FDB082N15A onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 117A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 117A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6040 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 280.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDB082N15A onsemi
Description: MOSFET N-CH 150V 117A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 117A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 75A, 10V, Power Dissipation (Max): 294W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6040 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FDB082N15A за ціною від 225.33 грн до 445.95 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDB082N15A | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 150V N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET |
на замовлення 2087 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDB082N15A | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 150V 117A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 117A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 294W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6040 pF @ 25 V |
на замовлення 813 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDB082N15A | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 117A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
FDB082N15A | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 117A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
FDB082N15A | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 117A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
FDB082N15A | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 117A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
FDB082N15A | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; Idm: 468A; 294W; D2PAK Mounting: SMD Case: D2PAK Kind of package: reel; tape Power dissipation: 294W Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 468A Drain-source voltage: 150V Drain current: 83A On-state resistance: 8.2mΩ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 84nC кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
FDB082N15A | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; Idm: 468A; 294W; D2PAK Mounting: SMD Case: D2PAK Kind of package: reel; tape Power dissipation: 294W Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 468A Drain-source voltage: 150V Drain current: 83A On-state resistance: 8.2mΩ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 84nC |
товар відсутній |