58 грн
100+	140.35 грн
500+	112.75 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDP060AN08A0

Trans MOSFET N-CH 75V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP060AN08A0

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 255W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 255W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 95nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 50 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

2+	238.43 грн
3+	206.19 грн
7+	151.99 грн
19+	144.09 грн
250+	141.45 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP060AN08A0

MOSFETs 75V 80a .6Ohms/VGS=1V

на замовлення 3922 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	216.48 грн
10+	203.69 грн
50+	146.9 грн
100+	125.81 грн
250+	125.11 грн
500+	101.91 грн
800+	89.97 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP060AN08A0

Trans MOSFET N-CH 75V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP060AN08A0

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	198.69 грн
3+	165.46 грн
7+	126.66 грн
19+	120.07 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP060AN08A0_Q

MOSFET

товар відсутній

FDP070AN06A0

Trans MOSFET N-CH 60V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP070AN06A0

на замовлення 770 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP070AN06A0

Trans MOSFET N-CH 60V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP070AN06A0

MOSFET N-Channel PwrTrench

на замовлення 852 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	182.86 грн
10+	150.34 грн
100+	103.32 грн
250+	102.62 грн
500+	76.61 грн
800+	68.67 грн
5600+	68.46 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP070AN06A0

Description: MOSFET N-CH 60V 15A/80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 175W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V

на замовлення 575 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	191.6 грн
10+	165.68 грн
100+	133.17 грн
500+	102.68 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP070AN06A0

Description: ONSEMI - FDP070AN06A0 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 785 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDP075N15A

FET 150V 7.5 MOHM TO220

товар відсутній

FDP075N15A

Description: MOSFET N-CH 150V 130A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7350 pF @ 75 V

товар відсутній

FDP075N15A-F032

Description: MOSFET N-CH 150V 130A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7350 pF @ 75 V

товар відсутній

FDP075N15A-F102

Trans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDP075N15A-F102

Trans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP075N15A-F102

Trans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 730 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

43+	282.63 грн

Мінімальне замовлення: 43

FDP075N15A-F102

Trans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 40 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	280.27 грн
10+	277.51 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDP075N15A-F102

Trans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 730 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	265.2 грн
10+	262.51 грн
50+	262.44 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDP075N15A-F102

Description: ONSEMI - FDP075N15A-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 130 A, 0.00625 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00625ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

на замовлення 794 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	480.96 грн
5+	454.94 грн
10+	428.92 грн
50+	330.93 грн
100+	276.41 грн
250+	271.01 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP075N15A-F102

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 92A; 333W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 92A
Power dissipation: 333W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

на замовлення 38 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	503.04 грн
3+	326.54 грн
8+	308.96 грн

FDP075N15A-F102

Trans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 5693 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

39+	311.72 грн
40+	308.58 грн
50+	257.07 грн
100+	231.93 грн
500+	212.6 грн
800+	202.03 грн

Мінімальне замовлення: 39

FDP075N15A-F102

Trans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 5693 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	289.45 грн
10+	286.54 грн
50+	238.71 грн
100+	215.36 грн
500+	197.41 грн
800+	187.59 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDP075N15A-F102

Description: MOSFET N-CH 150V 130A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7350 pF @ 75 V

на замовлення 620 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	310.2 грн
50+	238.74 грн
100+	221.22 грн

FDP075N15A-F102

Trans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 840 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	252.56 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP075N15A-F102

на замовлення 38 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	603.65 грн
3+	406.91 грн
8+	370.76 грн

FDP075N15A-F102

Trans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 40 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

40+	301.77 грн

Мінімальне замовлення: 40

FDP075N15A-F102

Trans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP075N15A-F102

MOSFETs 150V NChan PwrTrench

на замовлення 3069 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	333.74 грн
50+	282.09 грн

FDP075N15A_F102

MOSFET 150V NChan PwrTrench

товар відсутній

FDP075N15A_F102
Код товару: 154614

товар відсутній

FDP083N15A

onsemi FET 150V 8.3 MOHM TO220

товар відсутній

FDP083N15A

Description: MOSFET N-CH 150V 83A TO220-3

товар відсутній

FDP083N15A-F102

Description: ONSEMI - FDP083N15A-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 117 A, 0.00685 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 117A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 294W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00685ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 1447 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	383.19 грн
10+	281.48 грн
100+	241.27 грн
500+	194.02 грн
1000+	158.82 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDP083N15A-F102

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 294W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 83A
Power dissipation: 294W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

на замовлення 29 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	310.65 грн
4+	222.57 грн
11+	210.12 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP083N15A-F102

Trans MOSFET N-CH Si 150V 117A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

36+	336.86 грн
40+	307.53 грн
41+	294.54 грн
100+	248.45 грн
500+	200.3 грн
1000+	165.52 грн

Мінімальне замовлення: 36

FDP083N15A-F102

Trans MOSFET N-CH Si 150V 117A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 878 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	173.84 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP083N15A-F102

на замовлення 29 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	372.78 грн
4+	277.36 грн
11+	252.15 грн
100+	251.27 грн
250+	241.61 грн

FDP083N15A-F102

MOSFETs 150V N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET

на замовлення 9107 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	364.08 грн
10+	336.25 грн
50+	250.92 грн
100+	215.07 грн
500+	189.07 грн
800+	169.39 грн

FDP083N15A-F102

Description: MOSFET N-CH 150V 83A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6040 pF @ 25 V

на замовлення 5427 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	340.62 грн
50+	259.6 грн
100+	222.53 грн
500+	185.63 грн
1000+	158.94 грн
2000+	149.66 грн

FDP083N15A_F102

Trans MOSFET N-CH Si 150V 117A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP083N15A_F102

Trans MOSFET N-CH Si 150V 117A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1350 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

37+	325.97 грн
41+	294.25 грн
50+	277.78 грн
100+	225.29 грн
500+	188.59 грн
800+	159.51 грн
1000+	150.96 грн

Мінімальне замовлення: 37

FDP083N15A_F102

Trans MOSFET N-CH Si 150V 117A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP083N15A_F102

Trans MOSFET N-CH Si 150V 117A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1350 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	303.4 грн
10+	273.88 грн
50+	258.54 грн
100+	209.68 грн
500+	175.53 грн
800+	148.46 грн
1000+	140.51 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP085N10A

Description: MOSFET N-CH 100V 96A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 96A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2695 pF @ 50 V

товар відсутній

FDP085N10A-F102

Description: MOSFET N-CH 100V 96A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 96A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2695 pF @ 50 V

на замовлення 1733 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	196.92 грн
50+	152.7 грн
100+	125.64 грн
500+	99.77 грн
1000+	84.65 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP085N10A-F102

Trans MOSFET N-CH 100V 96A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP085N10A-F102

MOSFET 100V N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET

на замовлення 3803 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	212.38 грн
10+	173.78 грн
100+	120.19 грн
250+	114.57 грн
500+	100.51 грн
1000+	86.45 грн
2500+	82.94 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP085N10A-F102

Description: ONSEMI - FDP085N10A-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 96 A, 0.00735 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 96A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00735ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

на замовлення 1073 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	230.23 грн
10+	169.52 грн
100+	128.52 грн
500+	90.05 грн
1000+	81.77 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDP085N10A-F102

Trans MOSFET N-CH 100V 96A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP085N10A-F102

Trans MOSFET N-CH 100V 96A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP090N10

Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP090N10

Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP090N10

Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	148.44 грн
1000+	123.06 грн
2000+	122.69 грн

Мінімальне замовлення: 800

FDP090N10

Description: MOSFET N-CH 100V 75A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8225 pF @ 25 V

на замовлення 14360 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	170.31 грн
50+	130.01 грн
100+	111.44 грн
500+	102.29 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP090N10

TO-220 09+

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP090N10

Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

83+	146.27 грн
1000+	121.26 грн
2000+	120.89 грн

Мінімальне замовлення: 83

FDP090N10

MOSFETs 100V 75A N-Chan PowerTrench

на замовлення 8131 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	186.14 грн
50+	145.49 грн
100+	109.65 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP100N10

Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP100N10

Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP100N10

Description: MOSFET N-CH 100V 75A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 25 V

на замовлення 550 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	246.34 грн
50+	187.94 грн
100+	161.1 грн
500+	134.39 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP100N10

MOSFET 100V N-Channel PowerTrench

на замовлення 791 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	267.32 грн
10+	240.87 грн
50+	182.04 грн
100+	155.33 грн
500+	137.76 грн
800+	111.75 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP100N10

Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	136.63 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDP100N10

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 25 V

на замовлення 2970 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

159+	132.66 грн

Мінімальне замовлення: 159

FDP10AN06A0

Description: ONSEMI - FDP10AN06A0 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 5110 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

255+	103.29 грн

Мінімальне замовлення: 255

FDP10AN06A0

Description: MOSFET N-CH 60V 12A/75A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1840 pF @ 25 V

на замовлення 5110 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

211+	101.08 грн

Мінімальне замовлення: 211

FDP10N60NZ

Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP10N60NZ

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified

на замовлення 10506 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

229+	91.63 грн

Мінімальне замовлення: 229

FDP120AN15A0

Trans MOSFET N-CH 150V 2.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

товар відсутній

FDP120AN15A0

Description: MOSFET N-CH 150V 2.8A/14A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 25 V

на замовлення 13998 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

307+	69.76 грн

Мінімальне замовлення: 307

FDP120AN15A0

Description: ONSEMI - FDP120AN15A0 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 9998 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

369+	71.36 грн

Мінімальне замовлення: 369

FDP120N10

MOSFETs N Chan 100V 12Mohm

на замовлення 138 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	190.24 грн
10+	150.34 грн
100+	107.54 грн
500+	89.26 грн
800+	78.72 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP120N10

Description: MOSFET N-CH 100V 74A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 74A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5605 pF @ 25 V

на замовлення 1056 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	176.39 грн
50+	136.37 грн
100+	112.2 грн
500+	89.09 грн
1000+	75.59 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP120N10

Trans MOSFET N-CH 100V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP120N10

Trans MOSFET N-CH 100V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP120N10

Trans MOSFET N-CH 100V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP12N50

Description: MOSFET N-CH 500V 11.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1315 pF @ 25 V

товар відсутній

FDP12N50

Trans MOSFET N-CH 500V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP12N50

Description: ONSEMI - FDP12N50 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 11.5 A, 0.55 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 11.5
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 165
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 165
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.55
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

товар відсутній

FDP12N50

MOSFET 500V N-Channel

товар відсутній

FDP12N50

Description: MOSFET N-CH 500V 11.5A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1315 pF @ 25 V

на замовлення 304 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

304+	80.59 грн

Мінімальне замовлення: 304

FDP12N50NZ

Description: ONSEMI - FDP12N50NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 11.5 A, 0.46 ohm, TO-220
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 11.5
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 170
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 170
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET II
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.46
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.46
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	150.6 грн
10+	148.23 грн

Мінімальне замовлення: 6

FDP12N50NZ

MOSFET 500V N-Chan MOSFET UniFET-II

товар відсутній

FDP12N50NZ

Trans MOSFET N-CH 500V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP12N50NZ

Description: MOSFET N-CH 500V 11.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 5.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1235 pF @ 25 V

товар відсутній

FDP12N50NZ

Description: MOSFET N-CH 500V 11.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 5.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1235 pF @ 25 V

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDP12N50NZ

Trans MOSFET N-CH 500V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP12N60NZ

Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1676 pF @ 25 V

товар відсутній

FDP12N60NZ

Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP12N60NZ

MOSFET The factory is currently not accepting orders for this product.

товар відсутній

FDP13AN06A0

Trans MOSFET N-CH 60V 10.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP13AN06A0

на замовлення 2400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP13AN06A0

Description: ONSEMI - FDP13AN06A0 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

на замовлення 24718 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

369+	71.36 грн

Мінімальне замовлення: 369

FDP13AN06A0

Description: MOSFET N-CH 60V 10.9A/62A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Ta), 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V

на замовлення 24718 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

307+	74.51 грн

Мінімальне замовлення: 307

FDP13AN06A0_NL

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

товар відсутній

FDP13AN06A0

на замовлення 2080 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP14AN06LA0

Description: MOSFET N-CH 60V 10A/67A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 67A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 67A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V

товар відсутній

FDP14AN06LA0

на замовлення 780 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP14AN06LA0

Trans MOSFET N-CH 60V 10A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail

товар відсутній

FDP14AN06LA0

на замовлення 14481 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

109+	197.71 грн

Мінімальне замовлення: 109

FDP150N10

Trans MOSFET N-CH 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP150N10

Description: MOSFET N-CH 100V 57A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 49A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4760 pF @ 25 V

на замовлення 4276 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	181.71 грн
50+	140.73 грн
100+	115.8 грн
500+	91.95 грн
1000+	78.02 грн
2000+	74.12 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP150N10

Trans MOSFET N-CH 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP150N10

MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	197.62 грн
10+	156.81 грн
100+	111.75 грн
250+	103.32 грн
500+	94.18 грн
800+	81.53 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP150N10A

onsemi FET 100V 15.0 MOHM TO220

товар відсутній

FDP150N10A

Description: MOSFET N-CH 100V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 50 V

товар відсутній

FDP150N10A-F102

на замовлення 670 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP150N10A-F102

Description: ONSEMI - FDP150N10A-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.0125 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 91W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 774 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	211.31 грн
10+	149.81 грн
100+	122.21 грн
500+	90.05 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDP150N10A-F102

Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP150N10A-F102

Description: MOSFET N-CH 100V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 50 V

на замовлення 7811 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	177.91 грн
50+	137.25 грн
100+	112.92 грн
500+	89.67 грн
1000+	76.08 грн
2000+	72.28 грн
5000+	68.42 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP150N10A-F102
Код товару: 150159

Транзистори > Біполярні NPN

товар відсутній

FDP150N10A-F102

Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP150N10A-F102

MOSFETs N-Channel PwrTrench 100V 50A 15mOhm

на замовлення 11890 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	192.7 грн
10+	157.62 грн
100+	108.94 грн
250+	100.51 грн
500+	91.37 грн
800+	79.42 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP150N10A-F102

Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube

товар відсутній

FDP15N40

MOSFET 400V N-Channel

товар відсутній

FDP15N40

Trans MOSFET N-CH 400V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP15N40

Description: ONSEMI - FDP15N40 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 15 A, 0.24 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400
Dauer-Drainstrom Id: 15
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 170
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 170
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.24
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

товар відсутній

FDP15N40

Description: MOSFET N-CH 400V 15A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 25 V

товар відсутній

FDP15N50

Description: MOSFET N-CH 500V 15A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V

товар відсутній

FDP15N50

Description: ONSEMI - FDP15N50 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 5253 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

163+	163.21 грн

Мінімальне замовлення: 163

FDP15N50

Description: MOSFET N-CH 500V 15A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25

на замовлення 5253 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

135+	156.68 грн

Мінімальне замовлення: 135

FDP15N50

MOSFET 15a 500V N-Ch SMPS Power MOSFET

товар відсутній

FDP15N50F102

Description: 15A, 500V, 0.38OHM, N CHANNEL ,
Packaging: Bulk
Part Status: Active

товар відсутній

FDP15N65

Description: MOSFET N-CH 650V 15A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3095 pF @ 25 V

товар відсутній

FDP15N65

MOSFETs SINGLE N-CH 500V .38OHM SMPS PWR

товар відсутній

FDP16AN08A0

Description: ONSEMI - FDP16AN08A0 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 1255 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	62.13 грн

Мінімальне замовлення: 800

FDP16AN08A0

Trans MOSFET N-CH 75V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1395 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

146+	82.66 грн
155+	77.84 грн
169+	71.65 грн
250+	65.64 грн

Мінімальне замовлення: 146

FDP16AN08A0

MOSFET 75V 58a 0.016 Ohms/VGS=10V

на замовлення 920 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	109.88 грн
10+	95.38 грн
100+	69.3 грн
250+	66.7 грн
500+	62.13 грн
1000+	55.39 грн
2500+	55.17 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDP16AN08A0

Trans MOSFET N-CH 75V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP16AN08A0

Trans MOSFET N-CH 75V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1395 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	76.75 грн
10+	72.28 грн
100+	66.53 грн
250+	60.95 грн

Мінімальне замовлення: 8

FDP16AN08A0

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 44A; 135W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 44A
Power dissipation: 135W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

FDP16AN08A0

товар відсутній

FDP16AN08A0

Description: MOSFET N-CH 75V 9A/58A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 58A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1857 pF @ 25 V

на замовлення 766 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	132.29 грн
50+	102.12 грн
100+	84.04 грн
500+	66.73 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDP16AN08A0

Trans MOSFET N-CH 75V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP16N50

Description: MOSFET N-CH 500V 16A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1945 pF @ 25 V

на замовлення 14108 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

231+	90.93 грн

Мінімальне замовлення: 231

FDP18N20F

Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 25 V

товар відсутній

FDP18N20F

Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 47 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDP18N20F

Description: ONSEMI - FDP18N20F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.12 ohm, TO-220
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 18
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 100
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 100
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET FRFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.12
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

товар відсутній

FDP18N20F

Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 47 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	71.73 грн
10+	65.38 грн

Мінімальне замовлення: 9

FDP18N20F

MOSFET 200V N-Channel

на замовлення 18 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	127.92 грн
10+	113.97 грн
100+	76.61 грн
500+	63.47 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDP18N20F

Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP18N50

Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 265mOhm; 18A; 235W; -55°C ~ 150°C; FDP18N50 TFDP18n50
кількість в упаковці: 5 шт

на замовлення 25 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

5+	123.45 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDP18N50

Trans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 808 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

57+	213.52 грн

Мінімальне замовлення: 57

FDP18N50

Description: ONSEMI - FDP18N50 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 18 A, 0.265 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 235W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.265ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 13140 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	232.6 грн
10+	145.08 грн
100+	128.52 грн
500+	118.61 грн
1000+	94.62 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDP18N50

MOSFETs 500V N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 5472 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	205.82 грн
10+	198.84 грн
50+	121.59 грн
100+	108.94 грн
1000+	88.56 грн
5000+	85.75 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP18N50

Trans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP18N50

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 235W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 235W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

на замовлення 103 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	158.14 грн
8+	121.54 грн
20+	114.95 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDP18N50

Trans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 4820 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

64+	188.53 грн
67+	181.61 грн
94+	128.24 грн
102+	114.84 грн
500+	93.81 грн
1000+	85.04 грн

Мінімальне замовлення: 64

FDP18N50

на замовлення 103 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

2+	226.13 грн
3+	197.07 грн
8+	145.84 грн
20+	137.94 грн
250+	131.79 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP18N50

Trans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 808 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	198.27 грн
10+	189.98 грн
50+	123.87 грн
100+	109.59 грн
500+	87.68 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDP18N50

Description: MOSFET N-CH 500V 18A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 265mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 235W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2860 pF @ 25 V

на замовлення 375 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	188.55 грн
50+	144.35 грн
100+	123.72 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP18N50

Trans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 4821 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	175.27 грн
10+	168.84 грн
50+	119.22 грн
100+	106.77 грн
500+	87.21 грн
1000+	79.06 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDP18N50

Trans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP19N40

Description: MOSFET N-CH 400V 19A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 215W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2115 pF @ 25 V

товар відсутній

FDP19N40

Description: ONSEMI - FDP19N40 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

товар відсутній

FDP19N40

MOSFET UniFET, 400V

товар відсутній

FDP19N40

Trans MOSFET N-CH 400V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP19N40

Description: MOSFET N-CH 400V 19A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 215W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2115 pF @ 25 V

на замовлення 350 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

197+	108.47 грн

Мінімальне замовлення: 197

FDP1XSZAM63R262X

CONEC

D-Sub Standard Connectors

товар відсутній

FDP20AN06A0

Trans MOSFET N-CH 60V 9A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP20AN06A0

Description: MOSFET N-CH 60V 45A TO-220AB

товар відсутній

FDP20N40

MOSFET 20a 400V N-Ch SMPS Power MOSFET

товар відсутній

FDP20N50

Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP20N50

Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3120 pF @ 25 V

товар відсутній

FDP20N50

Description: ONSEMI - FDP20N50 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 20 A, 0.23 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

на замовлення 853 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	309.08 грн
10+	246 грн
100+	188.44 грн
500+	125.2 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDP20N50

Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

42+	291.38 грн
45+	269.29 грн
49+	248.04 грн
52+	226.17 грн
100+	199.19 грн
500+	184.56 грн

Мінімальне замовлення: 42

FDP20N50

MOSFETs 500V NCH UNIFET MOSFET

товар відсутній

FDP20N50

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

FDP20N50

Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	270.56 грн
10+	250.06 грн
25+	230.32 грн
50+	210.02 грн
100+	184.96 грн
500+	171.38 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDP20N50F

Description: ONSEMI - FDP20N50F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 20 A, 0.22 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 440 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	247.58 грн
10+	174.25 грн
100+	148.23 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDP20N50F

Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP20N50F

MOSFETs 500V N-Channel

на замовлення 2363 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	227.96 грн
10+	219.85 грн
50+	154.63 грн
100+	132.84 грн
250+	131.43 грн
500+	120.89 грн
1000+	104.73 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP20N50F

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; Idm: 80A; 250W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

FDP20N50F

товар відсутній

FDP20N50F

Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP20N50F

Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3390 pF @ 25 V

на замовлення 166 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	209.08 грн
50+	159.83 грн
100+	136.99 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP20N50F

Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP20N50F
Код товару: 190678

товар відсутній

FDP22N50N

Trans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 700 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	226.46 грн
10+	202.36 грн
100+	175.06 грн
500+	151.65 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDP22N50N

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13.2A; 312.5W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13.2A
Power dissipation: 312.5W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

на замовлення 43 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	243.63 грн
6+	164 грн
15+	155.21 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP22N50N

на замовлення 43 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	292.36 грн
6+	204.37 грн
15+	186.26 грн
250+	179.23 грн

FDP22N50N

Trans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 825 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	132.02 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDP22N50N

Description: MOSFET N-CH 500V 22A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 312.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V

на замовлення 964 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	257.74 грн
50+	196.57 грн
100+	168.49 грн
500+	140.55 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP22N50N

Trans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP22N50N

Trans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 236 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

57+	212.87 грн
62+	197.2 грн
100+	177.68 грн

Мінімальне замовлення: 57

FDP22N50N
Код товару: 60060

товар відсутній

FDP22N50N

Description: ONSEMI - FDP22N50N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 22 A, 0.185 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 22
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 312.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 312.5
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.185
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

на замовлення 879 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	256.25 грн
10+	231.02 грн
100+	189.23 грн
500+	149.36 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDP22N50N

MOSFETs UniFETII 500V 22A

на замовлення 2663 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	280.44 грн
10+	252.19 грн
50+	191.18 грн
100+	163.77 грн
250+	158.85 грн
500+	145.49 грн
1000+	128.62 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP22N50N

Trans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 236 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	197.67 грн
10+	183.12 грн
100+	164.98 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDP24AN06LA0

Fairchild

на замовлення 5200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP24AN06LA0

Description: MOSFET N-CH 60V 40A TO-220AB

товар відсутній

FDP24N40

Description: ONSEMI - FDP24N40 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 24 A, 0.14 ohm, TO-220
Drain-Source-Spannung Vds: 400
Dauer-Drainstrom Id: 24
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 227
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 227
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

товар відсутній

FDP24N40

Trans MOSFET N-CH 400V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

49+	248.55 грн
61+	200.02 грн
100+	180.33 грн
500+	148.55 грн

Мінімальне замовлення: 49

FDP24N40

TO220 09+

на замовлення 50 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP24N40

MOSFET 400V N-Channel

товар відсутній

FDP24N40

Description: MOSFET N-CH 400V 24A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 25 V

товар відсутній

FDP24N40

Trans MOSFET N-CH 400V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	230.8 грн
10+	185.73 грн
100+	167.45 грн
500+	137.94 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDP24N40

Trans MOSFET N-CH 400V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP24N40

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP2532

MOSFETs 150V NCh UltraFET Power Trench

на замовлення 609 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	277.98 грн
10+	240.06 грн
50+	189.07 грн
100+	162.36 грн
500+	144.79 грн
800+	138.46 грн
5600+	127.22 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP2532

Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP2532

Description: MOSFET N-CH 150V 8A/79A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5870 pF @ 25 V

на замовлення 1861 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	255.46 грн
50+	194.6 грн
100+	166.81 грн
500+	139.15 грн
1000+	119.15 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP2532
Код товару: 44129

Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-263AB
Uds,V: 150 V
Idd,A: 79 A
Rds(on), Ohm: 0,016 Ohm
Монтаж: SMD

товар відсутній

FDP2532

Transistor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 48mOhm; 79A; 310W; -55°C ~ 175°C; FDP2532 TFDP2532
кількість в упаковці: 5 шт

на замовлення 20 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

5+	165.84 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDP2532

Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 3611 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	233.99 грн
10+	208.89 грн
50+	194.29 грн
100+	162.99 грн
500+	136.65 грн
800+	107.72 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDP2532

Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 11 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	131.2 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDP2532

Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP2532

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 56A; 310W; TO220AB
Mounting: THT
Drain-source voltage: 150V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Gate charge: 107nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Drain current: 56A
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 310W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 44 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	288.58 грн
6+	204.37 грн
15+	186.26 грн
500+	181.86 грн

FDP2532

Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 3608 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

49+	251.02 грн
54+	224.09 грн
58+	208.43 грн
100+	174.86 грн
500+	146.6 грн
800+	115.55 грн

Мінімальне замовлення: 49

FDP2532

на замовлення 44 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	240.48 грн
6+	164 грн
15+	155.21 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP2532

Description: ONSEMI - FDP2532 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 79 A, 0.014 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 1404 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	313.02 грн
10+	229.44 грн
100+	186.87 грн
500+	147.16 грн
1000+	133.14 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDP2532

Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 390 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

42+	288.57 грн
49+	250.64 грн
53+	229.67 грн
100+	186.98 грн

Мінімальне замовлення: 42

FDP2532

Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 390 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	267.96 грн
10+	232.74 грн
50+	213.26 грн
100+	173.63 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDP2552

Trans MOSFET N-CH 150V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1700 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	148.98 грн
10+	136.56 грн
100+	116.09 грн
500+	95.43 грн
1000+	75.02 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDP2552

Trans MOSFET N-CH 150V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1450 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	68.96 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDP2552

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 26A; 150W; TO220AB
Mounting: THT
Drain-source voltage: 150V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Kind of channel: enhanced
Drain current: 26A
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 97mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar

товар відсутній

FDP2552

Trans MOSFET N-CH 150V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP2552

MOSFETs 150V N-Ch UltraFET Trench

на замовлення 908 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	162.36 грн
10+	133.37 грн
100+	92.07 грн
250+	85.05 грн
500+	77.31 грн
800+	67.33 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDP2552

Description: MOSFET N-CH 150V 5A/37A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V

на замовлення 350 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	149.02 грн
50+	115.49 грн
100+	95.02 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDP2552

товар відсутній

FDP2552_NL

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V

товар відсутній

FDP2552_NL

на замовлення 1717 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP2552_Q

MOSFET

товар відсутній

FDP2570

MOSFETs TO-220 N-CH 150V 22A

товар відсутній

FDP2570

Description: MOSFET N-CH 150V 22A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1911 pF @ 75 V

товар відсутній

FDP2570_Q

MOSFETs

товар відсутній

FDP2572

MOSFETs TO-220 N-CH 150V 29A

на замовлення 468 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	171.38 грн
10+	135.79 грн
100+	97.7 грн
250+	92.07 грн
500+	88.56 грн
800+	70.29 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP2572

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 20A; 135W; TO220AB
Mounting: THT
Drain-source voltage: 150V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Gate charge: 34nC
Kind of channel: enhanced
Drain current: 20A
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 146mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 135W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

FDP2572

Trans MOSFET N-CH 150V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 650 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

80+	152.03 грн
100+	121.6 грн
500+	99.28 грн

Мінімальне замовлення: 80

FDP2572

Description: MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V

на замовлення 206 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	157.38 грн
50+	121.62 грн
100+	100.07 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP2572

09+ TO220

на замовлення 50 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP2572

Trans MOSFET N-CH 150V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP2572

Trans MOSFET N-CH 150V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 254 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDP2572

Trans MOSFET N-CH 150V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 650 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

50+	154.88 грн
100+	123.88 грн
500+	101.15 грн

Мінімальне замовлення: 50

FDP2572

товар відсутній

FDP2572

09+ PLCC-44

на замовлення 850 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP2614

Trans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP2614

Description: MOSFET N-CH 200V 62A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7230 pF @ 25 V

на замовлення 9517 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	326.93 грн
50+	249.53 грн
100+	213.89 грн
500+	178.42 грн
1000+	152.77 грн
2000+	143.85 грн

FDP2614

Trans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP2614

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 39.3A; 260W; TO220-3
Mounting: THT
Case: TO220-3
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 39.3A
On-state resistance: 27mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 260W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 99nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 82 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	396.44 грн
3+	343.96 грн
4+	264.45 грн
11+	249.51 грн
250+	240.73 грн

FDP2614

Trans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 60 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	266.62 грн
10+	253.56 грн
50+	232.52 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDP2614

на замовлення 82 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	330.37 грн
3+	276.02 грн
4+	220.38 грн
11+	207.93 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP2614

MOSFETs 200V N-Channel PowerTrench

на замовлення 2353 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	264.04 грн
10+	255.42 грн
50+	194.69 грн
100+	176.42 грн
250+	174.31 грн
500+	164.47 грн
800+	148.3 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP2614

Trans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 60 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

42+	287.13 грн
45+	273.06 грн
50+	250.4 грн

Мінімальне замовлення: 42

FDP2614

на замовлення 3960 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP2670

Description: ONSEMI - FDP2670 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 6893 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

228+	115.9 грн

Мінімальне замовлення: 228

FDP2670

Description: MOSFET N-CH 200V 19A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 100 V

на замовлення 6893 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

189+	111.6 грн

Мінімальне замовлення: 189

FDP26N40

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 15.6A; 265W; TO220-3
Mounting: THT
Case: TO220-3
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 15.6A
On-state resistance: 0.16Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 265W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V

товар відсутній

FDP26N40

MOSFET 400V N-Channel

на замовлення 2747 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	233.7 грн
10+	207.73 грн
25+	170.09 грн
100+	147.6 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP26N40

Description: MOSFET N-CH 400V 26A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 265W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3185 pF @ 25 V

на замовлення 164 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	199.2 грн
10+	160.85 грн
100+	130.09 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP26N40

Fairchild

Transistor N-Channel MOSFET; 400V; 30V; 160mOhm; 26A; 265W; -55°C ~ 150°C; FDP26N40 TFDP26n40
кількість в упаковці: 5 шт

на замовлення 10 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

5+	131.05 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDP26N40

Trans MOSFET N-CH 400V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP26N40

товар відсутній

FDP2710

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 31.3A; 260W; TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 31.3A
On-state resistance: 36.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 260W
Case: TO220-3
Gate charge: 78nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 17 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	323.58 грн
5+	231.74 грн
13+	211.74 грн
100+	202.95 грн

FDP2710

Trans MOSFET N-CH 250V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP2710

Trans MOSFET N-CH 250V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP2710

на замовлення 17 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	269.65 грн
5+	185.96 грн
13+	176.45 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP2710

MOSFET 250V N-Channel PowerTrench

на замовлення 973 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	313.24 грн
10+	290.17 грн
50+	211.56 грн
100+	182.04 грн
250+	175.71 грн
500+	135.65 грн
800+	131.43 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP2710

Description: MOSFET N-CH 250V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7280 pF @ 25 V

на замовлення 955 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	295 грн
50+	224.81 грн
100+	192.69 грн
500+	160.74 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP2710-F085

Trans MOSFET N-CH 250V 50A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP2710-F085

MOSFET 250V NCHAN PwrTrench

на замовлення 558 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDP2710-F085

Description: MOSFET N-CH 250V 4A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 403W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5690 pF @ 25 V

товар відсутній

FDP2710-F085

на замовлення 760 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP2710-F085

Trans MOSFET N-CH 250V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP2710_F085

Description: 4A, 250V, 0.047OHM, N-CHANNEL ,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 403W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5690 pF @ 25 V

товар відсутній

FDP2710_SN00168

Description: 1-ELEMENT, N-CHANNEL
Packaging: Bulk

товар відсутній

FDP2710_SW82258

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7280 pF @ 25 V

товар відсутній

FDP2D3N10C

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 157A; Idm: 888A; 214W; TO220-3
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 157A
On-state resistance: 2.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 214W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 152nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 888A
Mounting: THT
Case: TO220-3

товар відсутній

FDP2D3N10C

товар відсутній

FDP2D3N10C

Trans MOSFET N-CH 100V 222A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP2D3N10C

Trans MOSFET N-CH 100V 222A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP2D3N10C

Description: MOSFET N-CH 100V 222A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 222A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11180 pF @ 50 V

на замовлення 162544 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	434.13 грн
50+	333.78 грн
100+	298.65 грн
500+	247.3 грн
1000+	222.57 грн
2000+	208.55 грн

FDP2D3N10C

MOSFETs PTNG 100/20V inTO220 3L JEDEC GREEN EMC

на замовлення 511 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	473.14 грн
10+	399.29 грн
25+	314.88 грн
100+	289.58 грн
250+	272.71 грн
500+	255.84 грн
800+	229.83 грн

FDP2D3N10C

Description: ONSEMI - FDP2D3N10C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 222 A, 0.0021 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 222A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 754 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	500.67 грн
5+	445.48 грн
10+	390.29 грн
50+	343.38 грн
100+	278.44 грн
250+	268.98 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP2D9N12C

N-Channel Shielded Gate Power Trench MOSFET 120 V, 2.9 mW, 210 A, Single N-Channel

товар відсутній

FDP2D9N12C

Description: PTNG 120V N-FET TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 210A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 686µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8894 pF @ 60 V

товар відсутній

FDP2D9N12C

MOSFETs PTNG 120V N-FET

на замовлення 402 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	468.22 грн
10+	395.25 грн
25+	312.07 грн
100+	286.06 грн
250+	269.9 грн
500+	253.03 грн
800+	227.02 грн

FDP2XPZAM63R262X

CONEC

D-Sub Standard Connectors

товар відсутній

FDP2XSZAM63R262X

CONEC

D-Sub Standard Connectors

товар відсутній

FDP3205

Description: MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 59A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7730 pF @ 25 V

товар відсутній

FDP3205

Description: ONSEMI - FDP3205 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 2301 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

306+	86.73 грн

Мінімальне замовлення: 306

FDP3205

на замовлення 2301 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

254+	89.72 грн

Мінімальне замовлення: 254

FDP33N25

Trans MOSFET N-CH 250V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP33N25

Description: ONSEMI - FDP33N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 33 A, 0.094 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 235W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.094ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 1644 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	166.37 грн
10+	123.79 грн
100+	96.98 грн
500+	76.14 грн
1000+	61.5 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDP33N25

Description: MOSFET N-CH 250V 33A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 235W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2135 pF @ 25 V

на замовлення 654 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	139.9 грн
50+	108.39 грн
100+	89.19 грн
500+	70.82 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDP33N25

MOSFETs 250V N-Channel MOSFET

на замовлення 2711 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	152.52 грн
10+	121.24 грн
100+	87.15 грн
500+	73.1 грн
1000+	59.32 грн
3000+	59.04 грн
5000+	57.14 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDP33N25

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 20.4A; Idm: 132A; 235W
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 235W
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 48nC
On-state resistance: 94mΩ
Kind of channel: enhanced
Drain current: 20.4A
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 132A
Drain-source voltage: 250V
Case: TO220AB
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 83 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

2+	157.06 грн
10+	128.64 грн
11+	100.16 грн
29+	94.89 грн
250+	91.37 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP33N25
Код товару: 107817

товар відсутній

FDP33N25

Trans MOSFET N-CH 250V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 550 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	64.45 грн

Мінімальне замовлення: 6

FDP33N25

на замовлення 83 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	130.88 грн
10+	103.23 грн
11+	83.46 грн
29+	79.07 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDP33N25

на замовлення 580 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP34N33

Description: MOSFET N-CH 330V 34A TO-220

товар відсутній

FDP3632

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12A; 310W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12A
Power dissipation: 310W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 25 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	288.58 грн
3+	250.9 грн
6+	185.38 грн
16+	174.84 грн

FDP3632

Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP3632

Description: MOSFET N-CH 100V 12A/80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V

на замовлення 1477 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	244.82 грн
50+	186.89 грн
100+	160.19 грн
500+	133.63 грн
1000+	114.42 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP3632

на замовлення 25 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	240.48 грн
3+	201.34 грн
6+	154.48 грн
16+	145.7 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP3632

Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP3632

MOSFET 100V 80a .9 Ohms/VGS=1V

на замовлення 1545 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	263.22 грн
10+	248.14 грн
50+	179.23 грн
100+	153.93 грн
500+	136.35 грн
800+	120.89 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP3632 (TO-220AB)
Код товару: 52946

товар відсутній

FDP3632_NL

на замовлення 19219 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP3651U

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP3651U

Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5522 pF @ 25 V

на замовлення 769 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	159.66 грн
50+	123.29 грн
100+	101.45 грн
500+	80.56 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP3651U

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 255W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 255W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 9.8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

FDP3651U

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP3651U

товар відсутній

FDP3651U

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP3651U

MOSFETs 100V 80A 18 mOHM NCH POWER TREN

на замовлення 1081 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	144.32 грн
10+	120.43 грн
100+	88.56 грн
500+	80.83 грн
800+	66.7 грн
2400+	64.94 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDP3651U

Description: ONSEMI - FDP3651U - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.018 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 255W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 502 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	182.13 грн
10+	134.83 грн
100+	108.02 грн
500+	86.39 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDP3651U

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 399 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

102+	119.07 грн
113+	107.19 грн
127+	95.14 грн

Мінімальне замовлення: 102

FDP3651U
Код товару: 144911

товар відсутній

FDP3651U

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 399 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	110.56 грн
10+	99.54 грн
100+	88.34 грн

Мінімальне замовлення: 6

FDP3652

MOSFET 100V 61a 0.016 Ohm

на замовлення 352 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	139.4 грн
10+	113.97 грн
100+	79.42 грн
250+	75.91 грн
500+	71.69 грн
800+	57.35 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDP3652

Trans MOSFET N-CH 100V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP3652

Trans MOSFET N-CH 100V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	114.05 грн
10+	94.74 грн
100+	79.49 грн
250+	74.73 грн
500+	67.07 грн
800+	48.49 грн

Мінімальне замовлення: 6

FDP3652

Trans MOSFET N-CH 100V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP3652

Trans MOSFET N-CH 100V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	59.12 грн

Мінімальне замовлення: 6

FDP3652

Description: MOSFET N-CH 100V 9A/61A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 61A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V

на замовлення 575 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	130.01 грн
10+	104.11 грн
100+	82.89 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDP3652

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 43A; 150W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 43A
Power dissipation: 150W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

FDP3652

Trans MOSFET N-CH 100V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1596 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

99+	122.96 грн
119+	102.13 грн
141+	85.7 грн
250+	80.56 грн
500+	72.31 грн
800+	52.28 грн

Мінімальне замовлення: 99

FDP3652

товар відсутній

FDP3652_NL

на замовлення 14881 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP3652_Q

MOSFET 100V 61a 0.016 Ohm

товар відсутній

FDP3672

05+06+

на замовлення 24350 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP3672

Trans MOSFET N-CH 105V 5.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP3672

Description: MOSFET N-CH 105V 5.9A/41A TO220

на замовлення 2267 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDP3672

MOSFET 105V 41a 0.033 Ohms/VGS=10V

на замовлення 539 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	144.32 грн
10+	113.97 грн
100+	80.83 грн
500+	68.67 грн
800+	55.6 грн
5600+	53.91 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDP3672

Description: ONSEMI - FDP3672 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

на замовлення 9651 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	63.39 грн

Мінімальне замовлення: 800

FDP3672

FDP3672 THT N channel transistors

товар відсутній

FDP3672

Trans MOSFET N-CH 105V 5.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP3682

Trans MOSFET N-CH 100V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 796 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	110.06 грн
10+	102.82 грн
25+	81.73 грн
100+	78.03 грн
500+	66.94 грн

Мінімальне замовлення: 6

FDP3682

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 23A; 95W; TO220-3
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 23A
On-state resistance: 90mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 95W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220-3
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 76 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

2+	144.76 грн
3+	127.73 грн
10+	108.94 грн
12+	92.25 грн
31+	86.98 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP3682

на замовлення 76 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	102.5 грн
10+	90.79 грн
12+	76.88 грн
31+	72.48 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDP3682

Trans MOSFET N-CH 100V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1050 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

139+	86.73 грн

Мінімальне замовлення: 139

FDP3682
Код товару: 107819

товар відсутній

FDP3682

Trans MOSFET N-CH 100V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP3682

Trans MOSFET N-CH 100V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 796 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

102+	118.53 грн
109+	110.73 грн
137+	88.02 грн
139+	84.03 грн
500+	72.09 грн

Мінімальне замовлення: 102

FDP3682

Trans MOSFET N-CH 100V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP3682

Description: MOSFET N-CH 100V 6A/32A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 25 V

на замовлення 7161 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	145.98 грн
10+	126.51 грн
100+	101.69 грн
500+	78.4 грн
1000+	64.96 грн
2000+	60.48 грн
5000+	57.29 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDP3682

Trans MOSFET N-CH 100V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	73.77 грн

Мінімальне замовлення: 500

FDP3682

MOSFETs 100V 32a .36Ohm/VGS=1V

на замовлення 21538 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	86.92 грн
10+	73.15 грн
100+	57.42 грн
500+	54.82 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDP3682

Description: ONSEMI - FDP3682 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 32 A, 0.032 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 32
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 95
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 95
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.032
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

товар відсутній

FDP3682_Q

MOSFET 100V 32a .36Ohm/VGS=1V

товар відсутній

FDP39N20

Trans MOSFET N-CH 200V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 325 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	225.65 грн
10+	202 грн
25+	193.19 грн
100+	103.33 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDP39N20

MOSFET SINGLE N-CH 200V ULTRAFET TRENCH

на замовлення 887 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	235.34 грн
10+	209.35 грн
25+	171.5 грн
100+	149.01 грн
500+	126.51 грн
1000+	106.13 грн
2000+	99.81 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP39N20

Trans MOSFET N-CH 200V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP39N20

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 19.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 251W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2130 pF @ 25 V

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

189+	110.59 грн

Мінімальне замовлення: 189

FDP39N20

Trans MOSFET N-CH 200V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 325 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

50+	243.01 грн
56+	217.53 грн
58+	208.05 грн
105+	111.28 грн

Мінімальне замовлення: 50

FDP39N20

Description: ONSEMI - FDP39N20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 39 A, 0.056 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 39
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 251
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 251
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.056
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

товар відсутній

FDP39N20

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP4020P

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP4020P

Trans MOSFET P-CH 20V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 T/R

товар відсутній

FDP4020P

Description: MOSFET P-CH 20V 16A TO-220AB

товар відсутній

FDP4030L

Description: ONSEMI - FDP4030L - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 6570 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

494+	53.14 грн

Мінімальне замовлення: 494

FDP4030L

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 37.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 365 pF @ 15 V

на замовлення 6570 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

410+	52.64 грн

Мінімальне замовлення: 410

FDP42AN15A0

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 24A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 24A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.107Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 98 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

2+	194.91 грн
9+	129.56 грн
23+	117.73 грн
250+	115.97 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP42AN15A0
Код товару: 111207

товар відсутній

FDP42AN15A0

Description: MOSFET N-CH 150V 5A/35A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 25 V

на замовлення 848 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	174.11 грн
50+	134.67 грн
100+	110.81 грн
500+	87.99 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP42AN15A0

Trans MOSFET N-CH 150V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP42AN15A0

Transistor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 107mOhm; 30A; 150W; -55°C ~ 175°C; FDP42AN15A0 TFDP42an15a0
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 15 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

20+	49.28 грн

Мінімальне замовлення: 20

FDP42AN15A0

Trans MOSFET N-CH 150V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP42AN15A0

MOSFETs 150V 35a .42 Ohms/VGS=1V

на замовлення 16919 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	187.78 грн
10+	148.72 грн
100+	106.13 грн
250+	100.51 грн
500+	81.53 грн
800+	70 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP42AN15A0

на замовлення 98 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	162.42 грн
9+	103.96 грн
23+	98.11 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDP42AN15A0_Q

MOSFETs 150V 35a .42 Ohms/VGS=1V

товар відсутній

FDP42AN15AO

на замовлення 1080 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP46N30

на замовлення 580 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP4D5N10C

Trans MOSFET N-CH 100V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 728 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

58+	210.54 грн

Мінімальне замовлення: 58

FDP4D5N10C

Trans MOSFET N-CH 100V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP4D5N10C

Trans MOSFET N-CH 100V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP4D5N10C

на замовлення 356 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP4D5N10C

Trans MOSFET N-CH 100V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 728 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	195.5 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDP4D5N10C

Description: ONSEMI - FDP4D5N10C - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 3452 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	223.13 грн

Мінімальне замовлення: 800

FDP4D5N10C

Description: MOSFET N-CH 100V 128A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 128A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 310µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5065 pF @ 50 V

на замовлення 573 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	416.65 грн
50+	318.04 грн
100+	272.62 грн
500+	227.41 грн

FDP4D5N10C

Trans MOSFET N-CH 100V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP4D5N10C

MOSFET FET 100V 128A 4.5 mOhm

на замовлення 48 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	410.82 грн
10+	345.14 грн
50+	290.98 грн
100+	247.41 грн
250+	239.67 грн
500+	222.1 грн
800+	186.26 грн

FDP51N25

Description: ONSEMI - FDP51N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 51 A, 0.048 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 320W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

на замовлення 3241 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	234.96 грн
10+	162.42 грн
100+	137.98 грн
500+	108.36 грн
1000+	84.48 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDP51N25

Description: MOSFET N-CH 250V 51A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 320W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3410 pF @ 25 V

на замовлення 995 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	196.92 грн
50+	152.53 грн
100+	125.5 грн
500+	99.66 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP51N25

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 30A; 320W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 30A
Power dissipation: 320W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

FDP51N25

MOSFET 250V N-Channel MOSFET

на замовлення 8912 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	216.48 грн
10+	166.51 грн
100+	123 грн
500+	104.02 грн
1000+	87.86 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP51N25

Transistor N-Channel MOSFET; 250V; 30V; 60mOhm; 51A; 320W; -55°C ~ 150°C; FDP51N25 TFDP51n25
кількість в упаковці: 5 шт

на замовлення 20 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

10+	96.96 грн

Мінімальне замовлення: 10

FDP51N25

Trans MOSFET N-CH 250V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP51N25

Trans MOSFET N-CH 250V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 3600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	89.38 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDP51N25

товар відсутній

FDP52N20

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 33A; 357W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 33A
Power dissipation: 357W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 49mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

на замовлення 98 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	158.48 грн
9+	96.64 грн
25+	91.52 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDP52N20

MOSFET 200V N-CHANNEL MOSFET

на замовлення 1616 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	185.32 грн
10+	146.3 грн
100+	105.43 грн
500+	88.56 грн
1000+	74.5 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP52N20

на замовлення 98 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

2+	190.18 грн
9+	120.43 грн
25+	109.82 грн
500+	105.43 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP52N20

Trans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP52N20

Trans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP52N20
Код товару: 129721

товар відсутній

FDP52N20

Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 30V; 49mOhm; 52A; 357W; -55°C ~ 150°C; FDP52N20 TFDP52n20
кількість в упаковці: 5 шт

на замовлення 50 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

10+	86.36 грн

Мінімальне замовлення: 10

FDP52N20

Description: ONSEMI - FDP52N20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 52 A, 0.041 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

товар відсутній

FDP52N20

Description: MOSFET N-CH 200V 52A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V

на замовлення 7773 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	166.51 грн
50+	128.58 грн
100+	105.79 грн
500+	84.01 грн
1000+	71.28 грн
2000+	67.72 грн
5000+	64.1 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP5500

Description: ONSEMI - FDP5500 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 2045 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

161+	164.79 грн

Мінімальне замовлення: 161

FDP5500

Description: N CHANNEL ULTRAFET 55V, 80A, 7M
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 269 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3565 pF @ 25 V

на замовлення 4045 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

133+	160.88 грн

Мінімальне замовлення: 133

FDP5500

товар відсутній

FDP5500-F085

Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 269 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3565 pF @ 25 V

товар відсутній

FDP5500-F085

MOSFET 55V NCHAN UltraFET

товар відсутній

FDP5500-F085

Trans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP5500-F085

Trans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP55N06

Trans MOSFET N-CH 60V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP55N06

Description: ONSEMI - FDP55N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 55 A, 0.018 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 114
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.018
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

на замовлення 453 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	131.67 грн
10+	108.02 грн
100+	80.42 грн

Мінімальне замовлення: 6

FDP55N06

Trans MOSFET N-CH 60V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP55N06

Trans MOSFET N-CH 60V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP55N06

Description: MOSFET N-CH 60V 55A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 27.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510 pF @ 25 V

на замовлення 181 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	155.1 грн
10+	95.91 грн
100+	65.12 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP55N06

MOSFET SINGLE N-CH 60V ULTRAFET TRENCH

на замовлення 1013 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	140.22 грн
10+	123.67 грн
100+	83.64 грн
500+	69.51 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDP5645

Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3

товар відсутній

FDP5645

Description: ONSEMI - FDP5645 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

на замовлення 317 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

123+	214.46 грн

Мінімальне замовлення: 123

FDP5645

Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3

на замовлення 317 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

111+	194.87 грн

Мінімальне замовлення: 111

FDP5680

Description: MOSFET N-CH 60V 40A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V

на замовлення 7661 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

182+	125.45 грн

Мінімальне замовлення: 182

FDP5680

Trans MOSFET N-CH 60V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP5680

Description: ONSEMI - FDP5680 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 7661 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

202+	130.1 грн

Мінімальне замовлення: 202

FDP5680

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP5680

MOSFET 60V N-Ch PowerTrench

товар відсутній

FDP5680

товар відсутній

FDP5680_Q

MOSFET

товар відсутній

FDP5690

Description: MOSFET N-CH 60V 32A TO-220

товар відсутній

FDP5690

Description: ONSEMI - FDP5690 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 4902 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

236+	111.17 грн

Мінімальне замовлення: 236

FDP5690

TO-220

на замовлення 276 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP5800

Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDP5800
Код товару: 60606

Fairchild

Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 60 V
Rds(on), Ohm: 6 mOhm
Монтаж: THT

у наявності 1 шт:

1 шт - РАДІОМАГ-Одеса

FDP5800

Description: MOSFET N-CH 60V 14A/80A TO220-3

на замовлення 1482 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	231.89 грн
10+	200.24 грн
100+	160.95 грн
500+	124.1 грн
1000+	102.83 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP5800

Description: ONSEMI - FDP5800 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0046 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 242mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm

на замовлення 303 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	200.27 грн
10+	152.96 грн
100+	108.81 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDP5800

Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP5800

MOSFET 60V N-Ch Logic Level MOSFET

на замовлення 3799 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	239.44 грн
10+	211.77 грн
100+	149.01 грн
500+	122.3 грн
1000+	98.4 грн
2500+	92.07 грн
5000+	88.56 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP5800

Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP5800

Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP5800

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8

товар відсутній

FDP5N50

Description: ONSEMI - FDP5N50 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99

на замовлення 1761 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

629+	41.47 грн

Мінімальне замовлення: 629

FDP5N50

Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail

товар відсутній

FDP5N50

Description: MOSFET N-CH 500V 5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V

на замовлення 1761 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

523+	40.02 грн

Мінімальне замовлення: 523

FDP5N50NZ

Description: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25

на замовлення 3522 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	92.76 грн
10+	73.29 грн
100+	57 грн
500+	45.34 грн
1000+	36.94 грн
2000+	34.77 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDP5N50NZ

MOSFET N-Chan UniFET2 500V

на замовлення 2688 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	121.36 грн
10+	107.5 грн
100+	73.1 грн
500+	60.23 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDP5N50NZ

Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP5N50NZ

Description: ONSEMI - FDP5N50NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.5 A, 1.38 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 4.5
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 78
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 78
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET II
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.38
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.38
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

на замовлення 930 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	116.69 грн
10+	104.87 грн
100+	82 грн
500+	62.74 грн

Мінімальне замовлення: 7

FDP5N50NZ

Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP5N60NZ

Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP5N60NZ

Description: MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V

товар відсутній

FDP5N60NZ

MOSFET 600V N-Channel MOSFET, UniFET-II

на замовлення 517 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDP6030BL

Trans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP6030BL

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 15 V

на замовлення 2349 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

516+	44.1 грн

Мінімальне замовлення: 516

FDP6030BL

Description: ONSEMI - FDP6030BL - MOSFET, N-CH, 30V, 40A, 175DEG C, 60W
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 95860 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	64.1 грн

Мінімальне замовлення: 800

FDP6030BL

MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level

товар відсутній

FDP6030BL

2002 TO-220

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP6030BL_Q

MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level

товар відсутній

FDP6030L

FAI

2003 TO-220

на замовлення 2160 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP6030L

MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level

товар відсутній

FDP6030L

Description: MOSFET N-CH 30V 48A TO220-3

на замовлення 63536 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

566+	40.87 грн

Мінімальне замовлення: 566

FDP6030L

Description: ONSEMI - FDP6030L - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99

на замовлення 61536 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

629+	41.47 грн

Мінімальне замовлення: 629

FDP6035A

на замовлення 4530 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP6035AL

Description: MOSFET N-CH 30V 48A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 15 V

товар відсутній

FDP6035AL

MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level

товар відсутній

FDP6035AL

FAIRCHID

99+

на замовлення 2068 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP6035AL

на замовлення 106637 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

221+	103.4 грн

Мінімальне замовлення: 221

FDP6035AL

Trans MOSFET N-CH 30V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail

товар відсутній

FDP6035AL

07+

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP6035AL_NL

MOSFET 30V N-CH. FET, 12.5 MO, TO220

товар відсутній

FDP6035AL_Q

MOSFET

товар відсутній

FDP6035L

Description: ONSEMI - FDP6035L - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

на замовлення 3250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

446+	58.98 грн

Мінімальне замовлення: 446

FDP6035L

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 15 V

на замовлення 3250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

401+	57.02 грн

Мінімальне замовлення: 401

FDP6035L

MOSFET N-Ch PowerTrench Logic

товар відсутній

FDP603AL

на замовлення 745 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP61N20

Trans MOSFET N-CH 200V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP61N20

Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 30V; 41mOhm; 61A; 417W; -55°C ~ 150°C; FDP61N20 TFDP61n20
кількість в упаковці: 5 шт

на замовлення 50 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

5+	111.09 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDP61N20

Trans MOSFET N-CH 200V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

66+	185.03 грн
72+	169.28 грн
100+	141.94 грн
500+	115.51 грн
1000+	86.77 грн

Мінімальне замовлення: 66

FDP61N20

Description: ONSEMI - FDP61N20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 61 A, 0.034 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: 0
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: 0
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 417W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: 0
Rds(on)-Prüfspannung: 0
Betriebstemperatur, max.: 0
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 1913 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	234.17 грн
10+	172.67 грн
100+	126.94 грн
500+	92.98 грн
1000+	83.8 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDP61N20

Description: MOSFET N-CH 200V 61A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 30.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3380 pF @ 25 V

на замовлення 837 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	194.64 грн
50+	150.28 грн
100+	123.64 грн
500+	98.18 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP61N20

Trans MOSFET N-CH 200V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 2102 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	87.74 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDP61N20

MOSFET 200V N-Channel MOSFET

на замовлення 6078 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	201.72 грн
10+	178.63 грн
100+	124.41 грн
500+	120.89 грн
1000+	97.7 грн
2500+	96.99 грн
5000+	94.18 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP61N20

Trans MOSFET N-CH 200V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP61N20

Trans MOSFET N-CH 200V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1302 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	187.36 грн
10+	171.42 грн
100+	143.73 грн
500+	116.96 грн
1000+	87.87 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDP61N20
Код товару: 150150

товар відсутній

FDP65N06

MOSFET 60V N-Channel MOSFET

товар відсутній

FDP65N06

Trans MOSFET N-CH 60V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP65N06

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP65N06

Description: MOSFET N-CH 60V 65A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2170 pF @ 25 V

товар відсутній

FDP65N06

Trans MOSFET N-CH 60V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP65N06,

Description: ONSEMI - FDP65N06, - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 65 A, 0.016 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 65
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 135
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.016
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

на замовлення 184 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	155.33 грн
10+	142.71 грн
100+	115.12 грн

Мінімальне замовлення: 6

FDP6670AL

Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440 pF @ 15 V

товар відсутній

FDP6670AL

TO-220

на замовлення 25 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP6670AL

FAIRCHID

99+

на замовлення 196 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP6670AL

на замовлення 28285 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

503+	42.71 грн

Мінімальне замовлення: 503

FDP6670AL

TO-220

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP6670AL

Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail

товар відсутній

FDP6670AL

09+

на замовлення 365 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP6670AL

MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level

товар відсутній

FDP6670AL

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP6670AL_NL

MOSFET 30V N-CH. FET, 6.5 MO, TO220,

товар відсутній

FDP6670AL_Q

MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level

товар відсутній

FDP6676

Description: ONSEMI - FDP6676 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99

на замовлення 20082 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

369+	71.36 грн

Мінімальне замовлення: 369

FDP6676

MOSFET 30V N-Ch PowerTrench Logic Level

товар відсутній

FDP6676

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5324 pF @ 15 V

на замовлення 20082 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

332+	68.43 грн

Мінімальне замовлення: 332

FDP6676S

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4853 pF @ 15 V

на замовлення 1485 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

332+	68.43 грн

Мінімальне замовлення: 332

FDP6676S

Description: ONSEMI - FDP6676S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 1485 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

369+	71.36 грн

Мінімальне замовлення: 369

FDP70301_88RF002A

на замовлення 64890 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP7030BL

Trans MOSFET N-CH 30V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP7030BL

MOSFETs N-Ch PowerTrench Logic Level

товар відсутній

FDP7030BL

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760 pF @ 15 V

на замовлення 72127 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

436+	48.26 грн

Мінімальне замовлення: 436

FDP7030BL

Description: ONSEMI - FDP7030BL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 0.009 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 60
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 65
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9
Verlustleistung: 65
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

товар відсутній

FDP7030BL

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 60A; 60W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 60A
Power dissipation: 60W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

FDP7030BL

Description: MOSFET N-CH 30V 60A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760 pF @ 15 V

товар відсутній

FDP7030BL

товар відсутній

FDP7030BL

Trans MOSFET N-CH 30V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 235 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	37.9 грн

Мінімальне замовлення: 16

FDP7030BLNL

на замовлення 3993 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP7030BLS

MOSFET TO-220

товар відсутній

FDP7030BL_NL

MOSFET 30V N-CH. FET, 9 MO, TO220, T

товар відсутній

FDP7030BL_Q

MOSFETs N-Ch PowerTrench Logic Level

товар відсутній

FDP7030L

FAI

TO220

на замовлення 30 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP7030L

MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level

товар відсутній

FDP7030L

Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440 pF @ 15 V

на замовлення 29300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

130+	163.78 грн

Мінімальне замовлення: 130

FDP7030L

Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440 pF @ 15 V

товар відсутній

FDP7030L_Q

MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level

товар відсутній

FDP7042L

Description: ONSEMI - FDP7042L - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 33223 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

544+	48.1 грн

Мінімальне замовлення: 544

FDP7042L

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2418 pF @ 15 V

на замовлення 33223 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

452+	46.33 грн

Мінімальне замовлення: 452

FDP7042L

TO-220 02+

на замовлення 52 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP7045L

FAIR

0408

на замовлення 18 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP7045L

MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level

товар відсутній

FDP7045L

Description: ONSEMI - FDP7045L - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 165973 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

110+	239.69 грн

Мінімальне замовлення: 110

FDP7045L

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4357 pF @ 15 V

на замовлення 165881 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

92+	230.93 грн

Мінімальне замовлення: 92

FDP7045L

0307

на замовлення 15 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP7045L_Q

MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level

товар відсутній

FDP75N08

Description: ONSEMI - FDP75N08 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 365 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

321+	94.62 грн

Мінімальне замовлення: 321

FDP75N08

Description: MOSFET N-CH 75V 75A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 37.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4468 pF @ 25 V

на замовлення 365 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

268+	79.41 грн

Мінімальне замовлення: 268

FDP75N08

MOSFETs 75V N-Channel MOSFET

товар відсутній

FDP75N08

Description: MOSFET N-CH 75V 75A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 37.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4468 pF @ 25 V

товар відсутній

FDP75N08A

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 47A; Idm: 300A; 137W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 137W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 104nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

FDP75N08A

Trans MOSFET N-CH 75V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 40 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDP75N08A

товар відсутній

FDP75N08A

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP75N08A

MOSFET 75V N-Channel MOSFET

товар відсутній

FDP75N08A

Description: MOSFET N-CH 75V 75A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 37.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 137W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4468 pF @ 25 V

товар відсутній

FDP75N08A

Trans MOSFET N-CH 75V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 40 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	105.98 грн
10+	101.38 грн
25+	96.13 грн

Мінімальне замовлення: 6

FDP75N08A

Trans MOSFET N-CH 75V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP79N15

Description: MOSFET N-CH 150V 79A TO-220

товар відсутній

FDP7N50

Supervisory Circuits

товар відсутній

FDP7N50

Trans MOSFET N-CH 500V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP7N50

Description: MOSFET N-CH 500V 7A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 25 V

товар відсутній

FDP7N50

500V, NCH , MOSFET

товар відсутній

FDP7N60NZ

Description: MOSFET N-CH 600V 6.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 3.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 25 V

товар відсутній

FDP7N60NZ

MOSFET 600V N-Chan MOSFET UniFET-II

товар відсутній

FDP7N60NZ

Trans MOSFET N-CH 600V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP8030L

MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level

на замовлення 60 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	554.32 грн
10+	493.86 грн
25+	409.77 грн
100+	345.81 грн

FDP8030L

Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

товар відсутній

FDP8030L

Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP8030L

N/A

09+

на замовлення 20018 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP8030L

Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 15 V

на замовлення 7127 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

64+	358.86 грн

Мінімальне замовлення: 64

FDP8030L

Description: ONSEMI - FDP8030L - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 6859 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	342.98 грн

Мінімальне замовлення: 800

FDP80N06

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP80N06

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 65A; Idm: 320A; 176W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 65A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 176W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 74nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

FDP80N06
Код товару: 66797

товар відсутній

FDP80N06

Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3190 pF @ 25 V

товар відсутній

FDP80N06

Description: ONSEMI - FDP80N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0085 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 176W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

на замовлення 130 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	112.75 грн
10+	98.56 грн
100+	82 грн

Мінімальне замовлення: 7

FDP80N06

товар відсутній

FDP80N06

MOSFETs 60V N-Channel

товар відсутній

FDP80N06

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP8440

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 450 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24740 pF @ 25 V

на замовлення 17634 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

120+	177.95 грн

Мінімальне замовлення: 120

FDP8440

Description: ONSEMI - FDP8440 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

товар відсутній

FDP8440

Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 450 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24740 pF @ 25 V

товар відсутній

FDP8440

на замовлення 750 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP8440

MOSFETs 40V N-Channel Power Trench

товар відсутній

FDP8440

Trans MOSFET N-CH Si 40V 277A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	208 грн
10+	197.42 грн
100+	178.4 грн
120+	148.44 грн
500+	136.07 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDP8440

Trans MOSFET N-CH Si 40V 277A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP8440

Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO-220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 450 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24740 pF @ 25 V

на замовлення 26190 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

120+	177.95 грн

Мінімальне замовлення: 120

FDP8440

на замовлення 795 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP8441

MOSFET 40V N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 406 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDP8441

Trans MOSFET N-CH 40V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

товар відсутній

FDP8441

Description: MOSFET N-CH 40V 23A/80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V

на замовлення 2187 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	197.68 грн
10+	159.68 грн
100+	129.19 грн
500+	107.77 грн
1000+	92.28 грн
2000+	86.89 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP8441

товар відсутній

FDP8441_F085

Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO-220AB

товар відсутній

FDP8442

Description: MOSFET N-CH 40V 23A/80A TO220-3

на замовлення 22479 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

91+	255.26 грн

Мінімальне замовлення: 91

FDP8442

MOSFET 40V N-Channel

товар відсутній

FDP8442

Description: MOSFET N-CH 40V 23A/80A TO220-3

товар відсутній

FDP8442

Description: ONSEMI - FDP8442 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 22479 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

101+	261.77 грн

Мінімальне замовлення: 101

FDP8442-F085

MOSFET 40V/80A/2.8ohm/N-CH POWERTRENCH

на замовлення 228 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDP8442-F085

Trans MOSFET N-CH 40V 23A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP8442-F085

Description: ONSEMI - FDP8442-F085 - FDP8442-F085, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 750 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

400+	109.6 грн

Мінімальне замовлення: 400

FDP8442-F085

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2

на замовлення 750 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

237+	93.13 грн

Мінімальне замовлення: 237

FDP8442_F085

Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO-220

на замовлення 755 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDP8443

Description: MOSFET N-CH 40V 20A/80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9310 pF @ 25 V

на замовлення 11973 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

226+	93.38 грн

Мінімальне замовлення: 226

FDP8443

MOSFET 40V N-Channel PowerTrench

товар відсутній

FDP8443

Description: ONSEMI - FDP8443 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99

на замовлення 11938 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

272+	96.98 грн

Мінімальне замовлення: 272

FDP8443-F085

MOSFET N-CH PowerTrench N-Ch PowerTrench Mos

на замовлення 395 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDP8443-F085

Description: MOSFET N-CH 40V 20A/80A TO220-3

товар відсутній

FDP8443-F085

Trans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP8443_F085

Description: MOSFET N-CH 40V TO-220AB-3

на замовлення 719 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDP8447L

MOSFET 40V N-CH PowerTrench MOSFET

товар відсутній

FDP8447L

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; Idm: 100A; 60W; TO220-3
Mounting: THT
Power dissipation: 60W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 49nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 100A
Case: TO220-3
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
On-state resistance: 13.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET

товар відсутній

FDP8447L

Trans MOSFET N-CH Si 40V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP8447L

Description: MOSFET N-CH 40V 12A/50A TO220-3

на замовлення 411 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDP8447L

товар відсутній

FDP86363-F085

Trans MOSFET N-CH 80V 110A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP86363-F085

Description: MOSFET N-CH 80V 110A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Grade: Automotive
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 176 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	238.73 грн
50+	181.84 грн
100+	155.86 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP86363-F085

Description: ONSEMI - FDP86363-F085 - N-CHANNEL POWERTRENCH® 80V, 110A, 2.8M
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

товар відсутній

FDP86363-F085

на замовлення 42400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP86363-F085

MOSFET N-Channel PowerTrench 80V, 110A, 2.8mohm

на замовлення 728 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	268.96 грн
10+	239.25 грн
100+	170.79 грн
500+	145.49 грн
1000+	122.3 грн
2500+	115.97 грн
5000+	111.75 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP86363-F085

Trans MOSFET N-CH 80V 110A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP86363_F085

Description: 110A, 80V, 0.0028OHM, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 40 V

товар відсутній

FDP87314B

07+

на замовлення 21 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP8860

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; Idm: 556A; 254W; TO220AB
Mounting: THT
Power dissipation: 254W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 222nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 556A
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 80A
On-state resistance: 3.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET

товар відсутній

FDP8860

MOSFETs 30V N-Channel PowerTrench MOSFET

товар відсутній

FDP8860

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 254W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 222 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12240 pF @ 15 V

на замовлення 16481 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

239+	89.33 грн

Мінімальне замовлення: 239

FDP8860

Trans MOSFET N-CH Si 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP8860

Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 254W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 222 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12240 pF @ 15 V

товар відсутній

FDP8860

Trans MOSFET N-CH Si 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP8860

товар відсутній

FDP8860

Trans MOSFET N-CH Si 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 236 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	100.88 грн
10+	95.53 грн
100+	87.16 грн

Мінімальне замовлення: 6

FDP8870

Description: ONSEMI - FDP8870 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 156 A, 0.0034 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 156
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 160
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung: 160
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0034
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034
SVHC: Lead (27-Jun-2018)

товар відсутній

FDP8870

Trans MOSFET N-CH 30V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 75 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDP8870

Trans MOSFET N-CH 30V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP8870

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 156A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V

товар відсутній

FDP8870

Trans MOSFET N-CH 30V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 75 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	98.39 грн
10+	95.71 грн
25+	91.27 грн
50+	85.36 грн

Мінімальне замовлення: 7

FDP8870

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 147A; 160W; TO220AB
Mounting: THT
Power dissipation: 160W
Polarisation: unipolar
Drain current: 147A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 6.5mΩ
Gate-source voltage: ±20V

товар відсутній

FDP8870

Trans MOSFET N-CH 30V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 4570 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	110.46 грн
10+	101.44 грн
25+	94.49 грн
50+	86.93 грн
100+	75.69 грн
500+	68.01 грн

Мінімальне замовлення: 6

FDP8870

MOSFET 30V N-Channel PowerTrench

товар відсутній

FDP8870

Description: MOSFET N-CH 30V 156A TO-220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 156A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V

товар відсутній

FDP8870-F085

MOSFET 30V/156A/4.1Mohm/NCH POWERTRENCH

товар відсутній

FDP8870-F085

Description: MOSFET N-CH 30V 19A/156A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 156A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V

на замовлення 291 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

291+	78.31 грн

Мінімальне замовлення: 291

FDP8870-F085

товар відсутній

FDP8870_F085A

onsemi

товар відсутній

FDP8870_NL

на замовлення 3200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP8870_NL

MOSFET 30V,156A,4.1 OHMS,NCH,TO220,POWER TRENCH MOSFET

товар відсутній

FDP8874

MOSFET 30V 114A 5.3 OHM N-CH

товар відсутній

FDP8874

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 114A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 15 V

товар відсутній

FDP8874

Trans MOSFET N-CH 30V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDP8874

Description: ONSEMI - FDP8874 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 114 A, 0.0053 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 114A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 142470 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	89.1 грн

Мінімальне замовлення: 800

FDP8874

Trans MOSFET N-CH 30V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP8874

TO220 10+

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP8874-SN00117

товар відсутній

FDP8874.

Description: ONSEMI - FDP8874. - MOSFET'S - SINGLE
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 114
Qualifikation: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung: 110
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

товар відсутній

FDP8874_SN00117

onsemi

товар відсутній

FDP8876

Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail

товар відсутній

FDP8876

Description: MOSFET N-CH 30V 70A TO-220

товар відсутній

FDP8878

Description: MOSFET N-CH 30V 40A TO-220AB

товар відсутній

FDP8878

Trans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail

товар відсутній

FDP8880

Trans MOSFET N-CH 30V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP8880
Код товару: 113618

товар відсутній

FDP8880

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 48A; 55W; TO220AB
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 48A
On-state resistance: 19mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 55W

товар відсутній

FDP8880

Trans MOSFET N-CH 30V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 298 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	54.88 грн
12+	49.79 грн
100+	41.14 грн
250+	38.6 грн

Мінімальне замовлення: 11

FDP8880

товар відсутній

FDP8880

Trans MOSFET N-CH 30V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP8880

Description: ONSEMI - FDP8880 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 54 A, 0.0116 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 54
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 55
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung: 55
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0116
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0116
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

товар відсутній

FDP8880

MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 1445 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDP8880

Description: MOSFET N-CH 30V 54A TO-220AB

на замовлення 644 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDP8896

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP8896

Trans MOSFET N-CH 30V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP8896

Trans MOSFET N-CH 30V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP8896

Description: ONSEMI - FDP8896 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

товар відсутній

FDP8896

MOSFETs 30V N-Channel PowerTrench

на замовлення 1505 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	110.7 грн
10+	89.72 грн
100+	60.8 грн
500+	51.52 грн
1000+	41.96 грн
2500+	40.98 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDP8896

Description: MOSFET N-CH 30V 16A/92A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 92A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2525 pF @ 15 V

на замовлення 464 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	145.22 грн
10+	89.39 грн
100+	60.5 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDP8896

Trans MOSFET N-CH 30V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP8896

Trans MOSFET N-CH 30V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP8896
Код товару: 107361

товар відсутній

FDP8896

Trans MOSFET N-CH 30V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP8D5N10C

Trans MOSFET N-CH 100V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP8D5N10C

Description: ONSEMI - FDP8D5N10C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 76 A, 0.0074 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 861 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	182.13 грн
10+	127.73 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDP8D5N10C

MOSFET FET 100V 76A 8.5 mOhm

на замовлення 701 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	209.92 грн
10+	173.78 грн
50+	142.68 грн
100+	122.3 грн
250+	115.27 грн
500+	108.24 грн
1000+	92.78 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP8D5N10C

Description: MOSFET N-CH 100V 76A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 76A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 130µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2475 pF @ 50 V

на замовлення 2385 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	191.6 грн
10+	154.56 грн
100+	124.99 грн
500+	104.27 грн
1000+	89.28 грн
2000+	84.06 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDP8D5N10C

Trans MOSFET N-CH 100V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP8D5N10C

Trans MOSFET N-CH 100V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 7 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	242.94 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDP8D5N10C

Trans MOSFET N-CH 100V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP8D5N10C

на замовлення 750 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDP8D5N10C

Trans MOSFET N-CH 100V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDP8N50NZ

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.8A; 130W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 4.8A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

FDP8N50NZ

Description: ONSEMI - FDP8N50NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.77 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET II
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.77ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

на замовлення 23 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	145.08 грн
10+	116.69 грн

Мінімальне замовлення: 6

FDP8N50NZ

MOSFET UNIFET2 500V

на замовлення 9944 шт:

термін постачання 280-289 дні (днів)

3+	141.86 грн
10+	126.09 грн
100+	85.75 грн
500+	70.99 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDP8N50NZ

Description: MOSFET N-CH 500V 8A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735 pF @ 25 V

товар відсутній

FDP8N50NZ

товар відсутній

FDP8N50NZ

Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

FDPC1002S

Description: ONSEMI - FDPC1002S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 10941 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	104.87 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDPC1002S

MOSFET

на замовлення 2980 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDPC1002S

Description: MOSFET 2N-CH 25V 13A PWRCLIP-33
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W (Ta), 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 20A (Tc), 27A (Ta), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240pF @13V, 4335pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 13A, 10V, 1.8mOhm @ 27A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V, 64nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: Powerclip-33
Part Status: Obsolete

на замовлення 10941 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

761+	27.65 грн

Мінімальне замовлення: 761

FDPC1012S

Description: MOSFET 2N-CH 25V 13A PWR-33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW (Ta), 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 35A (Tc), 26A (Ta), 88A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1075pF @ 13V, 3456pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 12A, 4.5V, 2.2mOhm @ 23A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V, 25nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: Powerclip-33

товар відсутній

FDPC1012S

Description: ONSEMI - FDPC1012S - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 6672 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	34.3 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDPC1012S

товар відсутній

FDPC1012S

Description: MOSFET 2N-CH 25V 13A PWRCLIP-33
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW (Ta), 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 35A (Tc), 26A (Ta), 88A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1075pF @ 13V, 3456pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 12A, 4.5V, 2.2mOhm @ 23A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V, 25nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: Powerclip-33
Part Status: Active

на замовлення 6672 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

701+	30.18 грн

Мінімальне замовлення: 701

FDPC1012S-P

Description: ONSEMI - FDPC1012S-P - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 25503 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	32.96 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDPC1012S-P

товар відсутній

FDPC3D5N025X9D

MOSFET Gaming/DT/Notebook/ NVDC/Server

на замовлення 2988 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDPC3D5N025X9D

Description: MOSFET 2N-CH 25V 74A 12QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 26W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3340pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.01mOhm @ 18A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 12-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Obsolete

товар відсутній

FDPC4044

Trans MOSFET N-CH 30V 27A 8-Pin Power Clip 33 EP T/R

товар відсутній

FDPC4044

FDPC4044 ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 30V 27A 8-Pin Power Clip 33 EP T/R - Arrow.com

товар відсутній

FDPC4044

Trans MOSFET N-CH 30V 27A 8-Pin Power Clip 33 EP T/R

товар відсутній

FDPC4044

MOSFET Common Drain N-Chan Power Trench MOSFET

на замовлення 352 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDPC4044

Description: MOSFET 2N-CH POWERCLIP-33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3215pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 27A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Powerclip-33
Part Status: Obsolete

товар відсутній

FDPC4044

FDPC4044 ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 30V 27A 8-Pin Power Clip 33 EP T/R - Arrow.com

на замовлення 72 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	251.62 грн
10+	204.09 грн
25+	202 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDPC4044-P

ON Semiconductor

товар відсутній

FDPC4044-P

Description: MOSFET N-CHANNEL 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)

товар відсутній

FDPC4044-P

FDPC4044-P

товар відсутній

FDPC4044-P

FDPC4044-P

товар відсутній

FDPC5018SG

Trans MOSFET N-CH 30V 17A/32A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 1498 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	74.36 грн
10+	73.21 грн
25+	72.06 грн
100+	68.39 грн
250+	62.29 грн
500+	58.82 грн
1000+	57.83 грн

Мінімальне замовлення: 9

FDPC5018SG

Description: ONSEMI - FDPC5018SG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 109 A, 109 A, 0.0014 ohm
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 109A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 109A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0014ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 29W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0014ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 29W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

на замовлення 4238 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	111.17 грн
10+	93.83 грн
100+	77.51 грн
500+	71.24 грн

Мінімальне замовлення: 8

FDPC5018SG

Trans MOSFET N-CH 30V 17A/32A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 1498 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

166+	72.66 грн

Мінімальне замовлення: 166

FDPC5018SG

Description: MOSFET 2N-CH 30V 17A PWRCLIP56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W, 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A, 32A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1715pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power Clip 56
Part Status: Active

на замовлення 8418 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	99.6 грн
10+	80.02 грн
100+	63.67 грн
500+	53.96 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDPC5018SG

Trans MOSFET N-CH 30V 17A/32A 8-Pin PQFN EP T/R

товар відсутній

FDPC5018SG

на замовлення 4238 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	77.51 грн
500+	71.24 грн

Мінімальне замовлення: 100

FDPC5018SG

MOSFETs PT8+ N & PT8 N

на замовлення 2386 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	94.3 грн
10+	82.45 грн
100+	60.52 грн
250+	60.16 грн
500+	57.28 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDPC5018SG

Description: MOSFET 2N-CH 30V 17A PWRCLIP56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W, 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A, 32A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1715pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power Clip 56
Part Status: Active

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	59.71 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDPC5030SG

Description: MOSFET 2N-CH 30V 17A PWRCLIP56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W, 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A, 25A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1715pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power Clip 56
Part Status: Active

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	57.9 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDPC5030SG
Код товару: 139909

товар відсутній

FDPC5030SG

Trans MOSFET N-CH 30V 56A/84A 8-Pin PQFN EP T/R

товар відсутній

FDPC5030SG

Trans MOSFET N-CH 30V 56A/84A 8-Pin PQFN EP T/R

товар відсутній

FDPC5030SG

MOSFET PT8+ N & PT8 N

на замовлення 4527 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	137.76 грн
10+	113.16 грн
100+	78.02 грн
250+	74.5 грн
500+	66 грн
1000+	56.72 грн
3000+	53.84 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDPC5030SG

Description: MOSFET 2N-CH 30V 17A PWRCLIP56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W, 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A, 25A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1715pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power Clip 56
Part Status: Active

на замовлення 8682 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	128.49 грн
10+	102.72 грн
100+	81.75 грн
500+	64.92 грн
1000+	55.08 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDPC5030SG

Trans MOSFET N-CH 30V 56A/84A 8-Pin PQFN EP T/R

товар відсутній

FDPC8011S

MOSFET 25V Asymmetric 2xNCh MOSFET PowerTrench

на замовлення 1129 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	262.4 грн
10+	218.24 грн
25+	187.66 грн
100+	153.22 грн
500+	135.65 грн
1000+	116.67 грн
3000+	109.65 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDPC8011S

Trans MOSFET N-CH 25V 13A/27A 8-Pin Power Clip 33 T/R

на замовлення 3100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	263.71 грн
10+	231.25 грн
25+	226.77 грн
100+	178.45 грн
250+	150.51 грн
500+	133.1 грн
1000+	114.62 грн
3000+	112.89 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDPC8011S

Description: ONSEMI - FDPC8011S - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 60 A, 0.0012 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25
Dauer-Drainstrom Id: 60
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.4
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

товар відсутній

FDPC8011S

Description: MOSFET 2N-CH 25V 13A PWRCLIP-33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW (Ta), 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 20A (Tc), 27A (Ta), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240pF @ 13V, 4335pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 13A, 10V, 1.8mOhm @ 27A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V, 64nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: Powerclip-33
Part Status: Active

товар відсутній

FDPC8011S

Trans MOSFET N-CH 25V 13A/27A 8-Pin Power Clip 33 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	260.8 грн
10+	228.71 грн
25+	224.31 грн
100+	176.58 грн
250+	148.91 грн
500+	131.69 грн
1000+	113.4 грн
3000+	111.67 грн
6000+	105.53 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDPC8011S

Description: MOSFET 2N-CH 25V 13A PWRCLIP-33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW (Ta), 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 20A (Tc), 27A (Ta), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240pF @ 13V, 4335pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 13A, 10V, 1.8mOhm @ 27A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V, 64nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: Powerclip-33
Part Status: Active

на замовлення 2115 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	241.78 грн
10+	195.41 грн
100+	158.09 грн
500+	131.87 грн
1000+	112.92 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDPC8011S

Trans MOSFET N-CH 25V 13A/27A 8-Pin Power Clip 33 T/R

товар відсутній

FDPC8011S

Trans MOSFET N-CH 25V 13A/27A 8-Pin Power Clip 33 T/R

товар відсутній

FDPC8011S-AU01

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	216.69 грн
10+	175.49 грн
100+	141.93 грн
500+	118.39 грн
1000+	101.38 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDPC8011S-AU01

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	105.63 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDPC8011S-AU01

MOSFET PT8 N 25/12 & PT8 N 25/12

товар відсутній

FDPC8012S

Description: MOSFET 2N-CH 25V 13A PWRCLIP-33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW, 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 26A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1075pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 12A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: Powerclip-33
Part Status: Active

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	242.54 грн
10+	196.51 грн
100+	158.93 грн
500+	132.58 грн
1000+	113.52 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDPC8012S

MOSFET 25V Asymmetric Dual N-Channel Pwr Trench

на замовлення 8974 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	264.04 грн
10+	219.05 грн
100+	153.93 грн
500+	136.35 грн
1000+	116.67 грн
3000+	109.65 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDPC8012S

Trans MOSFET N-CH 25V 13A/26A 8-Pin Power Clip 33 EP T/R

товар відсутній

FDPC8012S

Description: MOSFET 2N-CH 25V 13A PWRCLIP-33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW, 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 26A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1075pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 12A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: Powerclip-33
Part Status: Active

на замовлення 4951 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	242.54 грн
10+	196.51 грн
100+	158.93 грн
500+	132.58 грн
1000+	113.52 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDPC8012S

Trans MOSFET N-CH 25V 13A/26A 8-Pin Power Clip 33 EP T/R

товар відсутній

FDPC8012S

Description: MOSFET 2N-CH 25V 13A PWRCLIP-33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW, 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 26A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1075pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 12A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: Powerclip-33
Part Status: Active

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	113.48 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDPC8012S

Trans MOSFET N-CH 25V 13A/26A 8-Pin Power Clip 33 EP T/R

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDPC8012S

Description: ONSEMI - FDPC8012S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 111973 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	124.58 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDPC8012S

Description: MOSFET 2N-CH 25V 13A PWRCLIP-33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW, 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 26A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1075pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 12A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: Powerclip-33
Part Status: Active

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	118.28 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDPC8012S

Trans MOSFET N-CH 25V 13A/26A 8-Pin Power Clip 33 EP T/R

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDPC8013S

Description: MOSFET 2N-CH 30V 13A PWRCLIP-33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW, 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 26A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 827pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 13A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Powerclip-33
Part Status: Active

на замовлення 1267 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	112.52 грн
10+	89.61 грн
100+	71.32 грн
500+	60.43 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDPC8013S

Trans MOSFET N-CH 30V 13A/26A 8-Pin Power Clip 33 T/R

товар відсутній

FDPC8013S

Description: MOSFET 2N-CH 30V 13A PWRCLIP-33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW, 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 26A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 827pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 13A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Powerclip-33
Part Status: Active

товар відсутній

FDPC8013S

Trans MOSFET N-CH 30V 13A/26A 8-Pin Power Clip 33 T/R

товар відсутній

FDPC8013S

MOSFETs Low Power Two-Input Logic Gate TinyLogic

на замовлення 3050 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	122.18 грн
10+	100.23 грн
100+	69.3 грн
500+	64.8 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDPC8014AS

FDPC8014AS ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 25V 20A/40A 8-Pin Power 56 EP T/R - Arrow.com

на замовлення 2830 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	84.1 грн
10+	83.98 грн
25+	83.86 грн
100+	80.76 грн
250+	74.67 грн
500+	71.58 грн
1000+	71.48 грн

Мінімальне замовлення: 8

FDPC8014AS

Description: MOSFET 2N-CH 25V 20A PWRCLIP56
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W, 2.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A, 40A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2375pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Power Clip 56
Part Status: Active

на замовлення 2043 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

228+	93.97 грн

Мінімальне замовлення: 228

FDPC8014AS

FDPC8014AS ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 25V 20A/40A 8-Pin Power 56 EP T/R - Arrow.com

товар відсутній

FDPC8014AS

Description: MOSFET 2N-CH 25V 20A PWRCLIP56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W, 2.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A, 40A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2375pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Power Clip 56

товар відсутній

FDPC8014AS

MOSFET PT9 N 30/12 & PT9 N 25/12S inPowerClip56

на замовлення 623 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDPC8014AS

FDPC8014AS ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 25V 20A/40A 8-Pin Power 56 EP T/R - Arrow.com

на замовлення 1391 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	79.85 грн
10+	78.29 грн
100+	77.81 грн

Мінімальне замовлення: 8

FDPC8014AS

FDPC8014AS ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 25V 20A/40A 8-Pin Power 56 EP T/R - Arrow.com

товар відсутній

FDPC8014AS

Description: MOSFET 2N-CH 25V 20A PWRCLIP56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W, 2.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A, 40A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2375pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Power Clip 56

товар відсутній

FDPC8014S

MOSFET PT9N 30/12 & PT9N 25/12

на замовлення 3797 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDPC8014S

Trans MOSFET N-CH 25V 20A/41A 8-Pin Power 56 EP T/R

товар відсутній

FDPC8014S

Description: MOSFET 2N-CH 25V 20A PWRCLIP56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W, 2.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A, 41A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2375pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Power Clip 56

на замовлення 4980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	194.64 грн
10+	155.21 грн
100+	123.53 грн
500+	98.1 грн
1000+	83.23 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDPC8014S

Trans MOSFET N-CH 25V 20A/41A 8-Pin Power 56 EP T/R

товар відсутній

FDPC8014S

Description: MOSFET 2N-CH 25V 20A PWRCLIP56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W, 2.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A, 41A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2375pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Power Clip 56

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	87.5 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDPC8016S

Description: MOSFET 2N-CH 25V 20A PWRCLIP56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W, 2.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A, 35A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2375pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Power Clip 56
Part Status: Active

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	53.84 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDPC8016S

Trans MOSFET N-CH 25V 20A/35A 8-Pin PQFN EP T/R

товар відсутній

FDPC8016S

Description: ONSEMI - FDPC8016S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 22540 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	60.4 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDPC8016S

MOSFET PowerTrench Power Clip 25V Asymmetric Dual N-Channel MOSFET

на замовлення 1863 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	139.4 грн
10+	113.97 грн
100+	79.42 грн
250+	73.1 грн
500+	66.7 грн
1000+	56.72 грн
3000+	53.84 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDPC8016S

Description: MOSFET 2N-CH 25V 20A PWRCLIP56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W, 2.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A, 35A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2375pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Power Clip 56
Part Status: Active

на замовлення 4657 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	90.48 грн
10+	72.12 грн
100+	57.42 грн
500+	48.65 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDPC8016S

на замовлення 2975 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDPE 0501 1001

Category: Wheels
Description: Transport wheel; Ø: 50mm; W: 20mm; H: 68mm; rigid; 40kg
Version: rigid; with mounting plate
Base dimensions: 60x60mm
Kind of Bearing: slide bearing
Height: 68mm
Type of mounting element: transport wheel
Force: 40kg
Wheel diameter: 50mm
Wheel width: 20mm

на замовлення 169 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	73.95 грн
10+	64.43 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDPE 0501 1001

на замовлення 169 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

3+	106.92 грн
4+	92.15 грн
10+	77.31 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDPE 0751 1001

Category: Wheels
Description: Transport wheel; Ø: 75mm; W: 25mm; H: 100mm; rigid; 60kg
Type of mounting element: transport wheel
Wheel diameter: 75mm
Wheel width: 25mm
Height: 100mm
Version: rigid; with mounting plate
Force: 60kg
Kind of Bearing: slide bearing
Base dimensions: 60x60mm
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 110 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

2+	205.32 грн
4+	176.09 грн
7+	152.87 грн
10+	148.48 грн
19+	144.09 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDPE 0751 1001

на замовлення 110 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	171.1 грн
4+	141.3 грн
7+	127.39 грн
10+	123.73 грн
19+	120.07 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDPE 1251 1001

FDPE-1251-1001 Wheels

товар відсутній

FDPF 4001 EH

Description: FIBRE DATA - FDPF 4001 EH - Glasfaserkabel, Einmodenfaser, 1mm, 1 Faser(n), 2.2 mm, 65 ft, 20 m
tariffCode: 85447000
Faserdurchmesser: 1mm
Fasertyp: Polymerfaser
Länge auf Rolle (metrisch): 20m
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Mantelmaterial: PE
Länge auf Rolle (imperial): 65ft
usEccn: EAR99
Mantelfarbe: -
euEccn: NLR
Außendurchmesser: 2.2mm
Anzahl der Fasern: 1Fibres
Produktpalette: FDPF
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

на замовлення 142 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	2053.94 грн
5+	1843.42 грн
10+	1632.12 грн
50+	1469.41 грн
100+	1265.14 грн

FDPF 4001 EH (100M)

Description: FIBRE DATA - FDPF 4001 EH (100M) - Glasfaserkabel, Polymerfaser, 1mm, 1 Faser(n), 2.2 mm, 328 ft, 100 m
tariffCode: 85447000
Faserdurchmesser: 1mm
Fasertyp: Polymerfaser
Länge auf Rolle (metrisch): 100m
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Mantelmaterial: PE
Länge auf Rolle (imperial): 328ft
usEccn: EAR99
Mantelfarbe: Grau
euEccn: NLR
Außendurchmesser: 2.2mm
Anzahl der Fasern: 1Fibres
Produktpalette: FDPF
productTraceability: No
SVHC: To Be Advised

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	9266.79 грн

FDPF 4002 EH

Description: FIBRE DATA - FDPF 4002 EH - Glasfaserkabel, Polymer, Duplex, Polymerfaser, 1mm, 2 Faser(n), 4.4 mm, 65 ft, 20 m
tariffCode: 85447000
Faserdurchmesser: 1mm
Fasertyp: Polymerfaser
Länge auf Rolle (metrisch): 20m
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Mantelmaterial: PE
Länge auf Rolle (imperial): 65ft
usEccn: EAR99
Mantelfarbe: Grau
euEccn: NLR
Außendurchmesser: 4.4mm
Anzahl der Fasern: 2Fibres
Produktpalette: FDPF
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 136 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	3217.71 грн
5+	3003.25 грн
10+	2789.58 грн
50+	2481.96 грн

FDPF 4002 EH (100M)

Description: FIBRE DATA - FDPF 4002 EH (100M) - Glasfaserkabel, Polymerfaser, 1mm, 2 Faser(n), 4.4 mm, 328 ft, 100 m
tariffCode: 85447000
Faserdurchmesser: 1mm
Fasertyp: Polymerfaser
Länge auf Rolle (metrisch): 100m
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Mantelmaterial: PE
Länge auf Rolle (imperial): 328ft
usEccn: EAR99
Mantelfarbe: Grau
euEccn: NLR
Außendurchmesser: 4.4mm
Anzahl der Fasern: 2Fibres
Produktpalette: FDPF
productTraceability: No
SVHC: To Be Advised

на замовлення 8 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	16641.27 грн
5+	15111.65 грн

FDPF-210-05R

AUTONICS

Category: Fiber-Optic Sensors
Description: Sensor: fiber-optic; Range: 0÷70mm; Oper.mode: diffuse-reflective
Type of sensor: fiber-optic
Range: 0...70mm
Operation mode: diffuse-reflective
Operating temperature: -30...70°C
Cable length: 1m
Sensors features: flexible
Related items: BF5R-D1-N; BF5R-D1-P; BF5R-S1-N; BF5R-S1-P; BFX-D1-N; BFX-D1-P
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

FDPF-210-05R

AUTONICS

товар відсутній

FDPF035N06B

Description: 88A, 60V, 0.0035OHM, N CHANNEL ,
Packaging: Bulk
Part Status: Active

на замовлення 187137 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

243+	88.27 грн

Мінімальне замовлення: 243

FDPF035N06B

Description: ONSEMI - FDPF035N06B - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99

на замовлення 177137 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

292+	90.67 грн

Мінімальне замовлення: 292

FDPF035N06B-F152

Trans MOSFET N-CH 60V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube

товар відсутній

FDPF035N06B-F154

N Channel Power Trench MOSFET

товар відсутній

FDPF035N06B-F154

MOSFET FET 60V 3.5 MOHM TO220F

на замовлення 354 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	243.54 грн
10+	215.81 грн
100+	150.41 грн
500+	107.54 грн
1000+	90.67 грн
2000+	86.45 грн
5000+	84.34 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDPF035N06B-F154

Description: MOSFET N-CH 60V 88A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 46.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8030 pF @ 30 V

товар відсутній

FDPF035N06B_F152

Description: MOSFET N-CH 60V 88A TO220F-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 46.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8030 pF @ 30 V

товар відсутній

FDPF041N06BL1

Description: MOSFET N-CH 60V 77A TO220F
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 77A, 10V
Power Dissipation (Max): 44.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5690 pF @ 30 V

на замовлення 315 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

315+	79.71 грн

Мінімальне замовлення: 315

FDPF041N06BL1

Trans MOSFET N-CH Si 60V 77A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube

товар відсутній

FDPF041N06BL1

Trans MOSFET N-CH Si 60V 77A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube

товар відсутній

FDPF041N06BL1