![FDB8444 FDB8444](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/4845/MFG_2156_MJD32CTF-ON.jpg)
FDB8444 Fairchild Semiconductor
![FAIRS24060-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw](/images/adobe-acrobat.png)
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8035 pF @ 25 V
на замовлення 167648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
264+ | 79.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDB8444 Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 40V 70A TO263AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 70A, 10V, Power Dissipation (Max): 167W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8035 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FDB8444 за ціною від 66.24 грн до 171.17 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FDB8444 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8035 pF @ 25 V |
на замовлення 271 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDB8444 | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 380 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
FDB8444 | Виробник : fairchild |
![]() ![]() |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
FDB8444 | Виробник : fairchild |
![]() ![]() |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
![]() |
FDB8444 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
FDB8444 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8035 pF @ 25 V |
товар відсутній |