FDP023N08B-F102 ONSEMI
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDP023N08B-F102 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - FDP023N08B-F102 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 20529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1000+ | 167.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDP023N08B-F102 ONSEMI
Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.35mOhm @ 75A, 10V, Power Dissipation (Max): 245W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13765 pF @ 37.5 V.
Інші пропозиції FDP023N08B-F102 за ціною від 118.69 грн до 282.82 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FDP023N08B-F102 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.35mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 245W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13765 pF @ 37.5 V |
на замовлення 703 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDP023N08B-F102 | Виробник : onsemi / Fairchild | MOSFET FET 75V 2.35 MOHM TO220 |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDP023N08B-F102 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 75V 242A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
FDP023N08B-F102 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 75V 242A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |