Результат пошуку "fdb3632." : 13
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 800
Мінімальне замовлення: 800
Мінімальне замовлення: 800
Мінімальне замовлення: 800
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 800
Мінімальне замовлення: 2
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FDB3632 | ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
FDB3632 | ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
FDB3632 | ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
FDB3632 | ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 5600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
FDB3632 | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 310W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 4383 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
FDB3632 | ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 12800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
STB80NF10T4 | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 1065 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
FDB3632 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 310W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 80A Power dissipation: 310W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 22mΩ Mounting: SMD Gate charge: 110nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
|||||||||||
![]() |
FDB3632 | ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||
![]() |
FDB3632 | ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||
![]() |
FDB3632-F085 | ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||
![]() |
FDB3632-F101 | ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||
FDB3632-SN00239 | ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
FDB3632 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
800+ | 107.32 грн |
FDB3632 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
800+ | 210.59 грн |
FDB3632 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
800+ | 131.91 грн |
FDB3632 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
800+ | 183.95 грн |
1600+ | 168.9 грн |
3200+ | 157.98 грн |
FDB3632 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB3632 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0075 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - FDB3632 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0075 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 4383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 260.34 грн |
10+ | 193.88 грн |
100+ | 157.14 грн |
500+ | 129.22 грн |
1000+ | 105.88 грн |
FDB3632 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 12800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
800+ | 183.95 грн |
3200+ | 168.9 грн |
6400+ | 157.98 грн |
9600+ | 144.44 грн |
STB80NF10T4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 100 Volt 80 Amp
MOSFETs N-Ch 100 Volt 80 Amp
на замовлення 1065 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 251.24 грн |
10+ | 208.38 грн |
100+ | 146.35 грн |
500+ | 130.32 грн |
1000+ | 104.54 грн |
FDB3632 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 310W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 310W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 310W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 310W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FDB3632-F085 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 12A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 12A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB3632-F101 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 12A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 12A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
товар відсутній