![FDP8874 FDP8874](https://export.farnell.com/productimages/standard/en_GB/GE3TO220-40.jpg)
FDP8874 ONSEMI
![ONSM-S-A0013339741-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0](/images/adobe-acrobat.png)
Description: ONSEMI - FDP8874 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 114 A, 0.0053 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 114A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 142470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
800+ | 88.34 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDP8874 ONSEMI
Description: ONSEMI - FDP8874 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 114 A, 0.0053 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 114A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції FDP8874
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
FDP8874 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
FDP8874 | Виробник : FAIRCHIL |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
![]() |
FDP8874 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|
FDP8874 | Виробник : Fairchild Semiconductor |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 114A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 15 V |
товар відсутній |
||
![]() |
FDP8874 | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
товар відсутній |