Продукція > FDB

Description: BOARD EVAL GBIC TXRX

товар відсутній

FDB-1012

GBIC EVALUATION BOARD FDB
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

FDB-1017

Description: BOARD EVAL 2X5 SFF TXRX
Packaging: Bulk
Function: Fiber Optic Transceiver, SFF
Type: Telecom
Utilized IC / Part: SFF Modules
Supplied Contents: Board(s)
Embedded: No

товар відсутній

FDB-1017

FTRJ-8519-1-2.5/FTRJ-1319-1-2.5 Fiber Optic Transceiver Evaluation Board

товар відсутній

FDB-1017

EVALUATION BOARD FOR 2X5 PIN SFF FOOTPRINT PACKAGE FDB
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

FDB-1018

товар відсутній

FDB-1019

EVALUATION BOARD FOR 2X10 PIN SFF FOOTPRINT PACKAGE FDB
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

FDB-1019

Fibre Optic Development Tools Evaluation board for 2x10 pin SFF footpr

товар відсутній

FDB-1019

Description: BOARD EVAL 2X10 SFF TXRX
Packaging: Bulk
Function: Fiber Optic Transceiver, SFF
Type: Telecom
Utilized IC / Part: SFF Modules
Supplied Contents: Board(s)
Embedded: No

товар відсутній

FDB-1019

Evaluation Board for 2X10 Pin

товар відсутній

FDB-1022

Fibre Optic Development Tools XFP evaluation board

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	51097.71 грн

FDB-1022

Description: EVAL BOARD XFP
Packaging: Bulk
Function: Fiber Optic Transceiver, XFP
Type: Telecom
Utilized IC / Part: XFP Modules
Supplied Contents: Board(s)
Embedded: No

товар відсутній

FDB-1022

XFP Fiber Optic Transceiver Evaluation Board

товар відсутній

FDB-1022

Fibre Optic Development Tools XFP evaluation board

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	51097.71 грн

FDB-1022

XFP Evaluation Board FDB
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

FDB-1027

FTLF8528P2BCV Fiber Optic Transceiver Development Kit

товар відсутній

FDB-1027

Evaluation board for pluggable SFP/SFP+ footprint package FDB-1027
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

FDB-1027

Description: EVAL BOARD SFP/SFP+
Packaging: Bulk
Function: Fiber Optic Transceiver, SFP/SFP+
Type: Telecom
Utilized IC / Part: SFP/SFP+ Modules
Supplied Contents: Board(s), Cable(s)
Primary Attributes: SFP/SFP+ TXRX of 125Mb/s to 14.025Gb/s
Embedded: No
Part Status: Obsolete

товар відсутній

FDB-1032-SFP+

Fibre Optic Development Tools Evaluation board for pluggable SFP/SFP+

на замовлення 38 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	96063.7 грн

FDB-1032-SFP+

Description: EVALUATION BOARD FOR PLUGGABLE S
Packaging: Bulk
Function: Fiber Optic Transceiver, SFP/SFP+
Type: Telecom
Utilized IC / Part: SFP+ Modules
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Active

на замовлення 5 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	85228.11 грн

FDB-1032-SFP+

Evaluation Board For Pluggable

товар відсутній

FDB-1032-SFP+

Fibre Optic Development Tools Evaluation board for pluggable SFP/SFP+

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	96063.7 грн

FDB-1032-SFP+

EVALUATION BOARD FOR PLUGGABLE

товар відсутній

FDB-1033

Description: BOARD LASERWIRE 1-10.5GBPS SMA

товар відсутній

FDB-1033

Laserwire Evaluation Board, 1 - 10.5 Gbps, Laserwire Jack, SMA connectors EVALBOARD
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

FDB-1034

FDB-1034
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

FDB-1038-10BK

40G/100G CFP Breakout Board

товар відсутній

FDB-1038-10BK

Fibre Optic Development Tools 40G/100G CFP Brk/out Board (no cables)

товар відсутній

FDB-1038-10BK

Description: BOARD BREAKOUT 40G/100G CFP
Packaging: Bulk
Supplied Contents: Board(s)
Contents: Board(s)

товар відсутній

FDB-1038-10BK

40G/100G CFP Breakout Board

товар відсутній

FDB-1040-EL

Description: BACK BD 40G/100G CFP ELEC LOOP
Packaging: Bulk

товар відсутній

FDB-1040-EL

Fibre Optic Development Tools 40G/100G CFP Electrical Loop Back Board w/USB Interface (without cables)

товар відсутній

FDB-1040-EL

Fibre Optic Development Tools 40G/100G CFP Electrical Loop Back Board w/USB Interface (without cables)

товар відсутній

FDB-1040-EL

40G/100G CFP Electrical Loop B

товар відсутній

FDB-1040-EL

Fiber Optic Development Tools 40G/100G CFP Electrical Loop Back Board w/USB Interface (without cables)

товар відсутній

FDB-1042

Quadwire/QSFP Breakout Evaluation Board, 1 - 10.5 Gbps, QSFP cage, SMP conn FDB
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

FDB-1042

Description: EVAL BOARD QSFP
Packaging: Bulk
Function: Fiber Optic Transceiver, QSFP
Type: Telecom
Utilized IC / Part: QSFP Modules
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Obsolete

товар відсутній

FDB-1043

Description: EVAL BOARD C.WIRE SMP
Packaging: Box
Function: Fiber Optic Transceiver, CXP
Type: Telecom
Utilized IC / Part: CXP Modules
Supplied Contents: Board(s)

товар відсутній

FDB-1043

Fibre Optic Development Tools Breakout Eval Brd C.wr/CXP 1-12.5Gbps

товар відсутній

FDB-1043

CXP Fiber Optic Transceiver Evaluation Board

товар відсутній

FDB-1043

C.wire/CXP Breakout Evaluation Board, 1 - 12.5 Gbps, CXP cage, SMP connecto EVALBOARD
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

FDB-1043

Fibre Optic Development Tools Breakout Eval Brd C.wr/CXP 1-12.5Gbps

товар відсутній

FDB-1044

XFP Evaluation Board for T-XFP

товар відсутній

FDB-1044

Description: EVAL BRD T-XFP
Packaging: Bulk
Function: Fiber Optics
Type: Interface
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Active

товар відсутній

FDB-1044

Fiber Optic Development Tools XFP evaluation board tion board for T-XF

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	94.93 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDB-1045

Evaluation Board for 12X10 GBP

товар відсутній

FDB-1045

Description: BOARD EVAL 12X10GBPS OPT ENGINE
Packaging: Bulk
Supplied Contents: Board(s)
Contents: Board(s)

товар відсутній

FDB-1045

Fibre Optic Development Tools Eval Brd 12X10Gbps Optical Engine

товар відсутній

FDB-1045

Evaluation Board for 12X10 GBP

товар відсутній

FDB-1047-CL

Fibre Optic Development Tools Endurance Evaluation Board, Fixture & Clamp for Module (No soldering)

товар відсутній

FDB-1047-CL

Endurance Evaluation Board, Fixture & Clamp for Module (No soldering)

товар відсутній

FDB-1047-CL

Description: BOARD EVAL ENDURANCE NO SOLDER
Packaging: Bulk
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Discontinued at Digi-Key

товар відсутній

FDB-1047-S

Description: BOARD EVAL ENDURANCE SOLDER
Packaging: Bulk
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Active

товар відсутній

FDB-1047-S

Fibre Optic Development Tools Endurance Evaluation Board (Module solders down to board)

товар відсутній

FDB-1048

Description: WAVELENGTH TUNING BOX
Packaging: Bulk
Function: Fiber Optic Transceiver, SFP+/XFP
Type: Telecom
Utilized IC / Part: SFP+/XFP Modules
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: Tunable
Part Status: Active

товар відсутній

FDB-1048

Fiber Optic Development Tools Wavelength Tuning Bo x for T-XFP & T-SFP+

товар відсутній

FDB-1048

WAVELENGTH TUNING BOX FOR T-XF

товар відсутній

FDB-1050

Fibre Optic Development Tools Evaluation board for 12X25 Gbps Optical Engine LPFN (4 cables incl.) Finisar pin-out

товар відсутній

FDB-1051

Fibre Optic Development Tools Quadwire/QSFP Breakout Evaluation Board, 1 - 28 Gbps, QSFP cage, SMP connectors

на замовлення 13 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	139370.39 грн

FDB-1051

Fibre Optic Development Tools Quadwire/QSFP Breakout Evaluation Board, 1 - 28 Gbps, QSFP cage, SMP connectors

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	139370.39 грн

FDB-1051

Quadwire/QSFP Breakout Evaluation

товар відсутній

FDB-1051

Description: EVAL BOARD FOR QSFP
Packaging: Bulk
Function: Fiber Optic Transceiver, QSFP
Type: Telecom
Utilized IC / Part: QSFP Modules
Supplied Contents: Board(s)

товар відсутній

FDB-1052

Evaluation Board for Tunable S

товар відсутній

FDB-1052

Fibre Optic Development Tools Evaluation board for rd for Tunable SFP+.

товар відсутній

FDB-1052

Description: EVAL BRD TUNABLE SFP+.
Packaging: Bulk
Function: Fiber Optics
Type: Interface
Supplied Contents: Board(s)

товар відсутній

FDB-1052

Fibre Optic Development Tools Evaluation board for rd for Tunable SFP+.

товар відсутній

FDB-1052

Evaluation Board for Tunable S

товар відсутній

FDB-1053-10BK-EL

100G CFP2 Breakout/Loopback

товар відсутній

FDB-1053-10BK-EL

Fiber Optic Development Tools 100G CFP2 Breakout & Loopback Board (without cables)

товар відсутній

FDB-1053-10BK-EL

Description: 100G CFP2 BREAKOUT/LOOPBACK BRD
Packaging: Bulk
Function: Fiber Optics
Type: Interface
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Active

товар відсутній

FDB-1054-4BK

Fibre Optic Development Tools 100G CFP4 Breakout Board (without cables)

товар відсутній

FDB-1054-4BK

100G CFP4 Breakout Board

товар відсутній

FDB-1054-4BK

Fibre Optic Development Tools 100G CFP4 Breakout Board (without cables)

товар відсутній

FDB-1054-4BK

Description: 100G CFP4 BREAKOUT BRD W/O CBL
Packaging: Bulk
Function: Fiber Optics
Type: Interface
Supplied Contents: Board(s)

товар відсутній

FDB-1057

Fibre Optic Development Tools Evaluation board for 12X25 Gbps Optical Engine LPTE (4 cables incl.) TE-MBOM pin-out

товар відсутній

FDB-1057

Evaluation board for 12X25 Gbps Optical Engine LPTE (4 cables incl.)TE-MBOM pin-out

товар відсутній

FDB-1061-EL-BT

Fiber Optic Development Tools QSFP-DD Evaluation Kit: Breakout + loopback + BERT

товар відсутній

FDB-1062-ITTRA-RF-MMPX

Fiber Optic Development Tools ITTRA evaluation board with RF break-out

товар відсутній

FDB-1067-CFP2-DCO

Fiber Optic Development Tools 200G/400G CFP2-DCO evaluation board (line side testing only)

товар відсутній

FDB-1068-QSFP-DD-DCO

Fiber Optic Development Tools 400G QSFP-DD-DCO evaluation board (line side testing only)

товар відсутній

FDB-2 24-M

Category: Surge Arresters
Description: Surge arrestor; Type 2+3; Poles: 2; 22VAC; M20x1.5; -20÷70°C; 32VDC
Mounting: M20x1.5
Operating temperature: -20...70°C
IP rating: IP65; IP67
Leads: leads 250mm
Kind of surge arrester: Type 2+3
Conform to the norm: ATEX Ex
Type of protection: surge arrester
Number of poles: 2
Max. operating voltage: 22V AC; 32V DC

товар відсутній

FDB-2 24-M

товар відсутній

FDB-2 24-N

Category: Surge Arresters
Description: Surge arrestor; Type 2+3; Poles: 2; 22VAC; 1/2" NPT; -20÷70°C
IP rating: IP65; IP67
Operating temperature: -20...70°C
Conform to the norm: ATEX Ex
Mounting: 1/2" NPT
Type of protection: surge arrester
Number of poles: 2
Max. operating voltage: 22V AC; 32V DC
Leads: leads 250mm
Kind of surge arrester: Type 2+3

товар відсутній

FDB-2 24-N

товар відсутній

FDB-25P(05)

Description: CONN D-SUB PLUG PNL MNT
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Features: Feed Through, Grounding Indents
Connector Type: Plug, Male Pins
Contact Finish: Gold
Current Rating (Amps): 1A
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 25
Number of Rows: 2
Contact Type: Signal
Flange Feature: Housing/Shell (Unthreaded)
Termination: IDC, Ribbon Cable
Connector Style: D-Sub
Contact Finish Thickness: 8.00µin (0.203µm)
Shell Material, Finish: Steel, Nickel Plated
Shell Size, Connector Layout: 3 (DB, B)
Primary Material: Metal

на замовлення 9 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1806.54 грн

FDB-25P(05)

D-Sub Standard Connectors

на замовлення 28 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1982.2 грн
10+	1746.42 грн
50+	1418.64 грн
100+	1394 грн
250+	1354.88 грн
500+	1336.04 грн
1000+	1321.55 грн

FDB-25P(51)

D-Sub Standard Connectors

товар відсутній

FDB-25P0L2TI2/1-LF

Filter D Straight Solder PCB

товар відсутній

FDB-25PBL2TI2/1-LF

Filter D Connector 25way Plug

товар відсутній

FDB-25PBL2TI2/1-LF

Description: CINCH CONNECTIVITY SOLUTIONS - FDB-25PBL2TI2/1-LF - D-Sub-Steckverbinder, Gefiltert, Stecker, Cinch - FD, 25 Kontakt(e), DB, Lötanschluss
tariffCode: 85369010
rohsCompliant: YES
Kontaktüberzug: Kontakte beschichtet mit Gold über Nickel
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kontaktmaterial: Kupferlegierung
Ausführung: Stecker
Steckverbindermontage: Durchsteckmontage
usEccn: EAR99
D-Sub-Steckverbinder: Gefiltert
Anzahl der Kontakte: 25Kontakt(e)
euEccn: NLR
D-Sub-Gehäusegröße: DB
Produktpalette: Cinch - FD
productTraceability: No
Kontaktanschluss: Lötanschluss
Steckverbindermaterial: Stahlgehäuse

на замовлення 5 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	3659.94 грн
5+	3425.05 грн

FDB-25PF(05)

Description: CONN D-SUB PLUG PNL MNT
Features: Feed Through, Grounding Indents
Packaging: Bulk
Connector Type: Plug, Male Pins
Contact Finish: Gold
Current Rating (Amps): 1A
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 25
Number of Rows: 2
Contact Type: Signal
Flange Feature: Housing/Shell (Unthreaded)
Termination: IDC, Ribbon Cable
Connector Style: D-Sub
Shell Material, Finish: Steel, Nickel Plated
Shell Size, Connector Layout: 3 (DB, B)
Primary Material: Metal

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1975.05 грн
10+	1664.92 грн

FDB-25PF(05)

D-Sub Standard Connectors

товар відсутній

FDB-25PTI2/1-LF

Description: CINCH CONNECTIVITY SOLUTIONS - FDB-25PTI2/1-LF - D-Sub-Steckverbinder, Gefiltert, Stecker, Cinch - FD, 25 Kontakt(e), DB, IDC / IDT
tariffCode: 85366990
rohsCompliant: YES
Kontaktüberzug: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kontaktmaterial: -
Ausführung: Stecker
Steckverbindermontage: Kabelmontage, Panelmontage
usEccn: EAR99
D-Sub-Steckverbinder: Gefiltert
Anzahl der Kontakte: 25Kontakt(e)
euEccn: NLR
D-Sub-Gehäusegröße: DB
Produktpalette: Cinch - FD
productTraceability: No
Kontaktanschluss: IDC / IDT
Steckverbindermaterial: Metallgehäuse
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 33 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	3165.77 грн
5+	2961.76 грн
10+	2813.84 грн
25+	2517.75 грн

FDB-25PTI2/1-LF

Conn Filtered D-Sub PIN 25 POS Solder RA Thru-Hole 25 Terminal 1 Port

товар відсутній

FDB-25S(05)

HIROSE

Category: Other Hirose Connectors
Description: FDB-25S(05)

товар відсутній

FDB-25S(05)

Description: CONN D-SUB RCPT PNL MNT
Features: Feed Through
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle, Female Sockets
Contact Finish: Gold
Current Rating (Amps): 1A
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 25
Number of Rows: 2
Contact Type: Signal
Flange Feature: Housing/Shell (Unthreaded)
Termination: IDC, Ribbon Cable
Connector Style: D-Sub
Shell Material, Finish: Steel, Nickel Plated
Shell Size, Connector Layout: 3 (DB, B)
Part Status: Active
Primary Material: Metal

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	2152.96 грн
10+	1815.26 грн

FDB-25S(05)

D-Sub Standard Connectors

на замовлення 354 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	2158.02 грн
10+	1646.43 грн
30+	1430.95 грн
50+	1430.23 грн
100+	1429.5 грн
250+	1428.78 грн
500+	1330.24 грн

FDB-25S(05)

HIROSE

Category: Other Hirose Connectors
Description: FDB-25S(05)
кількість в упаковці: 100 шт

товар відсутній

FDB-25S0L2T2/1-LF

25 way Filter D Connector Socket

товар відсутній

FDB-25SBL2T2/1-LF

Description: CINCH CONNECTIVITY SOLUTIONS - FDB-25SBL2T2/1-LF - D-Sub-Steckverbinder, Gefiltert, Buchse, Cinch - FD, 25 Kontakt(e), DB, Lötanschluss
tariffCode: 85369010
rohsCompliant: YES
Kontaktüberzug: Kontakte beschichtet mit Gold über Nickel
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kontaktmaterial: Kupferlegierung
Ausführung: Buchse
Steckverbindermontage: Durchsteckmontage
usEccn: EAR99
D-Sub-Steckverbinder: Gefiltert
Anzahl der Kontakte: 25Kontakt(e)
euEccn: NLR
D-Sub-Gehäusegröße: DB
Produktpalette: Cinch - FD
productTraceability: No
Kontaktanschluss: Lötanschluss
Steckverbindermaterial: Stahlgehäuse
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 390 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	2697.61 грн
5+	2166.05 грн
10+	2027.07 грн
25+	1792.47 грн
50+	1574.47 грн
100+	1527.09 грн
200+	1451.16 грн

FDB-25SBL2T2/1-LF

Filter D Connector 25way Socket RS0049000000L1K

товар відсутній

FDB-25ST2/1-LF

Description: CINCH CONNECTIVITY SOLUTIONS - FDB-25ST2/1-LF - D-Sub-Steckverbinder, Gefiltert, Buchse, Cinch - FD, 25 Kontakt(e), DB, Lötanschluss
tariffCode: 85366930
rohsCompliant: YES
Kontaktüberzug: Kontakte beschichtet mit Gold über Nickel
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kontaktmaterial: Kupferlegierung
Ausführung: Buchse
Steckverbindermontage: Durchsteckmontage
usEccn: EAR99
D-Sub-Steckverbinder: Gefiltert
Anzahl der Kontakte: 25Kontakt(e)
euEccn: NLR
D-Sub-Gehäusegröße: DB
Produktpalette: Cinch - FD
productTraceability: No
Kontaktanschluss: Lötanschluss
Steckverbindermaterial: Stahlgehäuse
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 88 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	3379.53 грн
5+	3162.52 грн
10+	3004.03 грн
25+	2687.57 грн
50+	2366.58 грн

FDB-25ST2/1-LF

Conn Filtered D-Sub SKT 25 POS Solder RA Thru-Hole 25 Terminal 1 Port

товар відсутній

FDB-3

Plato

Chemicals CAP 10/PACK

товар відсутній

FDB-3 24-M

Category: Surge Arresters
Description: Surge arrestor; Type 2+3; Poles: 3; 22VAC; M20x1.5; -20÷70°C; 32VDC
Mounting: M20x1.5
IP rating: IP65; IP67
Operating temperature: -20...70°C
Max. operating voltage: 22V AC; 32V DC
Leads: leads 250mm
Kind of surge arrester: Type 2+3
Conform to the norm: ATEX Ex
Type of protection: surge arrester
Number of poles: 3
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

FDB-3 24-M

товар відсутній

FDB-3 24-N

Category: Surge Arresters
Description: Surge arrestor; Type 2+3; Poles: 3; 22VAC; 1/2" NPT; -20÷70°C
Mounting: 1/2" NPT
IP rating: IP65; IP67
Operating temperature: -20...70°C
Max. operating voltage: 22V AC; 32V DC
Leads: leads 250mm
Kind of surge arrester: Type 2+3
Conform to the norm: ATEX Ex
Type of protection: surge arrester
Number of poles: 3

товар відсутній

FDB-3 24-N

товар відсутній

FDB-4

Plato

Chemicals YELLOWCAP 10/PACK

товар відсутній

FDB-GP

Description: CONN GUIDE PLATE

товар відсутній

FDB-P

Bench Top Tools BLOOK FOR PLUG CONN PRESSURE

товар відсутній

FDB-P

Description: CONN PRESSURE BLOOK FOR PLUG

товар відсутній

FDB-S

Description: CONN PRESSURE BLOOK FOR SKT

товар відсутній

FDB0105N407L

Trans MOSFET N-CH 40V 460A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB0105N407L

на замовлення 790 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB0105N407L

Description: MOSFET N-CH 40V 460A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 291 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23100 pF @ 20 V

товар відсутній

FDB0105N407L

Trans MOSFET N-CH 40V 460A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB0105N407L

Description: ONSEMI - FDB0105N407L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 460 A, 600 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Verlustleistung: 300
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 600
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

товар відсутній

FDB0105N407L

Trans MOSFET N-CH 40V 460A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB0105N407L

Description: MOSFET N-CH 40V 460A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 291 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23100 pF @ 20 V

товар відсутній

FDB0105N407L

MOSFET 40V N-Channel Power Trench MOSFET

на замовлення 1555 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	366.01 грн
10+	329.12 грн
25+	281.84 грн
100+	254.31 грн
250+	249.24 грн
500+	218.81 грн

FDB0105N407L

Description: ONSEMI - FDB0105N407L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 460 A, 600 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 460
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 600
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 600
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

товар відсутній

FDB0105N407L
Код товару: 155287

товар відсутній

FDB0105N407L

Trans MOSFET N-CH 40V 460A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB0165N807L

Trans MOSFET N-CH 80V 310A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB0165N807L

MOSFETs 150V 7L JEDEC GREEN EMC

на замовлення 2924 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	510.55 грн
10+	463.27 грн
25+	402.12 грн
100+	368.79 грн
250+	367.34 грн
500+	340.53 грн
800+	305.75 грн

FDB0165N807L

Description: MOSFET N-CH 80V 310A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 304 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23660 pF @ 40 V

на замовлення 1791 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	637.97 грн
10+	420.91 грн
100+	311.51 грн

FDB0165N807L

Description: MOSFET N-CH 80V 310A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 304 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23660 pF @ 40 V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	293.4 грн

Мінімальне замовлення: 800

FDB016N04AL7

Description: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 283W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11600 pF @ 25 V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	183.16 грн

Мінімальне замовлення: 800

FDB016N04AL7

Description: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 283W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11600 pF @ 25 V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	303.31 грн
10+	245.28 грн
100+	198.42 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDB016N04AL7

Trans MOSFET N-CH Si 40V 306A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB016N04AL7

на замовлення 740 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB016N04AL7

MOSFET 40V N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 769 шт:

термін постачання 241-250 дні (днів)

1+	388.83 грн
100+	344.95 грн
500+	263.73 грн

FDB0170N607L

Description: MOSFET N-CH 60V 300A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 39A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 243 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19250 pF @ 30 V

на замовлення 43200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	139.41 грн

Мінімальне замовлення: 800

FDB0170N607L

Trans MOSFET N-CH 60V 300A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB0170N607L

Trans MOSFET N-CH 60V 300A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB0170N607L

MOSFETs 60V TO263 7L JEDEC GREEN EMC

на замовлення 13497 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	377 грн
10+	267.46 грн
100+	166.64 грн
800+	165.92 грн

FDB0170N607L

Description: MOSFET N-CH 60V 300A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 39A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 243 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19250 pF @ 30 V

на замовлення 43945 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	364.44 грн
10+	233.66 грн
100+	167.06 грн

FDB0190N807L

Trans MOSFET N-CH 80V 270A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB0190N807L

Description: MOSFET N-CH 80V 270A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 249 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19110 pF @ 40 V

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	409.9 грн
10+	331.78 грн
100+	268.41 грн

FDB0190N807L

Trans MOSFET N-CH 80V 270A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB0190N807L

MOSFETs 80V TO263 7L JEDEC GREEN EMC

на замовлення 6395 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	447.16 грн
10+	337.45 грн
100+	212.29 грн
500+	198.52 грн
800+	186.21 грн

FDB0190N807L

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 190A; Idm: 1440A; 250W; D2PAK-6
Mounting: SMD
Gate charge: 249nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1.44kA
Case: D2PAK-6
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 190A
On-state resistance: 4.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

FDB0190N807L

Description: MOSFET N-CH 80V 270A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 249 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19110 pF @ 40 V

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	247.76 грн
1600+	204.29 грн

Мінімальне замовлення: 800

FDB0190N807L

Trans MOSFET N-CH 80V 270A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	273.34 грн
10+	251.51 грн
25+	251.43 грн
100+	210.46 грн
250+	191.55 грн
500+	177.36 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDB0190N807L

товар відсутній

FDB0190N807L

Description: ONSEMI - FDB0190N807L - MOSFET, N-CH, 80V, 270A, 175DEG C, 250W
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 270
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 250
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9
Verlustleistung: 250
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 7
Produktpalette: Power Trench Series
Wandlerpolarität: N Channel
Kanaltyp: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0013
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013
SVHC: Lead

товар відсутній

FDB024N04AL7

Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 25 V

товар відсутній

FDB024N04AL7

Trans MOSFET N-CH 40V 219A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB024N04AL7

Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO263-7
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 25 V

на замовлення 29849 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

105+	206.94 грн

Мінімальне замовлення: 105

FDB024N04AL7

MOSFET 40V 2.4MOHM D2PAK-7L PowerTrench MOSFET

на замовлення 816 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	464.91 грн
10+	412.44 грн
25+	339.08 грн
100+	294.16 грн

FDB024N06

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 190A; Idm: 1060A; 395W; D2PAK
Mounting: SMD
Power dissipation: 395W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 226nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1060A
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 190A
On-state resistance: 2.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

FDB024N06

Description: ONSEMI - FDB024N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0018 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 120
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 395
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
Verlustleistung: 395
Bauform - Transistor: TO-263AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018
SVHC: Lead (27-Jun-2018)

товар відсутній

FDB024N06

Trans MOSFET N-CH Si 60V 265A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB024N06

Trans MOSFET N-CH Si 60V 265A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 67 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	364.94 грн
10+	282.17 грн
25+	279.35 грн
50+	181.56 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDB024N06

MOSFETs 60V N-Channel PowerTrench

на замовлення 1361 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	411.66 грн
10+	314.12 грн
25+	250.69 грн
100+	210.11 грн
500+	206.49 грн
800+	186.21 грн

FDB024N06

Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 226 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14885 pF @ 25 V

товар відсутній

FDB024N06

товар відсутній

FDB024N06

товар відсутній

FDB024N06

Trans MOSFET N-CH Si 60V 265A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB024N06

Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 226 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14885 pF @ 25 V

товар відсутній

FDB024N06

Trans MOSFET N-CH Si 60V 265A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 67 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

61+	202.77 грн

Мінімальне замовлення: 61

FDB024N08BL7

Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 246W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13530 pF @ 40 V

на замовлення 95200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	154.16 грн

Мінімальне замовлення: 800

FDB024N08BL7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 162A; Idm: 916A; 246W; D2PAK
Mounting: SMD
Power dissipation: 246W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 178nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 916A
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 162A
On-state resistance: 2.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET

товар відсутній

FDB024N08BL7

Trans MOSFET N-CH Si 80V 229A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB024N08BL7

Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 246W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13530 pF @ 40 V

на замовлення 95552 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	395.01 грн
10+	254.11 грн
100+	182.31 грн

FDB024N08BL7

товар відсутній

FDB024N08BL7

Description: ONSEMI - FDB024N08BL7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 0.0017 ohm, TO-263 (D2PAK)
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 120
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 246
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0017
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4.5
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

товар відсутній

FDB024N08BL7

MOSFETs 80V N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 6149 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	403.2 грн
10+	283.29 грн
100+	177.51 грн
800+	149.98 грн

FDB0250N807L

Description: MOSFET N-CH 80V 240A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15400 pF @ 40 V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	239.67 грн

Мінімальне замовлення: 800

FDB0250N807L

на замовлення 760 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB0250N807L

Description: ONSEMI - FDB0250N807L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 240 A, 0.0016 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 133 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	420.21 грн
10+	367.38 грн
100+	304.79 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDB0250N807L

MOSFET 80V TO263 7L JEDEC GREEN EMC

товар відсутній

FDB0250N807L

Description: MOSFET N-CH 80V 240A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15400 pF @ 40 V

на замовлення 940 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	397.36 грн
10+	320.98 грн
100+	259.65 грн

FDB0250N807L

на замовлення 133 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	304.79 грн

Мінімальне замовлення: 100

FDB0250N807L

Trans MOSFET N-CH 80V 240A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB0260N1007L

MOSFETs 100V TO263 7L JEDEC GREEN EMC

товар відсутній

FDB0260N1007L

Description: MOSFET N-CH 100V 200A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8545 pF @ 50 V

на замовлення 2400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	355.34 грн

Мінімальне замовлення: 800

FDB0260N1007L

Description: ONSEMI - FDB0260N1007L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 200 A, 0.0023 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pins
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 512 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	805.46 грн
5+	642.09 грн
10+	551.06 грн
50+	457.36 грн
100+	405.46 грн
250+	397.8 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDB0260N1007L

Trans MOSFET N-CH 100V 200A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB0260N1007L

Description: MOSFET N-CH 100V 200A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8545 pF @ 50 V

на замовлення 2803 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	737.51 грн
10+	490.95 грн
100+	366.62 грн

FDB029N06

Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9815 pF @ 25 V

товар відсутній

FDB029N06

Trans MOSFET N-CH Si 60V 193A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB029N06

Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9815 pF @ 25 V

на замовлення 15899 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

73+	303.81 грн

Мінімальне замовлення: 73

FDB029N06

Trans MOSFET N-CH Si 60V 193A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB029N06

на замовлення 5208 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

73+	303.81 грн

Мінімальне замовлення: 73

FDB029N06

MOSFET NCH 60V 2.9Mohm

на замовлення 802 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	437.86 грн
10+	401.61 грн
25+	336.91 грн
100+	302.85 грн
250+	299.96 грн
500+	278.95 грн
800+	244.89 грн

FDB029N06

Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9815 pF @ 25 V

товар відсутній

FDB0300N1007L

Trans MOSFET N-CH 100V 200A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 680 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	470.83 грн
10+	415.6 грн
25+	395.75 грн
100+	328.94 грн
250+	232.44 грн
500+	220.92 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDB0300N1007L

Description: ONSEMI - FDB0300N1007L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 200 A, 0.0024 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 200
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 250
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0024
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2.7
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

товар відсутній

FDB0300N1007L

MOSFETs 100V TO263 7L JEDEC GREEN EMC

на замовлення 617 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	409.12 грн
10+	349.12 грн
100+	287.64 грн
800+	221.71 грн

FDB0300N1007L

Description: MOSFET N-CH 100V 200A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8295 pF @ 50 V

на замовлення 1635 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	481.22 грн
10+	312.98 грн
100+	227.62 грн

FDB0300N1007L

Trans MOSFET N-CH 100V 200A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB0300N1007L

Trans MOSFET N-CH 100V 200A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB0300N1007L

Description: MOSFET N-CH 100V 200A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8295 pF @ 50 V

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	202.18 грн

Мінімальне замовлення: 800

FDB031N08

Description: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15160 pF @ 25 V

товар відсутній

FDB031N08

Trans MOSFET N-CH Si 75V 235A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB031N08

Trans MOSFET N-CH Si 75V 235A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB031N08

Description: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15160 pF @ 25 V

товар відсутній

FDB031N08

Trans MOSFET N-CH Si 75V 235A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB031N08

MOSFETs 75V N-Channel PowerTrench

товар відсутній

FDB031N08

Trans MOSFET N-CH Si 75V 235A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB035AN06A0

Trans MOSFET N-CH 60V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 190 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	425.34 грн
10+	377.18 грн
25+	373.46 грн
100+	293.66 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDB035AN06A0

Description: MOSFET N-CH 60V 22A/80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 25 V

на замовлення 11200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	179.61 грн

Мінімальне замовлення: 800

FDB035AN06A0

Trans MOSFET N-CH 60V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 190 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

27+	458.06 грн
31+	402.18 грн
100+	316.25 грн

Мінімальне замовлення: 27

FDB035AN06A0

MOSFETs N-Channel PowerTrench

на замовлення 3430 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	429.41 грн
10+	354.95 грн
25+	291.26 грн
100+	249.96 грн
250+	236.2 грн
500+	221.71 грн
800+	197.07 грн

FDB035AN06A0

Trans MOSFET N-CH 60V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB035AN06A0

Trans MOSFET N-CH 60V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB035AN06A0

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 310W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 310W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 124nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
On-state resistance: 7.1mΩ

на замовлення 222 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	368.19 грн
4+	269.44 грн
9+	254.34 грн
100+	245.28 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDB035AN06A0

на замовлення 222 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	441.83 грн
4+	335.76 грн
9+	305.21 грн
100+	294.34 грн

FDB035AN06A0

Description: MOSFET N-CH 60V 22A/80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 25 V

на замовлення 12160 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	439.68 грн
10+	285.06 грн
100+	206.18 грн

FDB035AN06A0-F085

Description: MOSFET N-CH 60V 22A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 25 V

товар відсутній

FDB035AN06A0-F085

MOSFET N-Chan PowerTrench MOSFET

на замовлення 790 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDB035AN06A0-F085

Trans MOSFET N-CH 60V 22A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB035AN06A0-F085

Description: MOSFET N-CH 60V 22A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 25 V

товар відсутній

FDB035AN06A0_F085

Description: MOSFET N-CH 60V 22A TO-263AB

на замовлення 61429600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDB035AN06A0_F085

Description: MOSFET N-CH 60V 22A TO-263AB

на замовлення 29600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDB035AN06A0_F085

Description: MOSFET N-CH 60V 22A TO-263AB

на замовлення 614 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDB035AN06A0_Q

MOSFET N-Channel PowerTrench

товар відсутній

FDB035AN06AD

на замовлення 9600 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB035AN06AO

TO-263

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB035N

06+ SIP

на замовлення 50 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB035N10A

Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 15200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	229.9 грн

Мінімальне замовлення: 800

FDB035N10A

Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7295 pF @ 25 V

на замовлення 1787 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	510.22 грн
10+	332.91 грн
100+	243.01 грн

FDB035N10A

на замовлення 30 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB035N10A

Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB035N10A

MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 28758 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	554.51 грн
10+	381.61 грн
100+	241.99 грн
800+	241.27 грн

FDB035N10A

Description: ONSEMI - FDB035N10A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 214 A, 0.003 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 214A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 309 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	409.64 грн
100+	328.36 грн

Мінімальне замовлення: 10

FDB035N10A

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 856A; 333W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 333W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 116nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 856A
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
On-state resistance: 3.5mΩ

товар відсутній

FDB035N10A

Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 311 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

45+	273.15 грн

Мінімальне замовлення: 45

FDB035N10A

Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7295 pF @ 25 V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	218.58 грн

Мінімальне замовлення: 800

FDB035N10A

на замовлення 309 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	552.69 грн
10+	409.64 грн
100+	328.36 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDB035N10A

Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	246.82 грн

Мінімальне замовлення: 800

FDB035N10A

товар відсутній

FDB035N10A

Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 311 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	514.58 грн
10+	368.21 грн
25+	364.48 грн
100+	262.26 грн
250+	226.46 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDB039N06

Trans MOSFET N-CH 60V 174A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB039N06

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO263
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8235 pF @ 25 V

товар відсутній

FDB045AN08

07+ to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB045AN08

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB045AN08A0

Trans MOSFET N-CH 75V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB045AN08A0

Description: MOSFET N-CH 75V 19A/90A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V

товар відсутній

FDB045AN08A0

Trans MOSFET N-CH 75V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB045AN08A0

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 90A; 310W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 90A
Power dissipation: 310W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 138nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 34 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

2+	283.82 грн
5+	241.71 грн
6+	201.96 грн
15+	191.1 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDB045AN08A0

Trans MOSFET N-CH 75V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	128.57 грн

Мінімальне замовлення: 800

FDB045AN08A0

Trans MOSFET N-CH 75V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	138.46 грн

Мінімальне замовлення: 800

FDB045AN08A0

Description: MOSFET N-CH 75V 19A/90A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V

на замовлення 360 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	261.77 грн
10+	211.4 грн
100+	171.04 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDB045AN08A0

MOSFETs N-Channel UltraFET

на замовлення 6646 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	285.71 грн
10+	236.63 грн
25+	200.7 грн
100+	166.64 грн
500+	163.74 грн
800+	130.42 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDB045AN08A0

Trans MOSFET N-CH 75V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB045AN08A0

на замовлення 34 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	236.52 грн
5+	193.96 грн
6+	168.3 грн
15+	159.25 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDB045AN08A0-F085

Description: MOSFET N-CH 75V 19A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

FDB045AN08A0-F085

Trans MOSFET N-CH 75V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB045AN08A0-F085

Trans MOSFET N-CH 75V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB045AN08A0-F085

Description: MOSFET N-CH 75V 19A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

FDB045AN08A0-F085

MOSFET 75V N-CHAN PwrTrench

товар відсутній

FDB045AN08A0-F085

Trans MOSFET N-CH 75V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB045AN08A0-F085C

Description: MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V

товар відсутній

FDB045AN08A0-SN00237

Trans MOSFET N-CH 75V 19A T/R

товар відсутній

FDB045AN08A0_F085

Description: MOSFET N-CH 75V 19A D2PAK

на замовлення 568 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDB045AN08A0_F085

Description: MOSFET N-CH 75V 19A D2PAK

товар відсутній

FDB045AN08A0_F085

Description: MOSFET N-CH 75V 19A D2PAK

на замовлення 568 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDB045AN08A0_Q

MOSFET N-Channel UltraFET

товар відсутній

FDB047N10

Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15265 pF @ 25 V

на замовлення 3200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	174.13 грн
1600+	143.57 грн
2400+	135.19 грн

Мінімальне замовлення: 800

FDB047N10

Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 790 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	297.69 грн
10+	249 грн
25+	243.52 грн
100+	190.29 грн
250+	170.56 грн
500+	127.42 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDB047N10

Description: ONSEMI - FDB047N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0039 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Verlustleistung: 375
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

товар відсутній

FDB047N10

TO263 10+

на замовлення 50 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB047N10

Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 5600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	158.53 грн

Мінімальне замовлення: 800

FDB047N10

Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	157.88 грн

Мінімальне замовлення: 800

FDB047N10

Description: ONSEMI - FDB047N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0039 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 120
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 375
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0039
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

товар відсутній

FDB047N10

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 164A; Idm: 656A; 375W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 164A
Pulsed drain current: 656A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

FDB047N10

Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15265 pF @ 25 V

на замовлення 3394 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	288.42 грн
10+	233.21 грн
100+	188.64 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDB047N10

Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 5600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	147.21 грн

Мінімальне замовлення: 800

FDB047N10

MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench

на замовлення 9546 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	358.4 грн
10+	254.13 грн
25+	219.53 грн
100+	157.95 грн
500+	154.33 грн
800+	143.46 грн

FDB047N10

товар відсутній

FDB047N10

Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 790 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

39+	320.58 грн
46+	268.15 грн
47+	262.25 грн
100+	204.93 грн
250+	183.68 грн
500+	137.22 грн

Мінімальне замовлення: 39

FDB047N10

Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	147.93 грн

Мінімальне замовлення: 800

FDB047N10

Description: ONSEMI - FDB047N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0039 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 120
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 375
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0039
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 3.5
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

товар відсутній

FDB047N10

Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	146.06 грн

Мінімальне замовлення: 800

FDB050AN06A0

Trans MOSFET N-CH 60V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB050AN06A0

Description: MOSFET N-CH 60V 18A/80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V

товар відсутній

FDB050AN06A0

MOSFETs 60V N-Ch PowerTrench MOSFET

на замовлення 2161 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	197.8 грн
10+	162.48 грн
100+	112.3 грн
250+	110.85 грн
500+	107.23 грн
800+	81.87 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDB050AN06A0

Description: ONSEMI - FDB050AN06A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0043 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

на замовлення 816 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	115.41 грн
500+	97.36 грн
800+	78.72 грн

Мінімальне замовлення: 100

FDB050AN06A0

07+ TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB050AN06A0

Trans MOSFET N-CH 60V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB050AN06A0

to-263/d2-pak

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB050AN06A0

Trans MOSFET N-CH 60V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 14 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	169.8 грн
10+	94.79 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDB050AN06A0

на замовлення 816 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	213.76 грн
10+	157.68 грн
100+	115.41 грн
500+	97.36 грн
800+	78.72 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDB050AN06A0

Description: MOSFET N-CH 60V 18A/80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V

на замовлення 114 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	206.91 грн
10+	179.17 грн
100+	143.99 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDB050AN06A0

TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB060AN08A0

Trans MOSFET N-CH 75V 16A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB060AN08A0

07+ to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB060AN08A0

Trans MOSFET N-CH 75V 16A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 390 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	296.54 грн
10+	264.97 грн
25+	257.9 грн
100+	201.88 грн
250+	184.14 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDB060AN08A0

Description: MOSFET N-CH 75V 16A/80A D2PAK

на замовлення 2400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	202.95 грн
1600+	164.82 грн

Мінімальне замовлення: 800

FDB060AN08A0

Description: ONSEMI - FDB060AN08A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 0.0048 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 255W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 748 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	148.74 грн

Мінімальне замовлення: 100

FDB060AN08A0

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB060AN08A0

Trans MOSFET N-CH 75V 16A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 390 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

39+	319.36 грн
44+	285.36 грн
45+	277.74 грн
100+	217.41 грн
250+	198.31 грн

Мінімальне замовлення: 39

FDB060AN08A0

MOSFETs Discrete Auto N-Ch PowerTrench

на замовлення 838 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	260.35 грн
10+	220.8 грн
25+	185.48 грн
100+	160.85 грн
250+	151.43 грн
500+	148.53 грн
800+	131.14 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDB060AN08A0

на замовлення 748 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	190.19 грн
10+	148.74 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDB060AN08A0

Trans MOSFET N-CH 75V 16A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB060AN08A0

Description: MOSFET N-CH 75V 16A/80A D2PAK

на замовлення 2950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	324.47 грн
10+	280.15 грн
100+	229.58 грн

FDB0630N1507L

Description: MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9895 pF @ 75 V

на замовлення 79324 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	467.12 грн
10+	385.51 грн
100+	321.26 грн

FDB0630N1507L

MOSFET 150V 7L JEDEC GREEN EMC

на замовлення 3556 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	511.4 грн
10+	432.44 грн
25+	341.98 грн
100+	313 грн
250+	294.89 грн
500+	274.6 грн
800+	241.99 грн

FDB0630N1507L

Description: MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9895 pF @ 75 V

на замовлення 78400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	294.36 грн
1600+	255.12 грн
2400+	239.05 грн

Мінімальне замовлення: 800

FDB0630N1507L

Trans MOSFET N-CH 150V 130A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB0690N1507L

MOSFETs 150V TO263 7L JEDEC GREEN EMC

товар відсутній

FDB0690N1507L

Trans MOSFET N-CH 150V 115A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB0690N1507L

Description: MOSFET N-CH 150V 3.8A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8775 pF @ 75 V

на замовлення 795 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	410.68 грн
10+	332.61 грн
100+	269.04 грн

FDB0690N1507L

Description: MOSFET N-CH 150V 3.8A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8775 pF @ 75 V

товар відсутній

FDB069AN04C0-BINZ

на замовлення 1688 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB070AN06A0

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 175W; D2PAK
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
On-state resistance: 15mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 175W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 66nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: D2PAK

на замовлення 18 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	209.7 грн
5+	173.59 грн
6+	147.17 грн
17+	138.87 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDB070AN06A0

Description: MOSFET N-CH 60V 15A/80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 175W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V

на замовлення 7986 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	235.91 грн
10+	190.57 грн
100+	154.16 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDB070AN06A0

MOSFETs N-Channel PT 6V 8A 7mOhm

на замовлення 19842 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	218.93 грн
10+	195.81 грн
100+	146.36 грн
250+	145.63 грн
500+	126.07 грн
800+	107.23 грн
2400+	106.51 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDB070AN06A0

Trans MOSFET N-CH 60V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	120.03 грн

Мінімальне замовлення: 800

FDB070AN06A0

на замовлення 18 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

2+	251.64 грн
5+	216.32 грн
6+	176.6 грн
17+	166.64 грн
800+	164.83 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDB070AN06A0

Description: MOSFET N-CH 60V 15A/80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 175W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V

на замовлення 7200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	142.3 грн
1600+	117.33 грн
2400+	110.48 грн
5600+	99.47 грн

Мінімальне замовлення: 800

FDB070AN06A0-F085

MOSFET N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET

на замовлення 695 шт:

термін постачання 788-797 дні (днів)

2+	274.72 грн
10+	244.13 грн
100+	173.89 грн
500+	147.8 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDB070AN06A0-F085

Trans MOSFET N-CH 60V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB070AN06A0_F085

Description: MOSFET N-CH 60V 15A TO-263AB

на замовлення 24800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDB070AN06A0_F085

Description: MOSFET N-CH 60V 15A TO-263AB

на замовлення 650 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDB070AN06A0_F085

Description: MOSFET N-CH 60V 15A TO-263AB

на замовлення 65024800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDB075N15A

Trans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	197.8 грн

Мінімальне замовлення: 800

FDB075N15A

Description: ONSEMI - FDB075N15A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 130 A, 0.00625 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00625ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 2008 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	455.16 грн
10+	325.11 грн
100+	263.34 грн
500+	204.53 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDB075N15A

Trans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB075N15A

Trans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 47 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	284.78 грн
10+	264.68 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDB075N15A

Description: MOSFET N-CH 150V 130A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7350 pF @ 75 V

на замовлення 6614 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	432.63 грн
10+	280.15 грн
100+	202.47 грн

FDB075N15A

Trans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB075N15A

Trans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 550 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	197.8 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDB075N15A

на замовлення 2008 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	325.11 грн
100+	263.34 грн
500+	204.53 грн

Мінімальне замовлення: 10

FDB075N15A

Trans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 47 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

40+	308 грн
43+	286.26 грн

Мінімальне замовлення: 40

FDB075N15A

MOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 2635 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	420.11 грн
10+	348.28 грн
25+	291.26 грн
100+	245.62 грн
250+	235.47 грн
500+	210.84 грн
800+	192.73 грн

FDB075N15A

Description: MOSFET N-CH 150V 130A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7350 pF @ 75 V

на замовлення 5600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	175.74 грн

Мінімальне замовлення: 800

FDB075N15A-F085

Description: MOSFET N-CH 150V 110A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5595 pF @ 75 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

FDB075N15A-F085

Trans MOSFET N-CH 150V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB075N15A-F085

Description: ONSEMI - FDB075N15A-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 110 A, 0.0055 ohm, TO-263 (D2PAK)
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 110
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung Pd: 333
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 333
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: FDB PowerTrench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0055
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 780 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	397.45 грн
10+	347.06 грн
100+	293.41 грн
500+	231.7 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDB075N15A-F085

MOSFET N-Channel Power Trench MOSFET 150V, 110A, 5.5mohm

на замовлення 1474 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	349.95 грн
10+	309.96 грн
100+	221.71 грн
500+	187.65 грн
800+	170.99 грн
2400+	164.47 грн
4800+	163.02 грн

FDB075N15A-F085

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 110A; 333W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 110A
Power dissipation: 333W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 800 шт

товар відсутній

FDB075N15A-F085

Description: MOSFET N-CH 150V 110A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5595 pF @ 75 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	300.96 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDB075N15A-F085

товар відсутній

FDB075N15A-F085

Trans MOSFET N-CH 150V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB075N15A-F085C

Description: MODULE
Packaging: Bulk

товар відсутній

FDB075N15A_SN00284

Description: MOSFET N-CH 150V 130A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7350 pF @ 75 V

товар відсутній

FDB075N15A_TAPE

Micross Components

FDB075N15A_TAPE

товар відсутній

FDB082N15A

Trans MOSFET N-CH Si 150V 117A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB082N15A

MOSFETs 150V N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET

на замовлення 2087 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	393.06 грн
10+	357.45 грн
25+	310.1 грн
100+	284.02 грн
500+	266.63 грн
800+	226.78 грн
2400+	225.33 грн

FDB082N15A

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; Idm: 468A; 294W; D2PAK
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 294W
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 468A
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 83A
On-state resistance: 8.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 84nC
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

FDB082N15A

Description: MOSFET N-CH 150V 117A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 117A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6040 pF @ 25 V

на замовлення 813 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	445.95 грн
10+	367.78 грн
100+	306.48 грн

FDB082N15A

Trans MOSFET N-CH Si 150V 117A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB082N15A

товар відсутній

FDB082N15A

Trans MOSFET N-CH Si 150V 117A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB082N15A

Description: MOSFET N-CH 150V 117A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 117A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6040 pF @ 25 V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	280.82 грн

Мінімальне замовлення: 800

FDB082N15A

Trans MOSFET N-CH Si 150V 117A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB088N08

Description: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6595 pF @ 25 V

на замовлення 320 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	202.99 грн
10+	162.34 грн
100+	129.2 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDB088N08

Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB088N08

MOSFET NCH 75V 8.8Mohm

на замовлення 568 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	220.62 грн
10+	180.81 грн
100+	125.34 грн
250+	122.45 грн
500+	110.13 грн
800+	89.84 грн
2400+	84.77 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDB088N08

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 60A; Idm: 340A; 160W; D2PAK
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 160W
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 340A
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 60A
On-state resistance: 8.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 118nC
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

FDB088N08

Description: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6595 pF @ 25 V

товар відсутній

FDB088N08

товар відсутній

FDB10AN06A0

Trans MOSFET N-CH 60V 12A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB10AN06A0

07+ TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB10AN06A0

to-263/d2-pak

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB10AN06A0

TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB10AN06A0

Description: MOSFET N-CH 60V 12A/75A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1840 pF @ 25 V

товар відсутній

FDB10AN06AO

03+ TO

на замовлення 2410 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB10N20L

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB10N20L

07+ to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB110N15A

Description: MOSFET N-CH 150V 92A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 92A, 10V
Power Dissipation (Max): 234W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4510 pF @ 75 V

на замовлення 3238 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	379.34 грн
10+	306.87 грн
100+	248.25 грн

FDB110N15A

MOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 12931 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	337.27 грн
10+	265.8 грн
25+	230.4 грн
100+	185.48 грн
250+	184.03 грн
500+	182.58 грн
800+	169.54 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDB110N15A

Description: ONSEMI - FDB110N15A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 92 A, 0.00925 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 92A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00925ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 700 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	237.33 грн
500+	209.81 грн

Мінімальне замовлення: 100

FDB110N15A

Description: MOSFET N-CH 150V 92A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 92A, 10V
Power Dissipation (Max): 234W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4510 pF @ 75 V

на замовлення 2400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	229.16 грн
1600+	188.95 грн
2400+	177.91 грн

Мінімальне замовлення: 800

FDB110N15A

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 65A; Idm: 369A; 234W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 65A
Pulsed drain current: 369A
Power dissipation: 234W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 61nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

FDB110N15A

Trans MOSFET N-CH 150V 92A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB110N15A

товар відсутній

FDB110N15A

на замовлення 700 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	361.69 грн
10+	284.47 грн
100+	237.33 грн
500+	209.81 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDB120N10

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 52A; Idm: 296A; 170W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 52A
Pulsed drain current: 296A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 86nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

FDB120N10

Description: MOSFET N-CH 100V 74A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 74A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5605 pF @ 25 V

на замовлення 433 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	283.72 грн
10+	179.77 грн
100+	126.59 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDB120N10

Trans MOSFET N-CH 100V 74A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB120N10

товар відсутній

FDB120N10

Description: MOSFET N-CH 100V 74A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 74A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5605 pF @ 25 V

товар відсутній

FDB120N10

MOSFETs 100V N-Chan 12Mohm PowerTrench

на замовлення 4167 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	238.37 грн
10+	197.47 грн
25+	170.99 грн
100+	126.07 грн
800+	99.26 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDB12N50FTM

Description: MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK
Packaging: Bulk
Part Status: Active

товар відсутній

FDB12N50FTM-WS

Description: MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1395 pF @ 25 V

товар відсутній

FDB12N50FTM-WS

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.9A; Idm: 46A; 165W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6.9A
Pulsed drain current: 46A
Power dissipation: 165W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

FDB12N50FTM-WS

MOSFET 500V 11.5A 0.7Ohm N-Channel

на замовлення 210 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	165.68 грн
10+	147.48 грн
25+	123.9 грн
100+	103.61 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDB12N50FTM-WS

Description: MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1395 pF @ 25 V

товар відсутній

FDB12N50FTM-WS

товар відсутній

FDB12N50FTM-WS

Trans MOSFET N-CH 500V 11.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB12N50TM

Description: MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1315 pF @ 25 V

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDB12N50TM

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.9A; Idm: 46A; 165W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6.9A
Pulsed drain current: 46A
Power dissipation: 165W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

FDB12N50TM

Trans MOSFET N-CH 500V 11.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB12N50TM

Description: MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1315 pF @ 25 V

товар відсутній

FDB12N50TM

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.9A; Idm: 46A; 165W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6.9A
Pulsed drain current: 46A
Power dissipation: 165W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

FDB12N50TM

MOSFETs 500V N-CH MOSFET

на замовлення 752 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	202.02 грн
10+	153.31 грн
100+	99.26 грн
250+	92.02 грн
800+	65.72 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDB12N50UTM

Description: ONSEMI - FDB12N50UTM - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 2040 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

401+	67.54 грн

Мінімальне замовлення: 401

FDB12N50UTM

Description: MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK
Packaging: Bulk
Part Status: Active

на замовлення 2040 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

333+	63.36 грн

Мінімальне замовлення: 333

FDB12N50UTM-WS

Trans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB12N50UTM_WS

Description: MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1395 pF @ 25 V

товар відсутній

FDB12N50UTM_WS

Description: MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1395 pF @ 25 V

товар відсутній

FDB13AN06A0

Trans MOSFET N-CH 60V 10.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 29 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDB13AN06A0

Description: MOSFET N-CH 60V 10.9A/62A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Ta), 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V

на замовлення 10483 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	200.64 грн
10+	124.98 грн
100+	86.26 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDB13AN06A0

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 62A; 115W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 62A
Power dissipation: 115W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

FDB13AN06A0

Trans MOSFET N-CH 60V 10.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB13AN06A0

Trans MOSFET N-CH 60V 10.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB13AN06A0

Description: MOSFET N-CH 60V 10.9A/62A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Ta), 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V

на замовлення 10400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	68.47 грн
1600+	61.18 грн
2400+	59.71 грн

Мінімальне замовлення: 800

FDB13AN06A0

MOSFETs N-Channel PowerTrench

на замовлення 6109 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	172.44 грн
10+	123.32 грн
100+	86.22 грн
500+	85.49 грн
800+	68.03 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDB13AN06A0

Trans MOSFET N-CH 60V 10.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB13AN06A0

Trans MOSFET N-CH 60V 10.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 5600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	69.91 грн

Мінімальне замовлення: 800

FDB13AN06A0

Transistor N-MOSFET; 60V; 10V; 13,5mOhm; 62A; 115W; -55°C ~ 175°C; FDB13AN06A0 TFDB13AN06A0
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 194 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

10+	110.51 грн

Мінімальне замовлення: 10

FDB13AN06A0

Trans MOSFET N-CH 60V 10.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 29 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	107.31 грн
10+	97.78 грн
25+	71.96 грн

Мінімальне замовлення: 6

FDB13AN06A0

товар відсутній

FDB14AN06LA

07+ to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB14AN06LA

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB14AN06LA0

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB14AN06LA0

MOSFET 60V N-Ch PowerTrench MOSFET

товар відсутній

FDB14AN06LA0

TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB14AN06LA0

Description: MOSFET N-CH 60V 10A/67A TO263AB

товар відсутній

FDB14AN06LA0-F085

Description: MOSFET N-CH 60V 67A TO263AB

товар відсутній

FDB14AN06LA0-F085

Trans MOSFET N-CH 60V 10A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB14AN06LA0-F085

Description: ONSEMI - FDB14AN06LA0-F085 - MOSFET'S - SINGLE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

товар відсутній

FDB14AN06LA0-F085

Trans MOSFET N-CH 60V 10A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB14AN06LA0-F085

MOSFET 60V N-CHAN PwrTrench

на замовлення 1182 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDB14AN06LA0-F085

Description: MOSFET N-CH 60V 67A TO263AB

товар відсутній

FDB14N30

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB14N30

onsemi UF 300V 290MOHM D2PAK

товар відсутній

FDB14N30

07+ to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB14N30TM

Description: MOSFET N-CH 300V 14A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V

товар відсутній

FDB14N30TM

Description: ONSEMI - FDB14N30TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 14 A, 0.24 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 140
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.24
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

на замовлення 6551 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	133.3 грн
10+	115.41 грн
100+	92.66 грн
500+	69.36 грн

Мінімальне замовлення: 7

FDB14N30TM

Trans MOSFET N-CH 300V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB14N30TM

Trans MOSFET N-CH 300V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 804 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

120+	103.03 грн
121+	102.16 грн
148+	83.19 грн
250+	79.22 грн
500+	63.46 грн

Мінімальне замовлення: 120

FDB14N30TM

Description: MOSFET N-CH 300V 14A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V

товар відсутній

FDB14N30TM

Description: ONSEMI - FDB14N30TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 14 A, 0.24 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
Verlustleistung: 140
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

на замовлення 6551 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	92.66 грн
500+	69.36 грн

Мінімальне замовлення: 100

FDB14N30TM

Trans MOSFET N-CH 300V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 804 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	105.49 грн
10+	95.67 грн
25+	94.87 грн
100+	74.49 грн
250+	68.12 грн
500+	56.57 грн

Мінімальне замовлення: 6

FDB14N30TM

Trans MOSFET N-CH 300V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB14N30TM

MOSFETs 300V N-Ch MOSFET

товар відсутній

FDB150N10

Description: MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 49A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4760 pF @ 25 V

на замовлення 584 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	337.01 грн
10+	215.62 грн
100+	153.44 грн

FDB150N10

Trans MOSFET N-CH 100V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB150N10

MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench

на замовлення 798 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	232.45 грн
10+	208.3 грн
100+	163.02 грн
250+	162.3 грн
800+	132.59 грн
2400+	125.34 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDB150N10

Description: MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 49A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4760 pF @ 25 V

товар відсутній

FDB15N50

Trans MOSFET N-CH 500V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB15N50

Trans MOSFET N-CH 500V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	141.16 грн

Мінімальне замовлення: 800

FDB15N50

MOSFETs 15A 500V 0.38 Ohm N-Ch SMPS Pwr

на замовлення 13671 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	349.1 грн
10+	244.96 грн
25+	210.11 грн
100+	151.43 грн
500+	149.25 грн
800+	137.66 грн

FDB15N50

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 300W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	262.53 грн
5+	219.62 грн
6+	175.1 грн
14+	165.28 грн
800+	163.02 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDB15N50

Description: MOSFET N-CH 500V 15A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V

на замовлення 1186 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	335.44 грн
10+	214.72 грн
100+	152.77 грн

FDB15N50
Код товару: 46102

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2

товар відсутній

FDB15N50

Trans MOSFET N-CH 500V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB15N50

Description: MOSFET N-CH 500V 15A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	125.1 грн

Мінімальне замовлення: 800

FDB15N50

на замовлення 800 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	315.03 грн
5+	273.69 грн
6+	210.11 грн
14+	198.34 грн
800+	195.62 грн

FDB15N50_NL

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V

товар відсутній

FDB16AN08A0

to-263/d2-pak

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB16AN08A0

Trans MOSFET N-CH 75V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB16AN08A0

Description: MOSFET N-CH 75V 9A/58A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 58A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1857 pF @ 25 V

на замовлення 1530 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	248.45 грн
10+	156.53 грн
100+	109.37 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDB16AN08A0

Description: ONSEMI - FDB16AN08A0 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 72 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDB16AN08A0

07+ to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB16AN08A0

Description: MOSFET N-CH 75V 9A/58A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 58A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1857 pF @ 25 V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	87.91 грн

Мінімальне замовлення: 800

FDB16AN08A0

Trans MOSFET N-CH 75V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB16AN08A0

MOSFETs Discrete Auto N-Ch UltraFET Trench

на замовлення 679 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	245.98 грн
10+	179.14 грн
100+	109.4 грн
800+	82.6 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDB1D7N10CL7

Trans MOSFET N-CH 100V 268A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB1D7N10CL7

MOSFETs MOSFET 100V 268A 1.7 mOhm

на замовлення 1561 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	564.65 грн
10+	477.43 грн
25+	376.03 грн
100+	345.6 грн
250+	325.32 грн
500+	305.03 грн
800+	274.6 грн

FDB1D7N10CL7

Trans MOSFET N-CH 100V 268A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB1D7N10CL7

Description: MOSFET N-CH 100V 268A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 268A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65mOhm @ 100A, 15V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11600 pF @ 50 V

на замовлення 3634 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	587.03 грн
10+	385.89 грн
100+	284.15 грн

FDB1D7N10CL7

на замовлення 737 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB1D7N10CL7

Trans MOSFET N-CH 100V 268A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB1D7N10CL7

Description: MOSFET N-CH 100V 268A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 268A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65mOhm @ 100A, 15V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11600 pF @ 50 V

на замовлення 3200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	263.2 грн

Мінімальне замовлення: 800

FDB20AN06A0

Description: MOSFET N-CH 60V 9A/45A TO263AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 25 V

на замовлення 5810 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

503+	43.85 грн

Мінімальне замовлення: 503

FDB20AN06A0

07+ TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB20AN06A0

to-263/d2-pak

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB20AN06A0

Trans MOSFET N-CH 60V 9A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB20AN06A0

TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB20N50F

Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB20N50F

Description: ONSEMI - FDB20N50F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 20 A, 0.22 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 757 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	282.03 грн
10+	211.32 грн
100+	170.68 грн
500+	141.89 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDB20N50F

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; 250W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

FDB20N50F

товар відсутній

FDB20N50F

Description: MOSFET N-CH 500V 20A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3390 pF @ 25 V

на замовлення 4425 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	303.31 грн
10+	192.76 грн
100+	136.3 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDB20N50F

Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB20N50F

Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB20N50F

на замовлення 757 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	170.68 грн
500+	141.89 грн

Мінімальне замовлення: 100

FDB20N50F

Description: MOSFET N-CH 500V 20A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3390 pF @ 25 V

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	110.83 грн
1600+	104.86 грн

Мінімальне замовлення: 800

FDB20N50F

MOSFETs N-Channel UniFET^TM FRFET MOSFET 500V,

на замовлення 11194 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	273.87 грн
10+	215.8 грн
25+	181.86 грн
100+	136.21 грн
800+	119.55 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDB24AN06LA0

TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB24AN06LA0

Description: MOSFET N-CH 60V 7.8A/40A TO263AB

товар відсутній

FDB24AN06LA0

MOSFET 60V N-Channel PowerTrench

товар відсутній

FDB24AN06LA0

07+ TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB24AN06LA0

Description: MOSFET N-CH 60V 40A TO-263AB

товар відсутній

FDB24AN06LA0

to-263/d2-pak

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB2532

Description: MOSFET N-CH 150V 8A/79A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5870 pF @ 25 V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	139.08 грн

Мінімальне замовлення: 800

FDB2532

Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	156.38 грн

Мінімальне замовлення: 800

FDB2532
Код товару: 61087

товар відсутній

FDB2532

MOSFETs 150V N-Channel QFET Trench

на замовлення 1389 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	415.04 грн
10+	272.46 грн
25+	236.2 грн
100+	186.93 грн
250+	186.21 грн
500+	168.82 грн
800+	152.15 грн

FDB2532

Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	211.6 грн
5600+	194.28 грн
11200+	181.72 грн
16800+	166.16 грн

Мінімальне замовлення: 800

FDB2532

Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	139.91 грн

Мінімальне замовлення: 800

FDB2532

Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 738 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	282.93 грн
10+	216.36 грн
25+	215.52 грн
100+	163 грн
250+	149.44 грн
500+	125.59 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDB2532

Description: ONSEMI - FDB2532 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33 A, 0.014 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 1040 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	364.12 грн
10+	274.72 грн
100+	222.7 грн
500+	162.27 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDB2532

Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 62400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	211.6 грн
15200+	194.28 грн
30400+	181.72 грн
45600+	166.16 грн

Мінімальне замовлення: 800

FDB2532

Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	211.6 грн

Мінімальне замовлення: 800

FDB2532

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 56A; 310W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 56A
Power dissipation: 310W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 82nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 370 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	332.59 грн
5+	228.54 грн
14+	208.3 грн
800+	205.59 грн

FDB2532

Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 10400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	156.24 грн

Мінімальне замовлення: 800

FDB2532

Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	151.72 грн

Мінімальне замовлення: 800

FDB2532

Description: MOSFET N-CH 150V 8A/79A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5870 pF @ 25 V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	363.66 грн
10+	233.21 грн
100+	166.73 грн

FDB2532

на замовлення 370 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	277.16 грн
5+	183.4 грн
14+	173.59 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDB2532

Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	156.4 грн

Мінімальне замовлення: 800

FDB2532

Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 10400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	145.08 грн

Мінімальне замовлення: 800

FDB2532

на замовлення 1040 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	222.7 грн
500+	162.27 грн

Мінімальне замовлення: 100

FDB2532

Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	151.65 грн

Мінімальне замовлення: 800

FDB2532

Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 738 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

41+	304.69 грн
53+	232.1 грн
100+	175.54 грн
250+	160.93 грн
500+	135.25 грн

Мінімальне замовлення: 41

FDB2532-F085

Description: MOSFET N-CH 150V 79A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5870 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

FDB2532-F085

Trans MOSFET N-CH 150V 8A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB2532-F085

MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET

товар відсутній

FDB2532-F085

Trans MOSFET N-CH 150V 8A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB2532-F085

Description: MOSFET N-CH 150V 79A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5870 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

FDB2532_SB82254

MOSFET

товар відсутній

FDB2552

Description: MOSFET N-CH 150V 5A/37A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V

товар відсутній

FDB2552

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 26A; 150W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 26A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

FDB2552

товар відсутній

FDB2552

Trans MOSFET N-CH 150V 5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB2552

Trans MOSFET N-CH 150V 5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 676 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

55+	225.02 грн
62+	201.03 грн
63+	197.47 грн
100+	155.48 грн
250+	142.86 грн
500+	103.57 грн

Мінімальне замовлення: 55

FDB2552

Description: ONSEMI - FDB2552 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 37 A, 0.032 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 304 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	115.41 грн

Мінімальне замовлення: 100

FDB2552

Description: MOSFET N-CH 150V 5A/37A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V

товар відсутній

FDB2552

Trans MOSFET N-CH 150V 5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 676 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	208.94 грн
10+	186.68 грн
25+	183.37 грн
100+	144.38 грн
250+	132.66 грн
500+	96.17 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDB2552

MOSFET 150V N-Ch UltraFET Trench

на замовлення 3735 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	180.89 грн
10+	141.65 грн
100+	102.16 грн
800+	73.18 грн
2400+	72.45 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDB2552

Trans MOSFET N-CH 150V 5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB2552

на замовлення 304 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	196.69 грн
10+	143.86 грн
100+	115.41 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDB2552-F085

MOSFET N-Chan PowerTrench M OSFET

на замовлення 301 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDB2552-F085

Trans MOSFET N-CH 150V 5A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB2570

TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB2570

07+ TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB2570

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB2572

MOSFETs N-Channel UltraFET

на замовлення 1014 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	120.88 грн
10+	98.32 грн
100+	72.45 грн
800+	61.01 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDB2572

Trans MOSFET N-CH 150V 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 48 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	103.75 грн
10+	94.85 грн
25+	93.9 грн

Мінімальне замовлення: 6

FDB2572

Description: MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V

на замовлення 1065 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	198.29 грн
10+	123.93 грн
100+	85.46 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDB2572

Trans MOSFET N-CH 150V 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 48 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDB2572

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 29A; 135W; D2PAK
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 29A
On-state resistance: 146mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 135W
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 34nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: D2PAK
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 795 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

3+	139.47 грн
5+	119.44 грн
11+	105.06 грн
25+	104.15 грн
28+	99.62 грн
100+	96 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDB2572

Trans MOSFET N-CH 150V 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB2572

Description: MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	67.8 грн

Мінімальне замовлення: 800

FDB2572

Trans MOSFET N-CH 150V 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB2572

на замовлення 795 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	116.23 грн
5+	95.85 грн
11+	87.55 грн
25+	86.79 грн
28+	83.02 грн
100+	80 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDB2572_Q

MOSFET

товар відсутній

FDB2614

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 62A; 260W; D2PAK
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 99nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 260W
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 62A
On-state resistance: 27mΩ
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

FDB2614

Trans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	168.21 грн

Мінімальне замовлення: 800

FDB2614

Description: ONSEMI - FDB2614 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 62 A, 0.0229 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 260W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 2Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0229ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 1210 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	221.08 грн
500+	171.32 грн
1000+	157.45 грн

Мінімальне замовлення: 100

FDB2614

MOSFETs 200V N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 3317 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	355.87 грн
10+	282.46 грн
25+	242.72 грн
100+	176.06 грн
500+	171.71 грн
800+	147.8 грн

FDB2614

Description: MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7230 pF @ 25 V

на замовлення 1329 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	383.25 грн
10+	246.11 грн
100+	176.53 грн

FDB2614

товар відсутній

FDB2614

на замовлення 1210 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	382.82 грн
10+	273.09 грн
100+	221.08 грн
500+	171.32 грн
1000+	157.45 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDB2614

Description: MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7230 pF @ 25 V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	149.01 грн

Мінімальне замовлення: 800

FDB2670

TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB2670

07+ TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB2670

Trans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube

товар відсутній

FDB2670

to-263/d2-pak

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB2670

Description: MOSFET N-CH 200V 19A TO263AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 100 V

на замовлення 3668 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

182+	116.15 грн

Мінімальне замовлення: 182

FDB2710

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 50A; 260W; D2PAK
Mounting: SMD
Power dissipation: 260W
Gate charge: 101nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 50A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 250V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK
On-state resistance: 36.3mΩ

товар відсутній

FDB2710

Description: MOSFET N-CH 250V 50A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7280 pF @ 25 V

на замовлення 371 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	344.07 грн
10+	278.34 грн
100+	225.16 грн

FDB2710

Trans MOSFET N-CH 250V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB2710

Description: ONSEMI - FDB2710 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 50 A, 0.0363 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 260W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0363ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	252.77 грн
500+	233.21 грн

Мінімальне замовлення: 100

FDB2710

товар відсутній

FDB2710

Trans MOSFET N-CH 250V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB2710

Description: MOSFET N-CH 250V 50A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7280 pF @ 25 V

товар відсутній

FDB2710

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	412.89 грн
10+	306.42 грн
100+	252.77 грн
500+	233.21 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDB2710

MOSFETs 250V N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 5360 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	377.84 грн
10+	313.29 грн
25+	268.08 грн
100+	220.26 грн
250+	217.36 грн
500+	213.01 грн
800+	165.19 грн

FDB2710

Trans MOSFET N-CH 250V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB28N30TM

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 28A; 250W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 28A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.129Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 658 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

3+	141.42 грн
5+	120.38 грн
11+	102.34 грн
29+	96.91 грн
800+	93.28 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDB28N30TM

Trans MOSFET N-CH 300V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 5600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	80.36 грн
2400+	74.35 грн

Мінімальне замовлення: 800

FDB28N30TM

Trans MOSFET N-CH 300V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB28N30TM

Trans MOSFET N-CH 300V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	77.45 грн

Мінімальне замовлення: 800

FDB28N30TM

Trans MOSFET N-CH 300V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB28N30TM

Description: MOSFET N-CH 300V 28A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 129mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V

на замовлення 3479 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	205.34 грн
10+	128.23 грн
100+	88.49 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDB28N30TM

MOSFET 300V N-Channel

на замовлення 1266 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	164.83 грн
10+	135.81 грн
100+	93.46 грн
250+	90.57 грн
500+	76.8 грн
800+	68.03 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDB28N30TM

Trans MOSFET N-CH 300V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 797 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

166+	74.19 грн

Мінімальне замовлення: 166

FDB28N30TM

Description: ONSEMI - FDB28N30TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 28 A, 0.108 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.108ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 1794 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	104.85 грн
500+	95.1 грн
800+	65.42 грн
1600+	64.09 грн

Мінімальне замовлення: 100

FDB28N30TM

Transistor N-Channel MOSFET; 300V; 10V; 129mOhm; 28A; 250W; -55°C~150°C; FDB28N30TM TFDB28n30tm
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 8 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

10+	75.4 грн

Мінімальне замовлення: 10

FDB28N30TM

на замовлення 658 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	117.85 грн
5+	96.6 грн
11+	85.28 грн
29+	80.76 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDB28N30TM

Trans MOSFET N-CH 300V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 5600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	74.19 грн
2400+	68.64 грн

Мінімальне замовлення: 800

FDB28N30TM

Trans MOSFET N-CH 300V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 797 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	126.87 грн
10+	111.64 грн
25+	110.62 грн
100+	91.01 грн
250+	83.43 грн
500+	59.05 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDB28N30TM

Description: MOSFET N-CH 300V 28A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 129mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V

на замовлення 3200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	70.25 грн
1600+	62.77 грн
2400+	61.28 грн

Мінімальне замовлення: 800

FDB28N30TM

Trans MOSFET N-CH 300V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 5600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	70.07 грн

Мінімальне замовлення: 800

FDB28N30TM

Trans MOSFET N-CH 300V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB28N30TM

на замовлення 1794 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	184.5 грн
10+	136.55 грн
100+	108.1 грн
500+	86.04 грн
800+	66.32 грн
1600+	66.04 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDB28N30TM транзистор
Код товару: 193843

товар відсутній

FDB32N12

на замовлення 50000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB33N25

MOSFET UF 250V 94MOHM D2PAK

товар відсутній

FDB33N25

to-263/d2-pak

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB33N25

07+ to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB33N25TM

Trans MOSFET N-CH 250V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	80.01 грн

Мінімальне замовлення: 800

FDB33N25TM

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 33A; 235W; D2PAK
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 235W
On-state resistance: 94mΩ
Polarisation: unipolar
Drain current: 33A
Gate charge: 48nC
Drain-source voltage: 250V
Technology: UniFET™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Type of transistor: N-MOSFET

на замовлення 784 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	130.86 грн
5+	107.17 грн
10+	92.08 грн
27+	86.79 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDB33N25TM

Trans MOSFET N-CH 250V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB33N25TM

Trans MOSFET N-CH 250V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 31200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	73.88 грн

Мінімальне замовлення: 800

FDB33N25TM

Description: MOSFET N-CH 250V 33A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 235W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2135 pF @ 25 V

на замовлення 1803 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	208.48 грн
10+	130.34 грн
100+	90.19 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDB33N25TM

N-MOSFET 33A 250V 235W 0.094Ω FDB33N25TM TFDB33N25TM
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 45 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

20+	54.51 грн

Мінімальне замовлення: 20

FDB33N25TM

Trans MOSFET N-CH 250V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	74.53 грн

Мінімальне замовлення: 800

FDB33N25TM

MOSFETs 250V N-Ch MOSFET

на замовлення 22511 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	209.63 грн
10+	146.65 грн
100+	89.84 грн
250+	88.39 грн
800+	72.09 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDB33N25TM

Trans MOSFET N-CH 250V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB33N25TM

Description: MOSFET N-CH 250V 33A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 235W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2135 pF @ 25 V

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	71.75 грн
1600+	64.16 грн

Мінімальне замовлення: 800

FDB33N25TM

на замовлення 784 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

2+	157.03 грн
5+	133.55 грн
10+	110.49 грн
27+	104.15 грн
800+	100.53 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDB3502

Description: ONSEMI - FDB3502 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 70188 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	70.06 грн

Мінімальне замовлення: 800

FDB3502

Description: MOSFET N-CH 75V 6A/14A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 815 pF @ 40 V

на замовлення 8800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	57.88 грн
1600+	51.55 грн
2400+	49.41 грн
4000+	45.72 грн

Мінімальне замовлення: 800

FDB3502

на замовлення 790 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB3502

Trans MOSFET N-CH Si 75V 6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 234 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDB3502

MOSFETs 75V N-Channel PowerTrench

на замовлення 255 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	130.17 грн
10+	106.65 грн
100+	73.9 грн
250+	68.76 грн
500+	62.38 грн
800+	53.4 грн
2400+	50.72 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDB3502

Description: MOSFET N-CH 75V 6A/14A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 815 pF @ 40 V

на замовлення 9419 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	173.99 грн
10+	107.7 грн
100+	73.62 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDB3502

Trans MOSFET N-CH Si 75V 6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB3632

Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 3200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	111.58 грн

Мінімальне замовлення: 800

FDB3632

Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 12800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	187.08 грн
3200+	171.78 грн
6400+	160.67 грн
9600+	146.9 грн

Мінімальне замовлення: 800

FDB3632

Description: MOSFET N-CH 100V 12A/80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	102.53 грн
1600+	95.8 грн

Мінімальне замовлення: 800

FDB3632

Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 3200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	107.66 грн

Мінімальне замовлення: 800

FDB3632

Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB3632

Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 5600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	187.08 грн
1600+	171.78 грн
3200+	160.67 грн

Мінімальне замовлення: 800

FDB3632

Description: ONSEMI - FDB3632 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0075 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 4249 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	259.28 грн
10+	189.38 грн
100+	156.05 грн
500+	122.26 грн
1000+	112.16 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDB3632

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 310W; D2PAK
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
On-state resistance: 22mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 310W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 110nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: D2PAK
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

FDB3632

Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 3200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	115.02 грн

Мінімальне замовлення: 800

FDB3632

MOSFET N-Channel PowerTrench

на замовлення 16440 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	238.37 грн
10+	197.47 грн
25+	165.19 грн
100+	139.11 грн
800+	109.4 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDB3632

товар відсутній

FDB3632

Description: MOSFET N-CH 100V 12A/80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V

на замовлення 1937 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	283.72 грн
10+	179.7 грн
100+	126.58 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDB3632

Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB3632-F085

Description: MOSFET N-CH 100V 12A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

FDB3632-F085

MOSFET 100V N-Channel Power Trench MOSFET

на замовлення 889 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDB3632-F085

Description: MOSFET N-CH 100V 12A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

FDB3632-F085

Trans MOSFET N-CH 100V 12A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB3632-F101

Trans MOSFET N-CH 100V 12A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R

товар відсутній

FDB3632-SN00239

Trans MOSFET N-CH 100V 12A T/R

товар відсутній

FDB3632.

Description: ONSEMI - FDB3632. - MOSFET, FULL REEL
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 80
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung Pd: 310
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 310
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Kanaltyp: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009
SVHC: Lead

товар відсутній

FDB3632_F085

Trans MOSFET N-CH 100V 12A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB3632_Q

MOSFET N-Channel PowerTrench

товар відсутній

FDB3632_SB82115

Description: MOSFET N-CH 100V 12A/80A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V

товар відсутній

FDB3652

Trans MOSFET N-CH 100V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB3652

Trans MOSFET N-CH 100V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB3652
Код товару: 155755

VBSemi

Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 100 V
Idd,A: 61 A
Rds(on), Ohm: 0,016 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2880/41
Монтаж: SMD

у наявності 18 шт:

18 шт - склад

1+	75 грн
10+	69 грн

FDB3652

Description: MOSFET N-CH 100V 9A/61A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 61A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V

товар відсутній

FDB3652

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 61A; 150W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 61A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 786 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

2+	164.83 грн
5+	141.08 грн
10+	110.49 грн
27+	105.06 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDB3652

на замовлення 786 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	137.36 грн
5+	113.21 грн
10+	92.08 грн
27+	87.55 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDB3652

Trans MOSFET N-CH 100V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 3200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	70.5 грн

Мінімальне замовлення: 800

FDB3652

Trans MOSFET N-CH 100V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB3652

MOSFET N-Channel PowerTrench

товар відсутній

FDB3652

Trans MOSFET N-CH 100V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB3652

Description: MOSFET N-CH 100V 9A/61A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 61A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V

товар відсутній

FDB3652

Description: ONSEMI - FDB3652 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 61 A, 0.014 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 1610 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	186.94 грн
10+	139.8 грн
100+	110.54 грн
500+	88.3 грн
800+	67.65 грн
1600+	66.11 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDB3652-F085

Description: MOSFET N-CH 100V 9A/61A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 61A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

FDB3652-F085

MOSFET N-Ch PowerTrench Trench Mos.

товар відсутній

FDB3652-F085

Trans MOSFET N-CH 100V 9A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB3652-F085

Description: MOSFET N-CH 100V 9A/61A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 61A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

FDB3652-F085

Description: ONSEMI - FDB3652-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 61 A, 0.6 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 3307 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

220+	132.48 грн

Мінімальне замовлення: 220

FDB3652-F085

Trans MOSFET N-CH 100V 9A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB3652SB82059

Description: ONSEMI - FDB3652SB82059 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

138+	285.28 грн

Мінімальне замовлення: 138

FDB3652SB82059

Description: MOSFET N-CH
Packaging: Bulk
Part Status: Active

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

116+	183.03 грн

Мінімальне замовлення: 116

FDB3652_Q

MOSFET N-Channel PowerTrench

товар відсутній

FDB3672

Description: MOSFET N-CH 100V 7.2A/44A TO263

товар відсутній

FDB3672

MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET

товар відсутній

FDB3672

to-263/d2-pak

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB3672

Description: MOSFET N-CH 100V 7.2A/44A TO263

товар відсутній

FDB3672

07+ to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB3672-F085

Description: MOSFET N-CH 100V 7.2A/44A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V

на замовлення 777 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	199.86 грн
10+	172.98 грн
100+	139.03 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDB3672-F085

Description: MOSFET N-CH 100V 7.2A/44A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V

товар відсутній

FDB3672-F085

Description: ONSEMI - FDB3672-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 44 A, 0.024 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 44
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

товар відсутній

FDB3672-F085

MOSFET 100V 44A N-Channel PowerTrench

на замовлення 1157 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	209.63 грн
10+	186.64 грн
25+	153.6 грн
100+	130.42 грн
500+	107.96 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDB3672_F085

Description: MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK

на замовлення 10213200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDB3672_F085

Description: MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK

на замовлення 3200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDB3672_F085

Description: MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK

на замовлення 1021 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDB3672_F085/BKN

Description: FDB3672_F085/BKN

товар відсутній

FDB3682

Description: MOSFET N-CH 100V 6A/32A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 25 V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	93.12 грн

Мінімальне замовлення: 800

FDB3682

07+ TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB3682

to-263/d2-pak

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB3682

MOSFET 100V N-Channel Pwr Trench

на замовлення 7224 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	179.2 грн
10+	147.48 грн
100+	101.43 грн
500+	100.71 грн
800+	72.45 грн
2400+	68.76 грн
4800+	66.95 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDB3682

Description: MOSFET N-CH 100V 6A/32A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 25 V

на замовлення 1498 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	166.94 грн
10+	133.13 грн
100+	105.99 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDB3682

TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB3860

Description: MOSFET N-CH 100V 6.4A D2PAK

товар відсутній

FDB3860

Description: MOSFET N-CH 100V 6.4A D2PAK

товар відсутній

FDB3860

Description: MOSFET N-CH 100V 6.4A D2PAK

товар відсутній

FDB38N30U

MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, UniFETTM, Ultra FRFETTM, 300V, 38A, 120mohm, D2PAK

на замовлення 2837 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	262.04 грн
10+	205.8 грн
25+	173.16 грн
100+	130.42 грн
800+	113.75 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDB38N30U

Trans MOSFET N-CH 300V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	117.5 грн

Мінімальне замовлення: 800

FDB38N30U

Description: ONSEMI - FDB38N30U - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 38 A, 0.103 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET Ultra FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.103ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDB38N30U

Description: MOSFET N CH 300V 38A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3340 pF @ 25 V

на замовлення 25335 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	293.12 грн
10+	186.11 грн
100+	131.31 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDB38N30U

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDB38N30U

Description: MOSFET N CH 300V 38A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3340 pF @ 25 V

на замовлення 24800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	106.56 грн
1600+	100.19 грн

Мінімальне замовлення: 800

FDB390N15A

Description: MOSFET N-CH 150V 27A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1285 pF @ 75 V

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	61.23 грн

Мінімальне замовлення: 800

FDB390N15A

Description: MOSFET N-CH 150V 27A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1285 pF @ 75 V

на замовлення 8039 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	198.29 грн
10+	123.77 грн
100+	85.39 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDB390N15A

Trans MOSFET N-CH Si 150V 27A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB390N15A

MOSFETs 150V NCHAN PwrTrench

на замовлення 1639 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	131.87 грн
10+	113.32 грн
100+	81.87 грн
800+	60.93 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDB3P50

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB3P50

07+ to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB4020P

07+ TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB4020P

to-263/d2-pak

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB4020P

Description: MOSFET P-CH 20V 16A TO263AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 37.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665 pF @ 10 V

на замовлення 6321 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

370+	58.4 грн

Мінімальне замовлення: 370

FDB4020P

Description: ONSEMI - FDB4020P - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 6321 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

446+	70.06 грн

Мінімальне замовлення: 446

FDB4020P

MOSFET P-Ch Spec Enhance MODE FIELD EFFECT

товар відсутній

FDB4020P

TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB4020P

Description: MOSFET P-CH 20V 16A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 37.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665 pF @ 10 V

товар відсутній

FDB4030L

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB4030L

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 37.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 365 pF @ 15 V

на замовлення 13600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

360+	60.66 грн

Мінімальне замовлення: 360

FDB4030L

07+ to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB42AN15A0

07+ TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB42AN15A0

Description: MOSFET N-CH 150V 5A/35A TO263AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 25 V

товар відсутній

FDB42AN15A0

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB42AN15A0

Trans MOSFET N-CH 150V 5A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB42AN15A0

TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB42AN15A0-F085

MOSFET TO263_03, SINGLE, N-CH, 150V, 42MOHM ULTRAFET TRENCH MOSFET

на замовлення 278 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDB42AN15A0-F085

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 25 V

товар відсутній

FDB42AN15A0-F085

Trans MOSFET N-CH 150V 35A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB42AN15A0-F085

Trans MOSFET N-CH 150V 35A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB44N25

to-263/d2-pak

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB44N25

07+ to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB44N25TM

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 26.4A; 307W; D2PAK
Polarisation: unipolar
Gate charge: 61nC
Technology: UniFET™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 26.4A
On-state resistance: 69mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 307W
Kind of package: reel; tape

на замовлення 434 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	176.37 грн
8+	113.96 грн
22+	107.93 грн
250+	104.15 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDB44N25TM

на замовлення 434 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

2+	211.65 грн
8+	142.02 грн
22+	129.51 грн
250+	124.98 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDB44N25TM

Description: ONSEMI - FDB44N25TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 44 A, 0.058 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 307W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 690 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	220.26 грн
10+	162.56 грн
100+	129.23 грн
500+	103.4 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDB44N25TM

Trans MOSFET N-CH 250V 44A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB44N25TM

Description: MOSFET N-CH 250V 44A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 307W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2870 pF @ 25 V

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	81.57 грн
1600+	73.37 грн

Мінімальне замовлення: 800

FDB44N25TM

Trans MOSFET N-CH 250V 44A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB44N25TM

Trans MOSFET N-CH 250V 44A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 785 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDB44N25TM

на замовлення 690 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	129.23 грн
500+	103.4 грн

Мінімальне замовлення: 100

FDB44N25TM

MOSFETs 250V N-Ch MOSFET

на замовлення 6813 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	242.6 грн
10+	167.48 грн
100+	101.43 грн
800+	83.32 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDB44N25TM

Description: MOSFET N-CH 250V 44A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 307W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2870 pF @ 25 V

на замовлення 12629 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	232.77 грн
10+	146.34 грн
100+	101.86 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDB52N20

to-263/d2-pak

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB52N20

07+ to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB52N20TM

Description: MOSFET N-CH 200V 52A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V

на замовлення 3106 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	228.86 грн
10+	143.47 грн
100+	99.79 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDB52N20TM

Trans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	83.77 грн

Мінімальне замовлення: 800

FDB52N20TM

Description: ONSEMI - FDB52N20TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 52 A, 0.041 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 52
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 357
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.041
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

на замовлення 140 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	201.57 грн
10+	182.06 грн
100+	146.3 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDB52N20TM

Trans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB52N20TM

MOSFETs 200V N-Ch MOSFET

на замовлення 18013 шт:

термін постачання 203-212 дні (днів)

2+	175.82 грн
10+	148.31 грн
100+	107.23 грн
250+	105.06 грн
800+	81.87 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDB52N20TM

Trans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(2+Tab) D2PAK FDB52N20TM TFDB52n20tm
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 122 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

10+	56.73 грн

Мінімальне замовлення: 10

FDB52N20TM

Description: MOSFET N-CH 200V 52A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V

на замовлення 2400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	79.83 грн
1600+	71.53 грн

Мінімальне замовлення: 800

FDB52N20TM

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 52A; 357W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 52A
Power dissipation: 357W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 49mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

на замовлення 795 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	147.93 грн
5+	122.26 грн
9+	105.66 грн
23+	100.38 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDB52N20TM

Trans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB52N20TM

на замовлення 795 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

2+	177.51 грн
5+	152.36 грн
9+	126.79 грн
23+	120.45 грн
800+	115.93 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDB52N20TM

Description: ONSEMI - FDB52N20TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 52 A, 0.041 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
Verlustleistung: 357
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

на замовлення 140 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	146.3 грн

Мінімальне замовлення: 100

FDB52N20TM

Trans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB5645

07+ TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB5645

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB5645

Description: ONSEMI - FDB5645 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

на замовлення 8432 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

95+	286.1 грн

Мінімальне замовлення: 95

FDB5645

TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB5645

Description: MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4468 pF @ 30 V

на замовлення 8432 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

79+	275.67 грн

Мінімальне замовлення: 79

FDB5680

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

на замовлення 7838 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

188+	130.69 грн

Мінімальне замовлення: 188

FDB5680

TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB5680

07+ TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB5685

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB5685

07+ to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB5690

Description: ONSEMI - FDB5690 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

на замовлення 21703 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	130.86 грн

Мінімальне замовлення: 800

FDB5690

Description: MOSFET N-CH 60V 32A TO-263AB

товар відсутній

FDB5690

07+ to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB5690

Description: MOSFET N-CH 60V 32A TO-263AB

товар відсутній

FDB5690

to-263/d2-pak

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB5690

Description: MOSFET N-CH 60V 32A TO-263AB

товар відсутній

FDB5800

Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB5800

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 242W; D2PAK
Technology: PowerTrench®
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
On-state resistance: 12.6mΩ
Gate charge: 135nC
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Power dissipation: 242W
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET

на замовлення 725 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	199.94 грн
5+	165.28 грн
7+	135.85 грн
17+	128.3 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDB5800

Description: MOSFET N-CH 60V 14A/80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6625 pF @ 15 V

на замовлення 2034 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	276.66 грн
10+	175.1 грн
100+	123.11 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDB5800

на замовлення 725 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

2+	239.93 грн
5+	205.97 грн
7+	163.02 грн
17+	153.96 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDB5800

Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB5800

Description: ONSEMI - FDB5800 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0046 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 80
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 242
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0046
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 1248 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	200.76 грн
10+	180.44 грн
100+	148.74 грн
500+	117.74 грн
1000+	106.59 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDB5800

Description: MOSFET N-CH 60V 14A/80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6625 pF @ 15 V

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	99.57 грн
1600+	92.6 грн

Мінімальне замовлення: 800

FDB5800

Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 2400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	108.2 грн

Мінімальне замовлення: 800

FDB5800

MOSFET 60V N-Ch Logic PowerTrench MOSFET

на замовлення 5894 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	240.91 грн
10+	214.14 грн
25+	182.58 грн
100+	152.88 грн
500+	127.52 грн
800+	108.68 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDB5800
Код товару: 176853

товар відсутній

FDB5800

On Semiconductor

MOSFET N-Channel 60V 14A (Ta), 80A (Tc) 242W (Tc) Surface Mount D2PAK

на замовлення 3 шт:

термін постачання 5 дні (днів)

FDB5800_F085

Description: MOSFET N-CH 60V 14A/80A D2PAK

товар відсутній

FDB6021P

Rochester Electronics, LLC

TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB6021P

Description: P-CHANNEL POWER MOSFET

на замовлення 21255 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

385+	56.49 грн

Мінімальне замовлення: 385

FDB6021P

07+ TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB6021P

to-263/d2-pak

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB6030

07+ to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB6030

to-263/d2-pak

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB6030BL

Description: MOSFET N-CH 30V 40A TO-263AB

товар відсутній

FDB6030BL

Rochester Electronics, LLC

Trans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB6030BL

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

на замовлення 82680 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDB6030L

TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB6030L

Description: MOSFET N-CH 30V 48A TO263AB

на замовлення 22487 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

614+	38.95 грн

Мінімальне замовлення: 614

FDB6030L

0006+

на замовлення 800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB6030L

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB6030L

Trans MOSFET N-CH 30V 48A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB6035A

на замовлення 2800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB6035AL

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB6035AL

Description: ONSEMI - FDB6035AL - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 172284 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

248+	125.98 грн

Мінімальне замовлення: 248

FDB6035AL

TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB6035AL

MOSFET N-Channel PowerTrench

товар відсутній

FDB6035AL

Trans MOSFET N-CH 30V 48A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R

товар відсутній

FDB6035AL

TO263

на замовлення 3040 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB6035AL

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 15 V

на замовлення 172289 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

207+	105.66 грн

Мінімальне замовлення: 207

FDB6035AL

TO252

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB6035AL_Q

MOSFET

товар відсутній

FDB6035L

07+ TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB6035L

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 15 V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

89+	252.22 грн

Мінімальне замовлення: 89

FDB6035L

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB6035L

Description: ONSEMI - FDB6035L - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

105+	373.88 грн

Мінімальне замовлення: 105

FDB6035L

TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB603AL

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 15 V

на замовлення 39200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

247+	95.62 грн

Мінімальне замовлення: 247

FDB603AL

0006+

на замовлення 800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB603AL

TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB603AL

07+ TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB603AL

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB6530A

TO252

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB6644

07+ TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB6644

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB6644

TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB6644S

TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB6670

03+

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB6670AL

Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB6670AL

07+ TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB6670AL

Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO263AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440 pF @ 15 V

на замовлення 91766 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

278+	78.16 грн

Мінімальне замовлення: 278

FDB6670AL

TO263

на замовлення 10135 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB6670AL

Description: ONSEMI - FDB6670AL - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 54166 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

334+	93.47 грн

Мінімальне замовлення: 334

FDB6670AL
Код товару: 150683

товар відсутній

FDB6670AL

Fairchild

на замовлення 2400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB6670AL

Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440 pF @ 15 V

товар відсутній

FDB6670AL

MOSFET N-Channel PowerTrench

товар відсутній

FDB6670AL

TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB6670AL

09+

на замовлення 2159 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB6670AL

04+

на замовлення 380 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB6670AL-NL

INTEL

09+

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB6670AL-NL

0651+ TO-263

на замовлення 1120 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB6670AS

to-263/d2-pak

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB6670AS

07+ to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB6670AS

Trans MOSFET N-CH 30V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB6670AS

Description: MOSFET N-CH 30V 62A TO263AB

на замовлення 5998 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDB6670ASNL

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB6670ASNL

07+ to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB6670S

07+ TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB6670S

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB6670S

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm@ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2639 pF @ 15 V

на замовлення 19090 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

112+	199.55 грн

Мінімальне замовлення: 112

FDB6670S

TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB6670S

09+

на замовлення 288 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB6676

TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB6676

07+ TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB6676

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB6676

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5324 pF @ 15 V

на замовлення 25443 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

386+	55.88 грн

Мінімальне замовлення: 386

FDB6676S

07+ TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB6676S

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB6676S

TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB66870AL

07+ to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB66870AL

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB6690S

Description: MOSFET N-CH 30V 42A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1238 pF @ 15 V

товар відсутній

FDB6690S

07+ TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB6690S

to-263/d2-pak

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB6690S

Description: MOSFET N-CH 30V 42A TO263AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1238 pF @ 15 V

на замовлення 1224 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

398+	54.08 грн

Мінімальне замовлення: 398

FDB6690S

TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB66N15

07+ to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB66N15

to-263/d2-pak

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB66N15TM

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB7020BL

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB7020BL

07+ to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB7030BL

Description: ONSEMI - FDB7030BL - 30V N-CH. FET, 9 MO, TO263, T
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 67420 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	39.91 грн

Мінімальне замовлення: 800

FDB7030BL

Fairchild

на замовлення 2400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB7030BL

MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level

товар відсутній

FDB7030BL

Trans MOSFET N-CH 30V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB7030BL

TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB7030BL

Description: MOSFET N-CH 30V 60A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760 pF @ 15 V

товар відсутній

FDB7030BL

09+

на замовлення 5424 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB7030BL

TO252

на замовлення 117 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB7030BL

07+ TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB7030BL

Description: 60A, 30V, 0.009OHM, N-CHANNEL,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760 pF @ 15 V

на замовлення 66824 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

650+	33.62 грн

Мінімальне замовлення: 650

FDB7030BL

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB7030BL

Description: MOSFET N-CH 30V 60A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760 pF @ 15 V

товар відсутній

FDB7030BL

02+

на замовлення 556 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB7030BL-ON

Description: MOSFET N-CH 30V 60A D2PAK

товар відсутній

FDB7030BL.

Description: ONSEMI - FDB7030BL. - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0068 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 60
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0068
Qualifikation: -
SVHC: Lead (27-Jun-2018)

товар відсутній

FDB7030BL.

Description: ONSEMI - FDB7030BL. - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0068 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 60
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 60
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9
Verlustleistung: 60
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0068
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0068
SVHC: Lead (27-Jun-2018)

товар відсутній

FDB7030BLS

TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB7030BLS

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760 pF @ 15 V

на замовлення 34400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

161+	136.67 грн

Мінімальне замовлення: 161

FDB7030BLS

Description: ONSEMI - FDB7030BLS - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 34400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

194+	140.61 грн

Мінімальне замовлення: 194

FDB7030BLS

MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level

товар відсутній

FDB7030BL_NL

MOSFET 30V N-CH. FET, 9 MO, TO263, T

товар відсутній

FDB7030BL_Q

MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level

товар відсутній

FDB7030L

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB7030L

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB7030L

Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440 pF @ 15 V

товар відсутній

FDB7030L

TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB7030L

MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level

товар відсутній

FDB7030L

09+

на замовлення 1691 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB7030L

TO263/2.5

на замовлення 134 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB7030L

Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440 pF @ 15 V

товар відсутній

FDB7030L

07+ TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB7030L

Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO263AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440 pF @ 15 V

на замовлення 64336 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

52+	422.43 грн

Мінімальне замовлення: 52

FDB7030L_L86Z

MOSFET

товар відсутній

FDB7030L_L86Z

Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440 pF @ 15 V

товар відсутній

FDB7030L_Q

MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level

товар відсутній

FDB7042L

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB7042L

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

на замовлення 120405 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

545+	43.72 грн

Мінімальне замовлення: 545

FDB7042L

Fairchild

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB7042L

TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB7042L

07+ TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB7045

04+

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB7045L

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB7045L

на замовлення 3325 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB7045L

на замовлення 1478 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB7045L

Description: ONSEMI - FDB7045L - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 119044 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

90+	333.24 грн

Мінімальне замовлення: 90

FDB7045L

MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level

товар відсутній

FDB7045L

TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB7045L

09+

на замовлення 3538 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB7045L

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

на замовлення 122774 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

81+	281.96 грн

Мінімальне замовлення: 81

FDB7045L

07+ TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB7045L_Q

MOSFET

товар відсутній

FDB7051L

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB8030L

TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB8030L

09+

на замовлення 818 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB8030L

Description: 80A, 30V, 0.0035OHM, N-CHANNEL,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 15 V

товар відсутній

FDB8030L

07+ TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB8030L

to-263/d2-pak

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB8030L

MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level

товар відсутній

FDB8030L

Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB8030L_NL

MOSFET 30V, TO263, NCH

товар відсутній

FDB8030L_T

onsemi

товар відсутній

FDB8132

Description: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

товар відсутній

FDB8132_F085

Description: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

товар відсутній

FDB8132_F085

Description: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

товар відсутній

FDB8132_F085

Description: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

товар відсутній

FDB8160

Description: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 254W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 243 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11825 pF @ 15 V

на замовлення 17624 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

193+	114.67 грн

Мінімальне замовлення: 193

FDB8160-F085

Description: 80A, 30V, 0.0018OHM, N-CHANNEL,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 254W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 243 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11825 pF @ 15 V

на замовлення 9581 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

233+	94.82 грн

Мінімальне замовлення: 233

FDB8441

Description: MOSFET N-CH 40V 28A/120A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V

товар відсутній

FDB8441

Trans MOSFET N-CH Si 40V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB8441

MOSFET 40V N-Channel PowerTrench MOSFET

товар відсутній

FDB8441

Description: MOSFET N-CH 40V 28A/120A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V

товар відсутній

FDB8441

Trans MOSFET N-CH Si 40V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB8441

Trans MOSFET N-CH Si 40V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB8441

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 28A; 300W; D2PAK
Case: D2PAK
Mounting: SMD
On-state resistance: 2.5mΩ
Kind of package: reel; tape
Technology: UniFET™
Power dissipation: 300W
Gate charge: 280nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 28A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V

товар відсутній

FDB8441

Trans MOSFET N-CH Si 40V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 37 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	92.25 грн
10+	78.43 грн

Мінімальне замовлення: 7

FDB8441-F085

Description: MOSFET N-CH 40V 28A/80A TO263AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3836 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

211+	104.2 грн

Мінімальне замовлення: 211

FDB8441-F085

Description: MOSFET N-CH 40V 28A/80A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

FDB8441-F085

Description: ONSEMI - FDB8441-F085 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 3836 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	135.73 грн

Мінімальне замовлення: 800

FDB8441-F085

MOSFET 40V N-Ch PowerTrench

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDB8442

Description: MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK

товар відсутній

FDB8442

to-263/d2-pak

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB8442

Description: MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK

товар відсутній

FDB8442

07+ to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB8442

Description: MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK

товар відсутній

FDB8442-F085

Description: ONSEMI - FDB8442-F085 - FDB8442-F085, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 351 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDB8442-F085

MOSFET 40V NCHAN PwrTrench

на замовлення 2380 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDB8442-F085-FS

Description: 28A, 40V, 0.0029OHM, N-CHANNEL,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 254W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 235 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12200 pF @ 25 V

на замовлення 351 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

202+	109.53 грн

Мінімальне замовлення: 202

FDB8442_F085

Description: MOSFET N-CH 40V 28A D2PAK

товар відсутній

FDB8442_F085

Description: MOSFET N-CH 40V 28A D2PAK

на замовлення 825 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDB8442_F085

Description: MOSFET N-CH 40V 28A D2PAK

на замовлення 825 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDB8443

Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB8443

MOSFET 40V N-Channel PowerTrench

на замовлення 9 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	345.72 грн
10+	306.62 грн
25+	252.14 грн
100+	218.81 грн

FDB8443

Description: MOSFET N-CH 40V 25A/120A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9310 pF @ 25 V

товар відсутній

FDB8443

Description: MOSFET N-CH 40V 25A/120A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9310 pF @ 25 V

товар відсутній

FDB8443-F085

Trans MOSFET N-CH 40V 25A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB8443-F085

MOSFET 40V N-CHAN PwrTrench

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDB8443_F085

Description: MOSFET N-CH 40V 25A TO-263AB

товар відсутній

FDB8443_F085

Description: MOSFET N-CH 40V 25A TO-263AB

на замовлення 575 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDB8443_F085

Description: MOSFET N-CH 40V 25A TO-263AB

на замовлення 575 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDB8444

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8035 pF @ 25 V

на замовлення 167648 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

264+	81.74 грн

Мінімальне замовлення: 264

FDB8444

Trans MOSFET N-CH 40V 70A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB8444

MOSFET 40V N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 380 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	175.82 грн
10+	144.15 грн
100+	99.99 грн
250+	92.02 грн
500+	81.87 грн
800+	71.44 грн
2400+	68.03 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDB8444

Description: MOSFET N-CH 40V 70A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8035 pF @ 25 V

на замовлення 271 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	159.88 грн
10+	128.15 грн
100+	101.99 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDB8444

to-263/d2-pak

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB8444

Description: MOSFET N-CH 40V 70A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8035 pF @ 25 V

товар відсутній

FDB8444

07+ to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB8444-F085

Description: ONSEMI - FDB8444-F085 - FDB8444-F085, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 12800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	73.88 грн

Мінімальне замовлення: 800

FDB8444-F085

Trans MOSFET N-CH 40V 70A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB8444-F085

Description: MOSFET N-CH 40V 70A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8035 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

FDB8444-F085

Trans MOSFET N-CH 40V 70A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB8444-F085

MOSFET 40V N-Ch PowerTrench

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDB8444TS

Description: MOSFET N-CH 40V 20A/70A TO263-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-6, D2PAK (5 Leads + Tab), TO-263BA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-5
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 338 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410 pF @ 25 V

товар відсутній

FDB8444TS

Trans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 6-Pin(5+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB8444_F085

Description: MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK

на замовлення 778 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDB8444_F085

Description: MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK

на замовлення 778 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDB8444_F085

Description: MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK

товар відсутній

FDB8445

FAIRCHIL

на замовлення 2800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB8445

Description: MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK

на замовлення 209 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	228.86 грн
10+	198.11 грн
100+	162.33 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDB8445

to-263/d2-pak

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB8445

Bipolar Transistors - Pre-Biased DISCRETES

товар відсутній

FDB8445

Description: MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK

товар відсутній

FDB8445

07+ to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB8445-F085

MOSFET 40V N-Ch PowerTrench

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDB8445_F085

Description: MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDB8445_F085

Description: MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDB8445_F085

Description: MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK

товар відсутній

FDB8447L

Trans MOSFET N-CH Si 40V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	163.62 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDB8447L

Trans MOSFET N-CH Si 40V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDB8447L

Trans MOSFET N-CH Si 40V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB8447L

Description: MOSFET N-CH 40V 15A/50A TO263AB

на замовлення 1462 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	179.48 грн
10+	155.25 грн
100+	124.79 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDB8447L

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 60W; D2PAK
Mounting: SMD
Power dissipation: 60W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
On-state resistance: 12.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET

товар відсутній

FDB8447L

Trans MOSFET N-CH Si 40V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB8447L

Description: MOSFET N-CH 40V 15A/50A TO263AB

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	117.11 грн

Мінімальне замовлення: 800

FDB8447L

MOSFET 40V N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 3303 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	185.12 грн
10+	165.81 грн
25+	140.56 грн
100+	123.17 грн

Мінімальне замовлення: 2

FDB8447L

товар відсутній

FDB8453LZ

Description: MOSFET N-CH 40V 16.1A/50A TO263
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.1A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 17.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3545 pF @ 20 V

на замовлення 1734 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

417+	51.97 грн

Мінімальне замовлення: 417

FDB86102LZ

Description: MOSFET N-CH 100V 8.3A/30A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 8.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1275 pF @ 50 V

товар відсутній

FDB86102LZ

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 30A; Idm: 50A; 3.1W; D2PAK
Technology: UniFET™
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Power dissipation: 3.1W
On-state resistance: 42mΩ
Polarisation: unipolar
Gate charge: 21nC
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 50A
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 30A
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

FDB86102LZ

MOSFET 100V NCHAN PwrTrench

на замовлення 39 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	158.91 грн
10+	140.81 грн
100+	98.54 грн
800+	66.73 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDB86102LZ

Trans MOSFET N-CH Si 100V 8.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB86102LZ

Description: MOSFET N-CH 100V 8.3A/30A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 8.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1275 pF @ 50 V

товар відсутній

FDB86102LZ

на замовлення 705 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB86102LZ

Trans MOSFET N-CH Si 100V 8.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB86102LZ

товар відсутній

FDB86135

Trans MOSFET N-CH Si 100V 176A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB86135

Trans MOSFET N-CH Si 100V 176A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 438 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

39+	319.93 грн
41+	301.09 грн
42+	298.87 грн
100+	269.63 грн
250+	225.16 грн

Мінімальне замовлення: 39

FDB86135

Description: MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7295 pF @ 25 V

на замовлення 4733 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	463.2 грн
10+	374.49 грн
100+	302.95 грн

FDB86135

Trans MOSFET N-CH Si 100V 176A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 438 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	297.08 грн
10+	279.58 грн
25+	277.53 грн
100+	250.37 грн
250+	209.07 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDB86135

Description: MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7295 pF @ 25 V

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	279.65 грн
1600+	230.58 грн
2400+	217.12 грн

Мінімальне замовлення: 800

FDB86135

Trans MOSFET N-CH Si 100V 176A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB86135

на замовлення 640 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDB86135

Description: ONSEMI - FDB86135 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.003 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 120
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 227
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 227
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.003
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

товар відсутній

FDB86135

MOSFETs PWM PFC COMBO

на замовлення 18538 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	404.05 грн
10+	334.95 грн
100+	235.47 грн
800+	210.11 грн

FDB86360-F085

Trans MOSFET N-CH 80V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB86360-F085

Description: ONSEMI - FDB86360-F085 - MOSFET'S - SINGLE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 110
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 333
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

товар відсутній

FDB86360-F085

Description: MOSFET N-CH 80V 110A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 253 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1413 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	467.12 грн
10+	303.32 грн
100+	219.81 грн

FDB86360-F085

MOSFET N-Channel Power Trench MOSFET

на замовлення 7882 шт:

термін постачання 418-427 дні (днів)

1+	491.96 грн
10+	435.77 грн
25+	357.92 грн
100+	310.82 грн
500+	264.45 грн
800+	222.43 грн
2400+	210.11 грн

FDB86360-F085

Trans MOSFET N-CH 80V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB86360-F085

Description: MOSFET N-CH 80V 110A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 253 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

FDB86360_SN00307

Description: MOSFET N-CH 80V 110A D2PAK

товар відсутній

FDB86363-F085

MOSFET N-Channel Power Trench MOSFET

на замовлення 1540 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	393.06 грн
10+	349.12 грн
100+	248.51 грн
500+	211.56 грн
800+	178.24 грн
2400+	169.54 грн
4800+	164.47 грн

FDB86363-F085

Description: MOSFET N-CH 80V 110A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 15 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	406.77 грн
10+	262.04 грн

FDB86363-F085

Trans MOSFET N-CH 80V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

FDB86363-F085

Description: ONSEMI - FDB86363-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 110 A, 0.0038 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Power Trench FDD
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

на замовлення 4293 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	225.95 грн
500+	175.85 грн
800+	148.39 грн
1600+	145.6 грн
2400+	142.12 грн

Мінімальне замовлення: 100

FDB86363-F085

Trans MOSFET N-CH 80V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	201.69 грн

Мінімальне замовлення: 800

FDB86363-F085

Description: MOSFET N-CH 80V 110A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

FDB86363-F085