FDB6035AL Fairchild Semiconductor
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 15 V
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 15 V
на замовлення 172289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
207+ | 101.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDB6035AL Fairchild Semiconductor
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 24A, 10V, Power Dissipation (Max): 52W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 15 V.
Інші пропозиції FDB6035AL за ціною від 121.18 грн до 121.18 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FDB6035AL | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDB6035AL - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 172289 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
FDB6035AL | Виробник : FAIR | TO252 |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||
FDB6035AL | Виробник : FAIRCHILD | TO-263 |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||
FDB6035AL | Виробник : FAIRCHILD | TO263 |
на замовлення 3040 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||
FDB6035AL | Виробник : fairchild | to-263/d2-pak |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||
FDB6035AL | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 48A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R |
товар відсутній |
||||||
FDB6035AL | Виробник : onsemi / Fairchild | MOSFET N-Channel PowerTrench |
товар відсутній |