Продукція > ONSEMI > FDB031N08
FDB031N08

FDB031N08 onsemi

fdb031n08-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15160 pF @ 25 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+271.2 грн
1600+ 223.61 грн
Мінімальне замовлення: 800
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDB031N08 onsemi

Description: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V, Power Dissipation (Max): 375W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15160 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FDB031N08 за ціною від 203.5 грн до 448.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDB031N08 FDB031N08 Виробник : onsemi / Fairchild FDB031N08_D-2311928.pdf MOSFET 75V N-Channel PowerTrench
на замовлення 710 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+363.44 грн
10+ 335.81 грн
25+ 273.89 грн
100+ 244.62 грн
250+ 243.92 грн
800+ 215.35 грн
2400+ 203.5 грн
FDB031N08 FDB031N08 Виробник : onsemi fdb031n08-d.pdf Description: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15160 pF @ 25 V
на замовлення 1790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+448.55 грн
10+ 363.19 грн
100+ 293.79 грн
FDB031N08 FDB031N08 Виробник : ON Semiconductor 4264499818717533fdb031n08-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 235A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDB031N08 FDB031N08 Виробник : ON Semiconductor 4264499818717533fdb031n08-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 235A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній