Продукція > ONSEMI > FDB060AN08A0
FDB060AN08A0

FDB060AN08A0 ONSEMI

2907353.pdf Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB060AN08A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 0.0048 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 255W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+143.07 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDB060AN08A0 ONSEMI

Description: ONSEMI - FDB060AN08A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 0.0048 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 75V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 255W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції FDB060AN08A0 за ціною від 117.08 грн до 312.1 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDB060AN08A0 FDB060AN08A0 Виробник : ONSEMI 2907353.pdf Description: ONSEMI - FDB060AN08A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 0.0048 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 255W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+182.94 грн
10+ 143.07 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDB060AN08A0 FDB060AN08A0 Виробник : onsemi fdp060an08a0-d.pdf Description: MOSFET N-CH 75V 16A/80A D2PAK
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+195.21 грн
1600+ 158.54 грн
Мінімальне замовлення: 800
FDB060AN08A0 FDB060AN08A0 Виробник : onsemi / Fairchild FDP060AN08A0_D-2312719.pdf MOSFET Discrete Auto N-Ch PowerTrench
на замовлення 1163 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+210.58 грн
10+ 185.94 грн
25+ 159.59 грн
100+ 142.17 грн
250+ 140.78 грн
500+ 137.29 грн
800+ 117.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDB060AN08A0 FDB060AN08A0 Виробник : onsemi fdp060an08a0-d.pdf Description: MOSFET N-CH 75V 16A/80A D2PAK
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+312.1 грн
10+ 269.47 грн
100+ 220.83 грн
FDB060AN08A0 Виробник : fairchild fdp060an08a0-d.pdf 07+ to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB060AN08A0 Виробник : fairchild fdp060an08a0-d.pdf to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)