Продукція > ONSEMI > FDB1D7N10CL7
FDB1D7N10CL7

FDB1D7N10CL7 onsemi

fdb1d7n10cl7-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 268A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 268A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65mOhm @ 100A, 15V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11600 pF @ 50 V
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+319.85 грн
1600+ 277.2 грн
2400+ 259.75 грн
Мінімальне замовлення: 800
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDB1D7N10CL7 onsemi

Description: MOSFET N-CH 100V 268A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 268A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65mOhm @ 100A, 15V, Power Dissipation (Max): 250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 700µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 15V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11600 pF @ 50 V.

Інші пропозиції FDB1D7N10CL7 за ціною від 264.13 грн до 543.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDB1D7N10CL7 FDB1D7N10CL7 Виробник : onsemi fdb1d7n10cl7-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 268A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 268A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65mOhm @ 100A, 15V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11600 pF @ 50 V
на замовлення 5277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+507.36 грн
10+ 418.87 грн
100+ 349.07 грн
FDB1D7N10CL7 FDB1D7N10CL7 Виробник : onsemi FDB1D7N10CL7_D-2311896.pdf MOSFET MOSFET 100V 268A 1.7 mOhm
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+543.13 грн
10+ 459.23 грн
25+ 361.7 грн
100+ 332.43 грн
250+ 312.91 грн
500+ 293.4 грн
800+ 264.13 грн
FDB1D7N10CL7 Виробник : ON Semiconductor fdb1d7n10cl7-d.pdf
на замовлення 737 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB1D7N10CL7 FDB1D7N10CL7 Виробник : ON Semiconductor fdb1d7n10cl7-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 268A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB1D7N10CL7 FDB1D7N10CL7 Виробник : ON Semiconductor fdb1d7n10cl7-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 268A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB1D7N10CL7 FDB1D7N10CL7 Виробник : ON Semiconductor fdb1d7n10cl7-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 268A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній