FDP4D5N10C ON Semiconductor
на замовлення 728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 195.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDP4D5N10C ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 128A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 128A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 310µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5065 pF @ 50 V.
Інші пропозиції FDP4D5N10C за ціною від 184.68 грн до 413.12 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FDP4D5N10C | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 100V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 728 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDP4D5N10C | Виробник : onsemi |
MOSFET FET 100V 128A 4.5 mOhm |
на замовлення 48 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDP4D5N10C | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 128A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 128A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 310µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5065 pF @ 50 V |
на замовлення 573 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| FDP4D5N10C | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDP4D5N10C - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: NO euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NO usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 3452 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| FDP4D5N10C | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 356 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
|
FDP4D5N10C | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
FDP4D5N10C | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| FDP4D5N10C | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |