FDB150N10

FDB150N10 onsemi / Fairchild


FDB150N10_D-2312122.pdf Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 100V N-Channel PowerTrench
на замовлення 798 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+226.85 грн
10+ 201.97 грн
25+ 174.93 грн
100+ 156.81 грн
800+ 127.54 грн
2400+ 120.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDB150N10 onsemi / Fairchild

Description: MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 49A, 10V, Power Dissipation (Max): 110W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4760 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FDB150N10 за ціною від 174.15 грн до 266.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDB150N10 FDB150N10 Виробник : onsemi fdb150n10-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 49A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4760 pF @ 25 V
на замовлення 584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+266.87 грн
10+ 215.24 грн
100+ 174.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDB150N10 FDB150N10 Виробник : ON Semiconductor 3659693832529124fdb150n10.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB150N10 FDB150N10 Виробник : onsemi fdb150n10-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 49A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4760 pF @ 25 V
товар відсутній