![FDB3502 FDB3502](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/5972/488%7EMKT-TO263A02%7E%7E2.jpg)
FDB3502 onsemi
![fdb3502-d.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 75V 6A/14A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 815 pF @ 40 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
800+ | 65.1 грн |
1600+ | 53.19 грн |
2400+ | 50.53 грн |
5600+ | 45.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDB3502 onsemi
Description: MOSFET N-CH 75V 6A/14A TO263AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 14A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 6A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 41W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 815 pF @ 40 V.
Інші пропозиції FDB3502 за ціною від 48.85 грн до 116.1 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FDB3502 | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 2278 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDB3502 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 41W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 815 pF @ 40 V |
на замовлення 12619 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
FDB3502 | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 6764 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDB3502 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 790 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |