Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDB5800
FDB5800

FDB5800 ON Semiconductor

4505545316799184fdb5800-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+104.07 грн
Мінімальне замовлення: 800
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDB5800 ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 60V 14A/80A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 80A, 10V, Power Dissipation (Max): 242W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6625 pF @ 15 V.

Інші пропозиції FDB5800 за ціною від 102.53 грн до 231.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDB5800 FDB5800 Виробник : onsemi fdb5800-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 14A/80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6625 pF @ 15 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+121.38 грн
Мінімальне замовлення: 800
FDB5800 FDB5800 Виробник : ONSEMI FDB5800.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 242W; D2PAK
Technology: PowerTrench®
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
On-state resistance: 12.6mΩ
Gate charge: 135nC
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Power dissipation: 242W
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 725 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+192.32 грн
5+ 158.98 грн
7+ 130.67 грн
17+ 123.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDB5800 FDB5800 Виробник : ONSEMI 2304400.pdf Description: ONSEMI - FDB5800 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0046 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 80
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 242
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0046
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 1248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+193.1 грн
10+ 173.56 грн
100+ 143.07 грн
500+ 113.25 грн
1000+ 102.53 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDB5800 FDB5800 Виробник : onsemi fdb5800-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 14A/80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6625 pF @ 15 V
на замовлення 1268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+200.53 грн
10+ 162.54 грн
100+ 131.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDB5800 FDB5800 Виробник : ONSEMI FDB5800.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 242W; D2PAK
Technology: PowerTrench®
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
On-state resistance: 12.6mΩ
Gate charge: 135nC
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Power dissipation: 242W
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 725 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+230.79 грн
5+ 198.12 грн
7+ 156.81 грн
17+ 148.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDB5800 FDB5800 Виробник : onsemi / Fairchild FDB5800_D-1806359.pdf MOSFET 60V N-Ch Logic PowerTrench MOSFET
на замовлення 5894 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+231.72 грн
10+ 205.97 грн
25+ 175.62 грн
100+ 147.05 грн
500+ 122.66 грн
800+ 104.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDB5800 Виробник : On Semiconductor fdb5800-d.pdf MOSFET N-Channel 60V 14A (Ta), 80A (Tc) 242W (Tc) Surface Mount D2PAK
на замовлення 3 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
FDB5800
Код товару: 176853 		fdb5800-d.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній