Результат пошуку "fdb3632." : 13

Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
FDB3632 FDB3632 ON Semiconductor fdp3632-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+107.32 грн
Мінімальне замовлення: 800
FDB3632 FDB3632 ON Semiconductor fdp3632-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+210.59 грн
Мінімальне замовлення: 800
FDB3632 FDB3632 ON Semiconductor fdp3632-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+131.91 грн
Мінімальне замовлення: 800
FDB3632 FDB3632 ON Semiconductor fdp3632-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+183.95 грн
1600+ 168.9 грн
3200+ 157.98 грн
Мінімальне замовлення: 800
FDB3632 FDB3632 ONSEMI 2304074.pdf Description: ONSEMI - FDB3632 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0075 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 4383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+260.34 грн
10+ 193.88 грн
100+ 157.14 грн
500+ 129.22 грн
1000+ 105.88 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDB3632 FDB3632 ON Semiconductor fdp3632-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 12800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+183.95 грн
3200+ 168.9 грн
6400+ 157.98 грн
9600+ 144.44 грн
Мінімальне замовлення: 800
STB80NF10T4 STB80NF10T4 STMicroelectronics stp80nf10-1851394.pdf MOSFETs N-Ch 100 Volt 80 Amp
на замовлення 1065 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+251.24 грн
10+ 208.38 грн
100+ 146.35 грн
500+ 130.32 грн
1000+ 104.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDB3632 FDB3632 ONSEMI FDB3632.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 310W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 310W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FDB3632 FDB3632 ON Semiconductor fdp3632-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB3632 FDB3632 ON Semiconductor fdp3632-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB3632-F085 FDB3632-F085 ON Semiconductor fdb3632_f085-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 12A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB3632-F101 FDB3632-F101 ON Semiconductor fdb3632_f085-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 12A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
товар відсутній
FDB3632-SN00239 ON Semiconductor fdp3632-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 12A T/R
товар відсутній
FDB3632 fdp3632-d.pdf
FDB3632
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+107.32 грн
Мінімальне замовлення: 800
FDB3632 fdp3632-d.pdf
FDB3632
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+210.59 грн
Мінімальне замовлення: 800
FDB3632 fdp3632-d.pdf
FDB3632
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+131.91 грн
Мінімальне замовлення: 800
FDB3632 fdp3632-d.pdf
FDB3632
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+183.95 грн
1600+ 168.9 грн
3200+ 157.98 грн
Мінімальне замовлення: 800
FDB3632 2304074.pdf
FDB3632
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB3632 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0075 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 4383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+260.34 грн
10+ 193.88 грн
100+ 157.14 грн
500+ 129.22 грн
1000+ 105.88 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDB3632 fdp3632-d.pdf
FDB3632
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 12800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+183.95 грн
3200+ 168.9 грн
6400+ 157.98 грн
9600+ 144.44 грн
Мінімальне замовлення: 800
STB80NF10T4 stp80nf10-1851394.pdf
STB80NF10T4
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 100 Volt 80 Amp
на замовлення 1065 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+251.24 грн
10+ 208.38 грн
100+ 146.35 грн
500+ 130.32 грн
1000+ 104.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDB3632 FDB3632.pdf
FDB3632
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 310W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 310W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FDB3632 fdp3632-d.pdf
FDB3632
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB3632 fdp3632-d.pdf
FDB3632
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB3632-F085 fdb3632_f085-d.pdf
FDB3632-F085
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 12A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB3632-F101 fdb3632_f085-d.pdf
FDB3632-F101
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 12A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
товар відсутній
FDB3632-SN00239 fdp3632-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 12A T/R
товар відсутній