FDB045AN08A0 onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 75V 19A/90A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 125.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDB045AN08A0 onsemi
Description: MOSFET N-CH 75V 19A/90A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 90A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 80A, 10V, Power Dissipation (Max): 310W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FDB045AN08A0 за ціною від 127.34 грн до 314.77 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDB045AN08A0 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 75V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDB045AN08A0 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 75V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDB045AN08A0 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs N-Channel UltraFET |
на замовлення 6504 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDB045AN08A0 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 75V 19A/90A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 310W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V |
на замовлення 1230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FDB045AN08A0 | Виробник : ONSEMI |
FDB045AN08A0 SMD N channel transistors |
на замовлення 29 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
 |
FDB045AN08A0 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 75V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
FDB045AN08A0 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 75V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
FDB045AN08A0 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 75V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |