FDB14N30TM ONSEMI
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB14N30TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 14 A, 0.24 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
Verlustleistung: 140
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FDB14N30TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 14 A, 0.24 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
Verlustleistung: 140
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 6551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 89.12 грн |
500+ | 66.71 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDB14N30TM ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB14N30TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 14 A, 0.24 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 300, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 14, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 140, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5, euEccn: NLR, Verlustleistung: 140, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 2, Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.24, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24, SVHC: Lead (17-Jan-2022).
Інші пропозиції FDB14N30TM за ціною від 55.62 грн до 128.21 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FDB14N30TM | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 300V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 804 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FDB14N30TM | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 300V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 804 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FDB14N30TM | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDB14N30TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 14 A, 0.24 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 300 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 14 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 140 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 euEccn: NLR Verlustleistung: 140 Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 2 Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.24 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
на замовлення 6551 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FDB14N30TM | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 300V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
FDB14N30TM | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 300V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
FDB14N30TM | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 300V 14A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: D²PAK (TO-263) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V |
товар відсутній |
||||||||||||||||
FDB14N30TM | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 300V 14A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: D²PAK (TO-263) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V |
товар відсутній |
||||||||||||||||
FDB14N30TM | Виробник : onsemi / Fairchild | MOSFET 300V N-Ch MOSFET |
товар відсутній |