![FDB28N30TM FDB28N30TM](https://download.siliconexpert.com/pdfs2/2019/5/14/8/41/25/193122/ons_/manual/to-263.jpg)
FDB28N30TM ON Semiconductor
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
800+ | 67.4 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDB28N30TM ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDB28N30TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 28 A, 0.108 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 300V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 28A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.108ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції FDB28N30TM за ціною від 58.06 грн до 177.47 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FDB28N30TM | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 797 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDB28N30TM | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 5600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDB28N30TM | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDB28N30TM | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 5600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDB28N30TM | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 129mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDB28N30TM | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 300V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 28A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.108ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 1794 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDB28N30TM | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 28A; 250W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 300V Drain current: 28A Power dissipation: 250W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.129Ω Mounting: SMD Gate charge: 50nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 658 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDB28N30TM | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 797 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDB28N30TM | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 28A; 250W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 300V Drain current: 28A Power dissipation: 250W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.129Ω Mounting: SMD Gate charge: 50nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 658 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDB28N30TM | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 129mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V |
на замовлення 1519 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDB28N30TM | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 1266 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDB28N30TM | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 300V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 28A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.108ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 1794 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
FDB28N30TM | Виробник : ON-Semicoductor |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 8 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
FDB28N30TM | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
FDB28N30TM | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
FDB28N30TM | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |