Продукція > DMN

BGA

на замовлення 3325 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

DMN-8100 C0

02+

на замовлення 135 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

DMN-8100 C0

02+

на замовлення 135 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

DMN-8100CO

BGA

на замовлення 3325 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

DMN-8100CO

BGA

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

DMN-8600

04+ QFP

на замовлення 250 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

DMN-8600

N/A

на замовлення 37 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

DMN-8600 BO

BGA

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

DMN-8600 BO

BGA

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

DMN-8600 D0

BGA

на замовлення 767 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

DMN-8600DU

03+

на замовлення 22 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

DMN-8602

BGA 04+

на замовлення 150 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

DMN-8602

06+ PBGA308;

на замовлення 166 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

DMN-8602 BO

BGA

на замовлення 325 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

DMN-8602 BO

BGA

на замовлення 160 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

DMN-8602 BO

03+

на замовлення 55 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

DMN-8602-BO

на замовлення 532 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

DMN-8602B0

LSILOGIG

0614+

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

DMN-8602BO

05+

на замовлення 2800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

DMN-8602BO

QFP

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

DMN-8602BO

QFP

на замовлення 3200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

DMN-8602BO

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

DMN-8603

на замовлення 269 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

DMN-8603B1

на замовлення 271 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

DMN-8623

на замовлення 738 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

DMN-8652

на замовлення 439 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

DMN-8652 BO

на замовлення 120 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

DMN-8652B0

2005 BGA

на замовлення 399 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

DMN-8652BO

BGA

на замовлення 3325 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

DMN-8652BO

BGA

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

DMN-8652BO

06PB

на замовлення 120 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

DMN-8802BO

BGA

на замовлення 230 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

DMN100

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

DMN100

MOSFET

товару немає в наявності

DMN100-7

Description: MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3

товару немає в наявності

DMN100-7-F

MOSFET N-Channel

на замовлення 252 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

DMN100-7-F

Trans MOSFET N-CH 30V 1.1A 3-Pin SC-59 T/R

на замовлення 2600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

292+	41.72 грн
295+	41.3 грн
381+	32 грн
400+	29.37 грн
512+	21.26 грн
1000+	16.03 грн

Мінімальне замовлення: 292

DMN100-7-F

Description: MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3

на замовлення 43263 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	49.9 грн
10+	40.96 грн
100+	30.59 грн
500+	22.56 грн
1000+	17.43 грн

Мінімальне замовлення: 7

DMN100-7-F

Trans MOSFET N-CH 30V 1.1A 3-Pin SC-59 T/R

товару немає в наявності

DMN100-7-F

Trans MOSFET N-CH 30V 1.1A 3-Pin SC-59 T/R

на замовлення 2600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	45.74 грн
16+	39.47 грн
25+	38.74 грн
50+	36.98 грн
100+	26.53 грн
250+	24.24 грн
500+	18.95 грн
1000+	14.89 грн

Мінімальне замовлення: 14

DMN100-7-F

Description: MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3

на замовлення 42000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	17.59 грн
6000+	15.84 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN1001UCA10-7

Description: MOSFET 2N-CH 12V 20A X2-TSN1820
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2865pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.55mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 870µA
Supplier Device Package: X2-TSN1820-10

на замовлення 111000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	22.21 грн
6000+	20.27 грн
9000+	19.15 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN1001UCA10-7

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

DMN1001UCA10-7

Description: DIODES INC. - DMN1001UCA10-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 12 V, 20 A, 20 A, 0.00319 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.00319ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: X2-TSN1820
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.00319ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 2950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	35.75 грн
27+	29.62 грн
100+	18.79 грн
500+	15.52 грн
1000+	14.26 грн

Мінімальне замовлення: 23

DMN1001UCA10-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V

на замовлення 1196 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	64.67 грн
10+	55.34 грн
100+	33.36 грн
500+	27.82 грн
1000+	23.78 грн
3000+	21.08 грн
6000+	20.01 грн

Мінімальне замовлення: 6

DMN1001UCA10-7

на замовлення 2950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	18.87 грн
500+	16.56 грн
1000+	14.4 грн

Мінімальне замовлення: 100

DMN1001UCA10-7

DMN1001UCA10-7 Multi channel transistors

товару немає в наявності

DMN1001UCA10-7

Description: MOSFET 2N-CH 12V 20A X2-TSN1820
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2865pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.55mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 870µA
Supplier Device Package: X2-TSN1820-10

на замовлення 113989 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	88.29 грн
10+	53.45 грн
100+	35.26 грн
500+	25.75 грн
1000+	23.39 грн

Мінімальне замовлення: 4

DMN1001UCA10-7

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 42000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	22.54 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN1002UCA6-7

Trans MOSFET N-CH 12V 24.4A 6-Pin X4-DSN T/R

товару немає в наявності

DMN1002UCA6-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V

товару немає в наявності

DMN1002UCA6-7

Description: MOSFET 2N-CH X4-DSN3118-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68.6nC @ 4V
Supplier Device Package: X4-DSN3118-6

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	25.56 грн
6000+	23.44 грн
9000+	22.36 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN1002UCA6-7

Trans MOSFET N-CH 12V 24.4A 6-Pin X4-DSN T/R

товару немає в наявності

DMN1002UCA6-7

Description: MOSFET 2N-CH X4-DSN3118-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68.6nC @ 4V
Supplier Device Package: X4-DSN3118-6

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

DMN1003UCA6-7

Description: MOSFET 2N-CH X3-DSN3518-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.67W
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3315pF @ 6V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: X3-DSN3518-6

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

DMN1003UCA6-7

Description: MOSFET 2N-CH X3-DSN3518-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.67W
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3315pF @ 6V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: X3-DSN3518-6

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	26.21 грн
6000+	24.04 грн
9000+	22.93 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN1003UCA6-7

Trans MOSFET N-CH 12V 23.6A 6-Pin X3-DSN T/R

товару немає в наявності

DMN1003UCA6-7

Trans MOSFET N-CH 12V 23.6A 6-Pin X3-DSN T/R

товару немає в наявності

DMN1003UCA6-7

MOSFETs MOSFETBVDSS: 8V-24V

на замовлення 2409 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	64.67 грн
10+	52.48 грн
100+	35.49 грн
500+	30.09 грн
1000+	24.49 грн
3000+	23.07 грн
6000+	22.43 грн

Мінімальне замовлення: 6

DMN1003UFDE-13

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 10K

товару немає в наявності

DMN1003UFDE-13

Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2551 pF @ 6 V

товару немає в наявності

DMN1003UFDE-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K

на замовлення 1220 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	45.46 грн
10+	38.69 грн
100+	25.12 грн
500+	19.73 грн
1000+	15.26 грн
3000+	13.84 грн
9000+	12.21 грн

Мінімальне замовлення: 8

DMN1004UFDF-13

Trans MOSFET N-CH 12V 15A 6-Pin UDFN EP T/R

товару немає в наявності

DMN1004UFDF-13

Description: MOSFET N-CH 12V 15A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2385 pF @ 6 V

товару немає в наявності

DMN1004UFDF-13

Trans MOSFET N-CH 12V 15A 6-Pin UDFN EP T/R

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	11.8 грн

Мінімальне замовлення: 10000

DMN1004UFDF-13

MOSFET MOSFETBVDSS: 8V-24V

товару немає в наявності

DMN1004UFDF-13

Trans MOSFET N-CH 12V 15A 6-Pin UDFN EP T/R

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	12.71 грн

Мінімальне замовлення: 10000

DMN1004UFDF-7

Trans MOSFET N-CH 12V 15A 6-Pin UDFN EP T/R

товару немає в наявності

DMN1004UFDF-7

MOSFETs MOSFETBVDSS: 8V-24V

на замовлення 11235 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	41.57 грн
10+	33.14 грн
100+	21.08 грн
500+	16.47 грн
1000+	13.34 грн
3000+	10.43 грн

Мінімальне замовлення: 8

DMN1004UFDF-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 12A; Idm: 70A; 2.1W
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 12A
On-state resistance: 7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 47nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 70A
Case: U-DFN2020-6
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

DMN1004UFDF-7

Trans MOSFET N-CH 12V 15A 6-Pin UDFN EP T/R

товару немає в наявності

DMN1004UFDF-7

Description: DIODES INC. - DMN1004UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 15 A, 0.0041 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 2090 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	23.73 грн
500+	17.23 грн
1000+	13.31 грн

Мінімальне замовлення: 100

DMN1004UFDF-7

Description: MOSFET N-CH 12V 15A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2385 pF @ 6 V

на замовлення 11990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	39.15 грн
10+	32.01 грн
100+	22.29 грн
500+	16.33 грн
1000+	13.27 грн

Мінімальне замовлення: 8

DMN1004UFDF-7

Trans MOSFET N-CH 12V 15A 6-Pin UDFN EP T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	12.3 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN1004UFDF-7

на замовлення 2090 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	46.02 грн
22+	36.22 грн
100+	23.73 грн
500+	17.23 грн
1000+	13.31 грн

Мінімальне замовлення: 18

DMN1004UFDF-7

Description: MOSFET N-CH 12V 15A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2385 pF @ 6 V

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	13.13 грн
6000+	12 грн
9000+	11.14 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN1004UFDF-7

товару немає в наявності

DMN1004UFV-13

Description: MOSFET N-CH 12V 70A POWERDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2385 pF @ 6 V

товару немає в наявності

DMN1004UFV-13

Trans MOSFET N-CH 12V 70A 8-Pin PowerDI EP T/R

товару немає в наявності

DMN1004UFV-13

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 50A; Idm: 80A; 1.9W
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 50A
On-state resistance: 5.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.9W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 47nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 80A
Case: PowerDI3333-8

товару немає в наявності

DMN1004UFV-13

Description: MOSFET N-CH 12V 70A POWERDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2385 pF @ 6 V

на замовлення 2315 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	42.99 грн
11+	27.87 грн
100+	19.04 грн
500+	14.07 грн
1000+	12.82 грн

Мінімальне замовлення: 8

DMN1004UFV-13

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V

товару немає в наявності

DMN1004UFV-13

Trans MOSFET N-CH 12V 70A 8-Pin PowerDI EP T/R

на замовлення 90000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	13.06 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN1004UFV-13

товару немає в наявності

DMN1004UFV-13

Trans MOSFET N-CH 12V 70A 8-Pin PowerDI EP T/R

товару немає в наявності

DMN1004UFV-7

Description: DIODES INC. - DMN1004UFV-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 70 A, 0.0028 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 900mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 900mW
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0028ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 2658 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	49.36 грн
20+	41.32 грн
100+	27.79 грн
500+	15.67 грн
2000+	12.35 грн

Мінімальне замовлення: 17

DMN1004UFV-7

Trans MOSFET N-CH 12V 70A 8-Pin PowerDI EP T/R

на замовлення 102000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	13.06 грн

Мінімальне замовлення: 2000

DMN1004UFV-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 55A; 0.9W; PowerDI®3333-8; ESD
Mounting: SMD
Version: ESD
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 55A
On-state resistance: 5.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.9W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Case: PowerDI®3333-8

на замовлення 1095 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

14+	28.66 грн
50+	22.4 грн
57+	15.13 грн
157+	14.31 грн
1000+	13.75 грн

Мінімальне замовлення: 14

DMN1004UFV-7

на замовлення 64000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	13.33 грн
4000+	11.85 грн
6000+	11.34 грн
10000+	10.2 грн

Мінімальне замовлення: 2000

DMN1004UFV-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V

на замовлення 17076 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	33.12 грн
12+	29.38 грн
100+	21.22 грн
500+	16.89 грн
1000+	13.7 грн
2000+	11.07 грн

Мінімальне замовлення: 10

DMN1004UFV-7

Trans MOSFET N-CH 12V 70A 8-Pin PowerDI EP T/R

товару немає в наявності

DMN1004UFV-7

на замовлення 1095 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

9+	34.39 грн
50+	27.91 грн
57+	18.16 грн
157+	17.17 грн
1000+	16.5 грн

Мінімальне замовлення: 9

DMN1004UFV-7

Trans MOSFET N-CH 12V 70A 8-Pin PowerDI EP T/R

товару немає в наявності

DMN1004UFV-7

на замовлення 2658 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	27.79 грн
500+	15.67 грн
2000+	12.35 грн

Мінімальне замовлення: 100

DMN1004UFV-7

на замовлення 70800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	44.53 грн
11+	28.61 грн
100+	19.52 грн
500+	14.43 грн
1000+	13.14 грн

Мінімальне замовлення: 7

DMN1006UCA6-7

Description: MOSFET 2N-CH X3-DSN2718-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2360pF @ 6V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: X3-DSN2718-6

товару немає в наявності

DMN1006UCA6-7

DMN1006UCA6-7 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

DMN1006UCA6-7

Trans MOSFET N-CH 12V 16.6A 6-Pin X3-DSN T/R

товару немає в наявності

DMN1006UCA6-7

Description: MOSFET 2N-CH X3-DSN2718-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2360pF @ 6V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: X3-DSN2718-6

товару немає в наявності

DMN1006UCA6-7

Trans MOSFET N-CH 12V 16.6A 6-Pin X3-DSN T/R

товару немає в наявності

DMN1006UCA6-7

MOSFET MOSFETBVDSS: 8V-24V

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	60.03 грн
10+	52.32 грн
100+	31.01 грн
500+	25.9 грн
1000+	22.07 грн
3000+	19.52 грн

Мінімальне замовлення: 6

DMN1006UCA6-7-01

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V

товару немає в наявності

DMN1008UFDF-13

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10000+	9.03 грн

Мінімальне замовлення: 10000

DMN1008UFDF-13

Trans MOSFET N-CH 12V 12.2A 6-Pin UDFN EP T/R

товару немає в наявності

DMN1008UFDF-13

Description: MOSFET N-CH 12V 12.2A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.4 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 995 pF @ 6 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 559615 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

DMN1008UFDF-13

Description: MOSFET N-CH 12V 12.2A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.4 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 995 pF @ 6 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 550000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

DMN1008UFDF-13

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 9.8A; Idm: 60A; 1W; U-DFN2020-6
Mounting: SMD
Case: U-DFN2020-6
Power dissipation: 1W
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 23.4nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 60A
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 9.8A
On-state resistance: 12.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET

товару немає в наявності

DMN1008UFDF-13

товару немає в наявності

DMN1008UFDF-13

Trans MOSFET N-CH 12V 12.2A 6-Pin UDFN EP T/R

на замовлення 1250000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	8.78 грн
20000+	7.64 грн

Мінімальне замовлення: 10000

DMN1008UFDF-7

DMN1008UFDF-7 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

DMN1008UFDF-7

Trans MOSFET N-CH 12V 12.2A 6-Pin UDFN EP T/R

товару немає в наявності

DMN1008UFDF-7

Description: MOSFET N-CH 12V 12.2A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.4 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 995 pF @ 6 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 65425 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

DMN1008UFDF-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V

на замовлення 91286 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	33.87 грн
13+	25.22 грн
100+	13.27 грн
1000+	9.3 грн
3000+	7.03 грн

Мінімальне замовлення: 10

DMN1008UFDF-7

Trans MOSFET N-CH 12V 12.2A 6-Pin UDFN EP T/R

товару немає в наявності

DMN1008UFDF-7

Description: MOSFET N-CH 12V 12.2A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.4 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 995 pF @ 6 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 63000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

DMN1008UFDFQ-13

Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.4 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 995 pF @ 6 V

товару немає в наявності

DMN1008UFDFQ-13

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V 24V U-DFN2020-6 T&R 10K

товару немає в наявності

DMN1008UFDFQ-13

DMN1008UFDFQ-13

товару немає в наявності

DMN1008UFDFQ-13

DMN1008UFDFQ-13 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

DMN1008UFDFQ-13

MOSFET BVDSS: 8V24V U-DFN2020-6 T&R 10K

товару немає в наявності

DMN1008UFDFQ-7

MOSFET BVDSS: 8V24V U-DFN2020-6 T&R 3K

товару немає в наявності

DMN1008UFDFQ-7

на замовлення 237000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.53 грн
6000+	7.87 грн
9000+	7.08 грн
30000+	6.55 грн
75000+	6.16 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN1008UFDFQ-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K

товару немає в наявності

DMN1014UFDF-13

Description: MOSFET N-CH 12V 8A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 515 pF @ 6 V

на замовлення 50000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	6.37 грн
20000+	5.65 грн
30000+	5.4 грн
50000+	4.8 грн

Мінімальне замовлення: 10000

DMN1014UFDF-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V

товару немає в наявності

DMN1014UFDF-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V

на замовлення 2960 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	37.76 грн
12+	27.83 грн
100+	15.05 грн
1000+	7.95 грн
3000+	6.32 грн
9000+	6.1 грн
24000+	5.61 грн

Мінімальне замовлення: 9

DMN1014UFDF-7

на замовлення 57000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.5 грн
6000+	6.56 грн
9000+	6.22 грн
15000+	5.48 грн
21000+	5.27 грн
30000+	5.06 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN1016UCB6-7

Description: MOSFET N-CH 12V 5.5A U-WLB1510-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 920mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-WLB1510-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 423 pF @ 6 V

на замовлення 3493 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	46.83 грн
10+	38.3 грн
100+	26.61 грн
500+	19.5 грн
1000+	15.85 грн

Мінімальне замовлення: 7

DMN1016UCB6-7

N-Channel Enhancement Mode Mosfet

товару немає в наявності

DMN1016UCB6-7

Description: MOSFET N-CH 12V 5.5A U-WLB1510-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 920mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-WLB1510-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 423 pF @ 6 V

товару немає в наявності

DMN1016UCB6-7

MOSFET N-Ch Enh Mode FET 12Vdss 8Vgss 30A

на замовлення 849 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	55.06 грн
10+	47.09 грн
100+	30.52 грн
500+	23.99 грн

Мінімальне замовлення: 7

DMN1017UCP3-7

MOSFET MOSFETBVDSS: 8V-24V

на замовлення 760 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	52.16 грн
10+	44.24 грн
100+	28.74 грн
500+	22.57 грн

Мінімальне замовлення: 7

DMN1017UCP3-7

Description: MOSFET N-CH 12V 7.5A X3-DSN1010

товару немає в наявності

DMN1019UFDE-7

Trans MOSFET N-CH 12V 11A 6-Pin DFN EP T/R

товару немає в наявності

DMN1019UFDE-7

Trans MOSFET N-CH 12V 11A 6-Pin DFN EP T/R

на замовлення 296 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

296+	10.35 грн

Мінімальне замовлення: 296

DMN1019UFDE-7

Description: MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6E
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 690mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.6 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2425 pF @ 10 V

на замовлення 1026000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.87 грн
6000+	9.67 грн
9000+	9.27 грн
15000+	8.48 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN1019UFDE-7

Description: DIODES INC. - DMN1019UFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 11 A, 0.007 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.17W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 4165 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	39.01 грн
25+	32.48 грн
100+	20.78 грн
500+	15.16 грн
1000+	12.56 грн

Мінімальне замовлення: 21

DMN1019UFDE-7

DMN1019UFDE-7 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

DMN1019UFDE-7

Trans MOSFET N-CH 12V 11A 6-Pin DFN EP T/R

на замовлення 296 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

DMN1019UFDE-7

Trans MOSFET N-CH 12V 11A 6-Pin DFN EP T/R

товару немає в наявності

DMN1019UFDE-7

Trans MOSFET N-CH 12V 11A 6-Pin DFN EP T/R

на замовлення 1167000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.84 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN1019UFDE-7

Description: MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6E
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 690mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.6 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2425 pF @ 10 V

на замовлення 1029275 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	38.39 грн
12+	24.84 грн
100+	16.87 грн
500+	12.41 грн
1000+	11.28 грн

Мінімальне замовлення: 8

DMN1019UFDE-7

на замовлення 4165 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	20.78 грн
500+	15.16 грн
1000+	12.56 грн

Мінімальне замовлення: 100

DMN1019UFDE-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K

на замовлення 6306 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

13+	26.99 грн
14+	23.34 грн
100+	13.48 грн
500+	11.64 грн
1000+	10.36 грн
3000+	9.51 грн
9000+	9.16 грн

Мінімальне замовлення: 13

DMN1019USN

Diodes Inc. MOSFET BVDSS: 8V 24V SC59 T&R 10K

товару немає в наявності

DMN1019USN-13

MOSFETs 12V N-Ch Enh Mode FET 8Vgss 0.68W

на замовлення 68798 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	43.88 грн
13+	26.61 грн
100+	11.21 грн
1000+	8.45 грн
2500+	8.02 грн
10000+	7.24 грн

Мінімальне замовлення: 8

DMN1019USN-13

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 8.8A; Idm: 70A; 830mW; SC59
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 8.8A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 0.83W
Case: SC59
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 10000 шт

товару немає в наявності

DMN1019USN-13

Trans MOSFET N-CH 12V 9.3A 3-Pin SC-59 T/R

на замовлення 180000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	7.8 грн

Мінімальне замовлення: 10000

DMN1019USN-13

Trans MOSFET N-CH 12V 9.3A 3-Pin SC-59 T/R

товару немає в наявності

DMN1019USN-13

товару немає в наявності

DMN1019USN-13

Trans MOSFET N-CH 12V 9.3A 3-Pin SC-59 T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	8.05 грн

Мінімальне замовлення: 10000

DMN1019USN-13

Description: MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 680mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SC-59-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.6 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2426 pF @ 10 V

на замовлення 200000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	7 грн
20000+	6.34 грн

Мінімальне замовлення: 10000

DMN1019USN-13

Description: DIODES INC. - DMN1019USN-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 9.3 A, 0.007 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 530mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 680mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 41913 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

27+	30.02 грн
54+	14.89 грн
250+	11.94 грн
1000+	8.28 грн
5000+	7.51 грн

Мінімальне замовлення: 27

DMN1019USN-13
Код товару: 121899

Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

DMN1019USN-13

Trans MOSFET N-CH 12V 9.3A 3-Pin SC-59 T/R

на замовлення 2890 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

663+	9.62 грн
2500+	9.1 грн

Мінімальне замовлення: 663

DMN1019USN-13

Trans MOSFET N-CH 12V 9.3A 3-Pin SC-59 T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	8.67 грн

Мінімальне замовлення: 10000

DMN1019USN-13

Trans MOSFET N-CH 12V 9.3A 3-Pin SC-59 T/R

на замовлення 2890 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1175+	10.36 грн
2500+	10.2 грн

Мінімальне замовлення: 1175

DMN1019USN-13

Description: MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 680mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SC-59-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.6 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2426 pF @ 10 V

на замовлення 201514 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	29.17 грн
16+	18.78 грн
100+	12.71 грн
500+	9.28 грн
1000+	8.41 грн
2000+	7.66 грн
5000+	6.72 грн

Мінімальне замовлення: 11

DMN1019USN-13

Description: DIODES INC. - DMN1019USN-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 9.3 A, 0.007 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 680mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 530mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 680mW
Bauform - Transistor: SC-59
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.007ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 41913 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	14.89 грн
250+	11.94 грн
1000+	8.28 грн
5000+	7.51 грн

Мінімальне замовлення: 100

DMN1019USN-7

Trans MOSFET N-CH 12V 9.3A 3-Pin SC-59 T/R

на замовлення 27000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	12.8 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN1019USN-7

Description: DIODES INC. - DMN1019USN-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 9.3 A, 0.007 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 680mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.2 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN1019USN-7

на замовлення 665953 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	29.17 грн
16+	18.78 грн
100+	12.71 грн
500+	9.28 грн
1000+	8.41 грн

Мінімальне замовлення: 11

DMN1019USN-7

Trans MOSFET N-CH 12V 9.3A 3-Pin SC-59 T/R

на замовлення 660000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.8 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN1019USN-7

Trans MOSFET N-CH 12V 9.3A 3-Pin SC-59 T/R

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.24 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN1019USN-7

Trans MOSFET N-CH 12V 9.3A 3-Pin SC-59 T/R

товару немає в наявності

DMN1019USN-7

на замовлення 663000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.05 грн
6000+	7.13 грн
9000+	6.81 грн
15000+	6.06 грн
21000+	5.95 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN1019USN-7

Description: DIODES INC. - DMN1019USN-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 9.3 A, 0.007 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 680mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 5063 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

28+	29.06 грн
50+	21.66 грн
100+	14.17 грн
500+	9.09 грн
1500+	8.26 грн

Мінімальне замовлення: 28

DMN1019USN-7

MOSFETs 12V N-Ch Enh FET 2426pF 27.3nC

на замовлення 72908 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	39.25 грн
13+	26.61 грн
100+	11.21 грн
1000+	9.3 грн
3000+	7.45 грн
9000+	7.24 грн

Мінімальне замовлення: 9

DMN1019USN-7

Trans MOSFET N-CH 12V 9.3A 3-Pin SC-59 T/R

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.8 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN1019USN-7

Description: DIODES INC. - DMN1019USN-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 9.3 A, 0.007 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 680mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 680mW
Bauform - Transistor: SC-59
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.007ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 5063 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	14.17 грн
500+	9.09 грн
1500+	8.26 грн

Мінімальне замовлення: 100

DMN1019USN-7

Trans MOSFET N-CH 12V 9.3A 3-Pin SC-59 T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.67 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN1019USN-7

Trans MOSFET N-CH 12V 9.3A 3-Pin SC-59 T/R

на замовлення 27000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.59 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN1019USNQ-13

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V SC59 T&R 10K

товару немає в наявності

DMN1019USNQ-13

Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SC59 T&R 10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 680mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SC-59-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.6 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2426 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	8.25 грн

Мінімальне замовлення: 10000

DMN1019USNQ-13

12V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	8.45 грн

Мінімальне замовлення: 10000

DMN1019USNQ-7

12V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

DMN1019USNQ-7

Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SC59 T&R 3K
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 680mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SC-59-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.6 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2426 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.57 грн
6000+	8.83 грн
9000+	7.95 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN1019USNQ-7

12V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.45 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN1019USNQ-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V SC59 T&R 3K

товару немає в наявності

DMN1019UVT

MOSFETs

товару немає в наявності

DMN1019UVT-13

MOSFETs 12V Enh Mode FET

товару немає в наявності

DMN1019UVT-13

Trans MOSFET N-CH 12V 10.7A 6-Pin TSOT-26 T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	7.78 грн

Мінімальне замовлення: 10000

DMN1019UVT-13

Trans MOSFET N-CH 12V 10.7A 6-Pin TSOT-26 T/R

товару немає в наявності

DMN1019UVT-13

Trans MOSFET N-CH 12V 10.7A 6-Pin TSOT-26 T/R

товару немає в наявності

DMN1019UVT-13

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 10.1A; Idm: 70A; 1.11W; TSOT26
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 10.1A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 1.11W
Case: TSOT26
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 10000 шт

товару немає в наявності

DMN1019UVT-13

товару немає в наявності

DMN1019UVT-13

Description: MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.73W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.4 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2588 pF @ 10 V

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	7.89 грн

Мінімальне замовлення: 10000

DMN1019UVT-7

Trans MOSFET N-CH 12V 10.7A 6-Pin TSOT-26 T/R

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.78 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN1019UVT-7

Trans MOSFET N-CH 12V 10.7A 6-Pin TSOT-26 T/R

товару немає в наявності

DMN1019UVT-7

Description: MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.73W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.4 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2588 pF @ 10 V

на замовлення 26777 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	30.71 грн
13+	22.99 грн
100+	13.8 грн
500+	11.99 грн
1000+	8.16 грн

Мінімальне замовлення: 10

DMN1019UVT-7

товару немає в наявності

DMN1019UVT-7

Description: DIODES INC. - DMN1019UVT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 10.7 A, 0.007 ohm, TSOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 530mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.73W
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 2945 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	38.22 грн
28+	28.98 грн
100+	14.09 грн
500+	10.57 грн
1000+	7.37 грн

Мінімальне замовлення: 21

DMN1019UVT-7

Trans MOSFET N-CH 12V 10.7A 6-Pin TSOT-26 T/R

товару немає в наявності

DMN1019UVT-7

товару немає в наявності

DMN1019UVT-7

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.31 грн
6000+	7.67 грн
9000+	6.9 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN1019UVT-7

MOSFETs 12V Enh Mode FET

на замовлення 13105 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	33.87 грн
13+	25.63 грн
100+	11.21 грн
1000+	8.45 грн
3000+	7.03 грн
9000+	6.53 грн

Мінімальне замовлення: 10

DMN1019UVT-7

Trans MOSFET N-CH 12V 10.7A 6-Pin TSOT-26 T/R

товару немає в наявності

DMN1019UVT-7

на замовлення 2945 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	14.09 грн
500+	10.57 грн
1000+	7.37 грн

Мінімальне замовлення: 100

DMN1023UCB4-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V

товару немає в наявності

DMN1023UCB4-7

Description: MOSFET N CH 5.1A U-WLB1010-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: U-WLB1010-4 (Type C)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 288 pF @ 6 V

товару немає в наявності

DMN1025UFDB-7

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 12V; 5.5A; Idm: 35A; 1.7W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 35A
Case: U-DFN2020-6
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 5.5A
On-state resistance: 38mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 1.7W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 23.1nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±10V

на замовлення 2560 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

35+	12.74 грн
40+	9.32 грн
100+	8.28 грн
120+	7.32 грн
330+	6.88 грн

Мінімальне замовлення: 35

DMN1025UFDB-7

Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

DMN1025UFDB-7

MOSFETs Dual N-Ch Enh FET 12V 10Vgs 1.7W

на замовлення 1978 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	30.8 грн
14+	24.24 грн
100+	14.41 грн
1000+	8.09 грн
3000+	6.32 грн

Мінімальне замовлення: 11

DMN1025UFDB-7

на замовлення 2560 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

20+	15.29 грн
25+	11.61 грн
100+	9.94 грн
120+	8.78 грн
330+	8.25 грн
3000+	7.98 грн

Мінімальне замовлення: 20

DMN1029UFDB-13

Trans MOSFET N-CH 12V 5.6A 6-Pin UDFN EP T/R

товару немає в наявності

DMN1029UFDB-13

Description: MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 914pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.6nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	7.88 грн
20000+	7.01 грн

Мінімальне замовлення: 10000

DMN1029UFDB-13

MOSFET 20V N-Ch Enh Mode 8Vgs 914pF 10.5nC

товару немає в наявності

DMN1029UFDB-13

DMN1029UFDB-13 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

DMN1029UFDB-7

MOSFET 20V N-Ch Enh Mode 8Vgs 914pF 10.5nC

на замовлення 16200 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	35.44 грн
14+	24 грн
100+	12.63 грн
1000+	8.94 грн
3000+	7.88 грн
9000+	7.1 грн
24000+	6.96 грн

Мінімальне замовлення: 10

DMN1029UFDB-7

DMN1029UFDB-7 Multi channel transistors

товару немає в наявності

DMN1029UFDB-7

Description: MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 914pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.6nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Part Status: Active

на замовлення 275099 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	29.94 грн
16+	19.66 грн
100+	13.28 грн
500+	9.71 грн
1000+	8.79 грн

Мінімальне замовлення: 11

DMN1029UFDB-7

Trans MOSFET N-CH 12V 5.6A 6-Pin UDFN EP T/R

товару немає в наявності

DMN1029UFDB-7

на замовлення 270000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.94 грн
6000+	6.66 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN1032UCB4-7

Description: MOSFET N-CH 12V 4.8A U-WLB1010-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: U-WLB1010-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 6 V

товару немає в наявності

DMN1032UCB4-7

Trans MOSFET N-CH 12V 4.8A 4-Pin U-WLB T/R

товару немає в наявності

DMN1032UCB4-7

Trans MOSFET N-CH 12V 4.8A 4-Pin U-WLB T/R

товару немає в наявності

DMN1032UCB4-7

MOSFET 20V N-Ch Enh Mode FET 12V 8Vgss 0.9W

на замовлення 16939 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

DMN1032UCB4-7

Trans MOSFET N-CH 12V 4.8A 4-Pin U-WLB T/R

на замовлення 980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	44.82 грн
16+	38.32 грн
25+	35.65 грн
100+	27.83 грн
250+	25.51 грн
500+	17.15 грн

Мінімальне замовлення: 14

DMN1032UCB4-7

Description: MOSFET N-CH 12V 4.8A U-WLB1010-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: U-WLB1010-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 6 V

товару немає в наявності

DMN1032UCP4-7

Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V X1-DSN1010-
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-XFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 790mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DSN1010-4 (Type B)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 6 V

товару немає в наявності

DMN1033UCB4-7

MOSFET N-Ch Enh Mode FET 12V 26mOhm4.5V 5.5A

на замовлення 1330 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

DMN1033UCB4-7

Description: MOSFET 2N-CH 12V U-WLB1818-4

на замовлення 5174 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	50.67 грн
10+	42.66 грн
100+	32.67 грн
500+	24.23 грн
1000+	19.39 грн

Мінімальне замовлення: 7

DMN1033UCB4-7

Trans MOSFET N-CH 12V 5.5A 4-Pin UWLP T/R

товару немає в наявності

DMN1033UCB4-7

Description: MOSFET 2N-CH 12V U-WLB1818-4

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	21.39 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN1045UFR4-7

Trans MOSFET N-CH 12V 3.2A 3-Pin X2-DFN T/R

товару немає в наявності

DMN1045UFR4-7

Description: MOSFET N-CH 12V 3.2A 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1010-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 375 pF @ 10 V

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.32 грн
6000+	5.57 грн
9000+	5.31 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN1045UFR4-7

Description: DIODES INC. - DMN1045UFR4-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 3.2 A, 0.025 ohm, X2-DFN1010, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: X2-DFN1010
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	11.07 грн
500+	8.06 грн
1000+	5.39 грн

Мінімальне замовлення: 100

DMN1045UFR4-7

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	39.01 грн
30+	26.83 грн
100+	11.07 грн
500+	8.06 грн
1000+	5.39 грн

Мінімальне замовлення: 21

DMN1045UFR4-7

DMN1045UFR4-7 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

DMN1045UFR4-7

Description: MOSFET N-CH 12V 3.2A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1010-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 375 pF @ 10 V

на замовлення 12621 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	23.03 грн
20+	15.08 грн
100+	10.14 грн
500+	7.36 грн
1000+	6.64 грн

Мінімальне замовлення: 14

DMN1045UFR4-7

MOSFET N-Ch Enh Mode FET 12V 3.2A 8Vgss

на замовлення 11952 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	35.44 грн
14+	24.49 грн
100+	9.58 грн
1000+	7.45 грн
3000+	5.61 грн
9000+	5.11 грн
24000+	4.83 грн

Мінімальне замовлення: 10

DMN1053UCP4-7

Description: MOSFET N-CH 12V 2.7A X3DSN0808-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.34W
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: X3-DSN0808-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 908 pF @ 6 V

на замовлення 99000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.74 грн
6000+	8.65 грн
9000+	8.28 грн
15000+	7.44 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN1053UCP4-7

MOSFET MOSFETBVDSS: 8V-24V

на замовлення 35980 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	31.55 грн
13+	26.85 грн
100+	16.32 грн
500+	12.7 грн
1000+	10.36 грн
3000+	8.02 грн

Мінімальне замовлення: 11

DMN1053UCP4-7

Description: MOSFET N-CH 12V 2.7A X3DSN0808-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.34W
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: X3-DSN0808-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 908 pF @ 6 V

на замовлення 99890 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	35.32 грн
14+	22.47 грн
100+	15.23 грн
500+	11.17 грн
1000+	10.13 грн

Мінімальне замовлення: 9

DMN1054UCB4-7

Description: MOSFET N-CH 8V 2.7A X1-WLB0808-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: X1-WLB0808-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 908 pF @ 6 V

на замовлення 38280 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	54.51 грн
10+	35.12 грн
100+	24.11 грн
500+	17.93 грн
1000+	16.39 грн

Мінімальне замовлення: 6

DMN1054UCB4-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 8V; 3.2A; Idm: 8A; 1.34W
Mounting: SMD
Case: X1-WLB0808-4
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±5V
Pulsed drain current: 8A
Drain-source voltage: 8V
Drain current: 3.2A
On-state resistance: 0.11Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.34W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 3000 шт

товару немає в наявності

DMN1054UCB4-7

Description: MOSFET N-CH 8V 2.7A X1-WLB0808-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: X1-WLB0808-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 908 pF @ 6 V

на замовлення 36000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	15.93 грн
6000+	14.27 грн
9000+	14.19 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN1054UCB4-7

N-Channel Enhancement Mode Mosfet

товару немає в наявності

DMN1054UCB4-7

товару немає в наявності

DMN1054UCB4-7

MOSFET N-Ch Enh Mode FET 8Vdss 5Vgss 15A

на замовлення 5976 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

DMN10H099SFG-13

Trans MOSFET N-CH 100V 4.2A 8-Pin PowerDI EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	12.78 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN10H099SFG-13

Trans MOSFET N-CH 100V 4.2A 8-Pin PowerDI EP T/R

товару немає в наявності

DMN10H099SFG-13

MOSFETs 100V N-Ch Enh Mode 1127pF 25.2nC

на замовлення 8040 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	50.84 грн
10+	43.91 грн
100+	25.98 грн
500+	21.79 грн
1000+	18.52 грн
3000+	14.83 грн

Мінімальне замовлення: 7

DMN10H099SFG-13

Description: MOSFET N-CH 100V 4.2A PWRDI3333

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

DMN10H099SFG-13

DMN10H099SFG-13 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

DMN10H099SFG-7

MOSFETs 100V N-Ch Enh Mode 1127pF 25.2nC

на замовлення 1621 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	50.09 грн
10+	43.18 грн
100+	25.9 грн
500+	21.72 грн
1000+	18.45 грн
2000+	16.39 грн

Мінімальне замовлення: 7

DMN10H099SFG-7

Description: MOSFET N-CH 100V 4.2A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 980mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 50 V

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	19 грн

Мінімальне замовлення: 2000

DMN10H099SFG-7

DMN10H099SFG-7 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

DMN10H099SFG-7

Description: MOSFET N-CH 100V 4.2A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 980mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 50 V

на замовлення 11990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	49.13 грн
10+	41.62 грн
100+	31.92 грн
500+	23.68 грн
1000+	18.94 грн

Мінімальне замовлення: 7

DMN10H099SFG-7

Trans MOSFET N-CH 100V 4.2A 8-Pin PowerDI EP T/R

товару немає в наявності

DMN10H099SK3-13

Description: MOSFET N-CH 100V 17A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 50 V

на замовлення 12536 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	42.22 грн
10+	35.49 грн
100+	24.57 грн
500+	19.26 грн
1000+	16.39 грн

Мінімальне замовлення: 8

DMN10H099SK3-13

DMN10H099SK3-13 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

DMN10H099SK3-13

Description: MOSFET N-CH 100V 17A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 50 V

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	16.16 грн
5000+	14.74 грн

Мінімальне замовлення: 2500

DMN10H099SK3-13

Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

DMN10H099SK3-13

MOSFETs 100V N-Ch Enh FET 20Vgs 1172pF 25.2nC

на замовлення 2551 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	47.78 грн
10+	41.46 грн
100+	24.63 грн
500+	20.51 грн
1000+	17.46 грн
2500+	14.62 грн
5000+	14.55 грн

Мінімальне замовлення: 7

DMN10H100SK3-13

Trans MOSFET N-CH 100V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

DMN10H100SK3-13

Description: MOSFET N-CH 100V 18A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 50 V

на замовлення 32710 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	51.44 грн
10+	43.17 грн
100+	29.92 грн
500+	23.46 грн
1000+	19.97 грн

Мінімальне замовлення: 6

DMN10H100SK3-13

MOSFETs 100V N-Ch Enh FET 100mOhm 3V

на замовлення 2658 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	56.22 грн
10+	48.24 грн
100+	29.03 грн
500+	24.27 грн
1000+	20.65 грн
2500+	17.18 грн

Мінімальне замовлення: 6

DMN10H100SK3-13

Description: MOSFET N-CH 100V 18A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 50 V

на замовлення 32500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	19.68 грн
5000+	17.95 грн
12500+	16.96 грн

Мінімальне замовлення: 2500

DMN10H100SK3-13

DMN10H100SK3-13 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

DMN10H120SE-13

Trans MOSFET N-CH 100V 3.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 975000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	14.18 грн

Мінімальне замовлення: 2500

DMN10H120SE-13

DMN10H120SE-13 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

DMN10H120SE-13

Description: MOSFET N-CH 100V 3.6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 549 pF @ 50 V

на замовлення 905640 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	43.76 грн
10+	36 грн
100+	25.05 грн
500+	18.36 грн
1000+	14.92 грн

Мінімальне замовлення: 8

DMN10H120SE-13

Trans MOSFET N-CH 100V 3.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

товару немає в наявності

DMN10H120SE-13

Description: MOSFET N-CH 100V 3.6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 549 pF @ 50 V

на замовлення 905000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	14.76 грн
5000+	13.49 грн
12500+	12.53 грн
25000+	11.49 грн

Мінімальне замовлення: 2500

DMN10H120SE-13

MOSFET 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 549pF 10nC

на замовлення 3099 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	47.78 грн
10+	40.07 грн
100+	24.27 грн
500+	18.95 грн
1000+	15.4 грн
2500+	13.2 грн

Мінімальне замовлення: 7

DMN10H120SFG-13

Trans MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-Pin PowerDI EP T/R

товару немає в наявності

DMN10H120SFG-13

Description: DIODES INC. - DMN10H120SFG-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.8 A, 0.068 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	28.74 грн
500+	22.25 грн
1000+	17.81 грн

Мінімальне замовлення: 100

DMN10H120SFG-13

MOSFET FET BVDSS 61V 100V N-Ch 4.8A 3Vgs 549pF

на замовлення 5816 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	50.09 грн
10+	42.52 грн
100+	25.62 грн
500+	21.36 грн
1000+	18.24 грн
3000+	16.54 грн
6000+	16.11 грн

Мінімальне замовлення: 7

DMN10H120SFG-13

Description: MOSFET N-CH 100V 3.8A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 549 pF @ 50 V

на замовлення 2987838 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	46.06 грн
10+	38.22 грн
100+	26.47 грн
500+	20.76 грн
1000+	17.67 грн

Мінімальне замовлення: 7

DMN10H120SFG-13

Trans MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-Pin PowerDI EP T/R

на замовлення 1017000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	17.32 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN10H120SFG-13

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	55.17 грн
18+	45.78 грн
100+	28.74 грн
500+	22.25 грн
1000+	17.81 грн

Мінімальне замовлення: 15

DMN10H120SFG-13

DMN10H120SFG-13 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

DMN10H120SFG-13

Description: MOSFET N-CH 100V 3.8A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 549 pF @ 50 V

на замовлення 2985000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	17.41 грн
6000+	15.89 грн
9000+	14.71 грн
30000+	13.67 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN10H120SFG-7

MOSFET FET BVDSS 61V 100V N-Ch 4.8A 3Vgs 549pF

на замовлення 5754 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	34.69 грн
11+	29.87 грн
100+	18.03 грн
500+	15.05 грн
1000+	14.69 грн

Мінімальне замовлення: 10

DMN10H120SFG-7

Description: MOSFET N-CH 100V 3.8A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 549 pF @ 50 V

на замовлення 719889 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	32.24 грн
11+	26.91 грн
100+	18.62 грн
500+	14.59 грн
1000+	13.67 грн

Мінімальне замовлення: 10

DMN10H120SFG-7

Trans MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-Pin PowerDI EP T/R

на замовлення 150000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	17.32 грн

Мінімальне замовлення: 2000

DMN10H120SFG-7

DMN10H120SFG-7 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

DMN10H120SFG-7

Description: DIODES INC. - DMN10H120SFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.8 A, 0.068 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 1982 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	55.17 грн
18+	45.78 грн
100+	28.74 грн
500+	22.33 грн
1000+	17.74 грн

Мінімальне замовлення: 15

DMN10H120SFG-7

Description: MOSFET N-CH 100V 3.8A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 549 pF @ 50 V

на замовлення 714000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	15.12 грн

Мінімальне замовлення: 2000

DMN10H120SFG-7

Trans MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-Pin PowerDI EP T/R

товару немає в наявності

DMN10H120SFG-7

на замовлення 1982 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	28.74 грн
500+	22.33 грн
1000+	17.74 грн

Мінімальне замовлення: 100

DMN10H170SFDE-13

Description: MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1167 pF @ 25 V

товару немає в наявності

DMN10H170SFDE-13

MOSFETs 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 2.9A 0.66W

товару немає в наявності

DMN10H170SFDE-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; Idm: 10A; 1.31W
Case: U-DFN2020-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 2.7A
On-state resistance: 0.2Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.31W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 9.7nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 10A
Drain-source voltage: 100V
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

DMN10H170SFDE-7

Description: DIODES INC. - DMN10H170SFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.9 A, 0.116 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.03W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.116ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 2955 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

38+	21.34 грн
46+	17.6 грн
100+	10.99 грн
500+	7.98 грн
1000+	6.62 грн

Мінімальне замовлення: 38

DMN10H170SFDE-7

товару немає в наявності

DMN10H170SFDE-7

MOSFETs 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 2.9A 0.66W

на замовлення 2847 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	38.5 грн
11+	32.08 грн
100+	19.45 грн
500+	15.19 грн
1000+	12.35 грн
3000+	10.86 грн

Мінімальне замовлення: 9

DMN10H170SFDE-7

Trans MOSFET N-CH 100V 2.9A 6-Pin UDFN EP T/R

товару немає в наявності

DMN10H170SFDE-7

Description: MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1167 pF @ 25 V

на замовлення 170853 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	34.55 грн
11+	28.39 грн
100+	19.84 грн
500+	14.46 грн
1000+	13.02 грн

Мінімальне замовлення: 9

DMN10H170SFDE-7

на замовлення 2955 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	10.99 грн
500+	7.98 грн
1000+	6.62 грн

Мінімальне замовлення: 100

DMN10H170SFDE-7

на замовлення 168000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.52 грн
6000+	10.92 грн
9000+	10.66 грн
15000+	9.43 грн
21000+	8.93 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN10H170SFG-13

Description: MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta), 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 122mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 940mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870.7 pF @ 25 V

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	14.07 грн
6000+	12.68 грн
15000+	11.8 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN10H170SFG-13

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; 1.3W; PowerDI®3333-8
Case: PowerDI®3333-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 2.7A
On-state resistance: 0.133Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

DMN10H170SFG-13

Description: MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta), 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 122mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 940mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870.7 pF @ 25 V

на замовлення 26900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	39.92 грн
10+	32.75 грн
25+	30.58 грн
100+	22.97 грн
250+	21.33 грн
500+	18.05 грн
1000+	13.72 грн

Мінімальне замовлення: 8

DMN10H170SFG-13

товару немає в наявності

DMN10H170SFG-13

MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 100Vdss 20Vgss

на замовлення 10200 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	44.63 грн
10+	35.26 грн
100+	22.78 грн
500+	19.3 грн
1000+	14.9 грн
3000+	11.28 грн

Мінімальне замовлення: 8

DMN10H170SFG-13

Trans MOSFET N-CH 100V 2.9A 8-Pin PowerDI EP T/R

товару немає в наявності

DMN10H170SFG-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3A; Idm: 16A; 1.3W
Case: PowerDI3333-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 3A
On-state resistance: 0.133Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 14.9nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 16A
Drain-source voltage: 100V
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

DMN10H170SFG-7

на замовлення 50000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	14.07 грн
6000+	12.68 грн
10000+	11.8 грн
50000+	10.25 грн

Мінімальне замовлення: 2000

DMN10H170SFG-7

товару немає в наявності

DMN10H170SFG-7

MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 100Vdss 20Vgss

на замовлення 1486 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	44.63 грн
10+	35.26 грн
100+	22.78 грн
500+	19.3 грн
1000+	14.9 грн
2000+	12.42 грн

Мінімальне замовлення: 8

DMN10H170SFG-7

Trans MOSFET N-CH 100V 2.9A 8-Pin PowerDI EP T/R

товару немає в наявності

DMN10H170SFG-7

на замовлення 51045 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	39.92 грн
10+	32.75 грн
25+	30.58 грн
100+	22.97 грн
250+	21.33 грн
500+	18.05 грн
1000+	13.72 грн

Мінімальне замовлення: 8

DMN10H170SFGQ-13

Description: MOSFET N-CH 100V PWRDI3333

товару немає в наявності

DMN10H170SFGQ-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V

товару немає в наявності

DMN10H170SFGQ-7

Description: MOSFET N-CH 100V PWRDI3333

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

DMN10H170SK3-13

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 7.5A; Idm: 16A; 17W; TO252
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 7.5A
On-state resistance: 0.16Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 17W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 9.7nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 16A
Drain-source voltage: 100V

товару немає в наявності

DMN10H170SK3-13

Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

DMN10H170SK3-13

Description: MOSFET N-CH 100V 12A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1167 pF @ 25 V

на замовлення 320000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	15.4 грн
5000+	13.75 грн
7500+	13.31 грн

Мінімальне замовлення: 2500

DMN10H170SK3-13

MOSFETs 100V N-CH MOSFET 100V 12A

на замовлення 23217 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	43.88 грн
10+	38.03 грн
100+	18.03 грн
500+	15.47 грн
1000+	15.12 грн
2500+	14.83 грн

Мінімальне замовлення: 8

DMN10H170SK3-13

Description: MOSFET N-CH 100V 12A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1167 pF @ 25 V

на замовлення 322473 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	52.2 грн
10+	33.42 грн
100+	22.9 грн
500+	17.01 грн
1000+	15.53 грн

Мінімальне замовлення: 6

DMN10H170SK3-13

товару немає в наявності

DMN10H170SK3Q-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V 100V

на замовлення 7222 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	35.44 грн
11+	30.52 грн
100+	18.38 грн
500+	16.47 грн

Мінімальне замовлення: 10

DMN10H170SK3Q-13

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 7.5A; Idm: 16A; 17W; TO252
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 7.5A
On-state resistance: 99Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 17W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 9.7nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 16A
Drain-source voltage: 100V
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

DMN10H170SK3Q-13

Description: MOSFET N-CH 100V 12A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1167 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2058646 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	70.63 грн
10+	41.47 грн
100+	22.1 грн
500+	18 грн
1000+	17.75 грн

Мінімальне замовлення: 5

DMN10H170SK3Q-13

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 7.5A; Idm: 16A; 17W; TO252
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 7.5A
On-state resistance: 99Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 17W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 9.7nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 16A
Drain-source voltage: 100V

товару немає в наявності

DMN10H170SK3Q-13

100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

товару немає в наявності

DMN10H170SK3Q-13

Description: MOSFET N-CH 100V 12A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1167 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2055000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	16.7 грн

Мінімальне замовлення: 2500

DMN10H170SVT-13

Description: MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1167 pF @ 25 V

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	10.9 грн

Мінімальне замовлення: 10000

DMN10H170SVT-13

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.1A; Idm: 11.2A; 1.7W; TSOT26
Case: TSOT26
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 2.1A
On-state resistance: 0.2Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.7W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 9.7nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 11.2A
Drain-source voltage: 100V

товару немає в наявності

DMN10H170SVT-13

Trans MOSFET N-CH 100V 2.6A 6-Pin TSOT-26 T/R

товару немає в наявності

DMN10H170SVT-13

MOSFETs 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 2.6A 1.2W

товару немає в наявності

DMN10H170SVT-13

Trans MOSFET N-CH 100V 2.6A 6-Pin TSOT-26 T/R

товару немає в наявності

DMN10H170SVT-13

товару немає в наявності

DMN10H170SVT-7

Description: MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1167 pF @ 25 V

на замовлення 877630 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	34.55 грн
11+	28.39 грн
100+	19.84 грн
500+	14.46 грн
1000+	13.02 грн

Мінімальне замовлення: 9

DMN10H170SVT-7

MOSFETs 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 2.6A 1.2W

на замовлення 46217 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	38.5 грн
11+	32.08 грн
100+	19.45 грн
500+	15.19 грн
1000+	12.35 грн
3000+	9.87 грн

Мінімальне замовлення: 9

DMN10H170SVT-7

Trans MOSFET N-CH 100V 2.6A 6-Pin TSOT-26 T/R

товару немає в наявності

DMN10H170SVT-7

товару немає в наявності

DMN10H170SVT-7

на замовлення 873000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.03 грн
6000+	10.25 грн
9000+	9.88 грн
15000+	9.24 грн
21000+	8.93 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN10H170SVT-7

товару немає в наявності

DMN10H170SVT-7

Trans MOSFET N-CH 100V 2.6A 6-Pin TSOT-26 T/R

товару немає в наявності

DMN10H170SVTQ-13

MOSFET MOSFET BVDSS

товару немає в наявності

DMN10H170SVTQ-13

Description: MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26

товару немає в наявності

DMN10H170SVTQ-7

Description: MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1167 pF @ 25 V

на замовлення 390437 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	40.69 грн
10+	33.64 грн
100+	22.93 грн
500+	16.51 грн
1000+	14.89 грн

Мінімальне замовлення: 8

DMN10H170SVTQ-7

100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

DMN10H170SVTQ-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.3A; 1.2W; TSOT26
Case: TSOT26
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 2.3A
On-state resistance: 0.2Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 1.2W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

DMN10H170SVTQ-7

Description: MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1167 pF @ 25 V

на замовлення 390000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	13.61 грн
6000+	12.57 грн
9000+	12.01 грн
15000+	10.67 грн
21000+	10.55 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN10H170SVTQ-7

товару немає в наявності

DMN10H170SVTQ-7

100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

DMN10H170SVTQ-7

MOSFETs 100V N-Ch Enh FET 160mOhm 10Vgs 2.6A

на замовлення 2289 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	45.46 грн
10+	37.95 грн
100+	22.99 грн
500+	17.96 грн
1000+	15.26 грн
3000+	12.85 грн

Мінімальне замовлення: 8

DMN10H220L

MOSFETs

товару немає в наявності

DMN10H220L-13

Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

DMN10H220L-13

Description: MOSFET N-CH 100V 1.4A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 401 pF @ 25 V

на замовлення 100000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

DMN10H220L-13

Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

DMN10H220L-13

Description: MOSFET N-CH 100V 1.4A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 401 pF @ 25 V

на замовлення 100000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	8.77 грн
30000+	8.25 грн
50000+	8.04 грн

Мінімальне замовлення: 10000

DMN10H220L-13

Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	9.66 грн

Мінімальне замовлення: 10000

DMN10H220L-13

DMN10H220L-13 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

DMN10H220L-13

MOSFETs 100V N-Ch Enh FET 16Vgs 1.6A 1.3W

на замовлення 7641 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	32.37 грн
12+	27.42 грн
100+	17.81 грн
500+	13.98 грн
1000+	10.86 грн
2500+	9.94 грн
10000+	8.94 грн

Мінімальне замовлення: 11

DMN10H220L-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.3A; Idm: 8A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.3A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

на замовлення 1527 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

15+	27.07 грн
50+	11.9 грн
100+	10.35 грн
130+	6.58 грн
357+	6.28 грн

Мінімальне замовлення: 15

DMN10H220L-7

Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.25 грн
6000+	9.63 грн
12000+	6.26 грн
18000+	5.97 грн
30000+	5.48 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN10H220L-7

Description: DIODES INC. - DMN10H220L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.4 A, 0.22 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 47710 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

27+	29.78 грн
50+	24.36 грн
100+	18.95 грн
500+	11.16 грн
1500+	10.1 грн

Мінімальне замовлення: 27

DMN10H220L-7

Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	4.25 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN10H220L-7

на замовлення 1527 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

9+	32.48 грн
50+	14.83 грн
100+	12.42 грн
130+	7.9 грн
357+	7.54 грн

Мінімальне замовлення: 9

DMN10H220L-7

на замовлення 438971 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	35.32 грн
14+	22.7 грн
100+	15.4 грн
500+	11.3 грн
1000+	10.26 грн

Мінімальне замовлення: 9

DMN10H220L-7

MOSFETs 100V N-Ch Enh FET 16Vgs 1.6A 1.3W

на замовлення 143703 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	33.12 грн
13+	25.46 грн
100+	15.05 грн
500+	11.78 грн
1000+	10.15 грн
3000+	8.23 грн

Мінімальне замовлення: 10

DMN10H220L-7

Description: DIODES INC. - DMN10H220L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.4 A, 0.22 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.3W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.22ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 49010 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	18.95 грн
500+	11.16 грн
1500+	10.1 грн

Мінімальне замовлення: 100

DMN10H220L-7

Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 309 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

DMN10H220L-7

Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 309 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

DMN10H220L-7

Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

DMN10H220L-7

на замовлення 435000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.86 грн
6000+	8.76 грн
9000+	8.39 грн
15000+	7.55 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN10H220L-7

Description: DIODES INC. - DMN10H220L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.4 A, 0.22 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.11 грн
9000+	9.87 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN10H220L-7

Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.22 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN10H220L-7

Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.52 грн
6000+	8.94 грн
12000+	5.82 грн
18000+	5.54 грн
30000+	5.09 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN10H220LDV-13

Description: MOSFET 2N-CH 100V PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W (Ta), 40W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 366pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 222mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXC)

товару немає в наявності

DMN10H220LDV-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI3333-8 T&R 3K

товару немає в наявності

DMN10H220LDV-7

Description: DIODES INC. - DMN10H220LDV-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 10.5 A, 10.5 A, 0.17 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.17ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 40W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerDI3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.17ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 40W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 1270 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	23.09 грн
500+	20.4 грн
1000+	14.06 грн

Мінімальне замовлення: 100

DMN10H220LDV-7

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 14000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	10.55 грн

Мінімальне замовлення: 2000

DMN10H220LDV-7

на замовлення 16000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	10.87 грн
6000+	9.94 грн
10000+	9.23 грн

Мінімальне замовлення: 2000

DMN10H220LDV-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI3333-8 T&R 2K

товару немає в наявності

DMN10H220LDV-7

на замовлення 1270 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	46.89 грн
28+	29.14 грн
100+	23.09 грн
500+	20.4 грн
1000+	14.06 грн

Мінімальне замовлення: 17

DMN10H220LE-13

Trans MOSFET N-CH 100V 2.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

товару немає в наявності

DMN10H220LE-13

Description: MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 401 pF @ 25 V

на замовлення 216941 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	42.22 грн
10+	34.97 грн
100+	24.18 грн
500+	18.96 грн
1000+	16.14 грн

Мінімальне замовлення: 8

DMN10H220LE-13

MOSFETs FET BVDSS 61V 100V N-Ch 3A 401pF 8.3nC

на замовлення 8411 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	44.63 грн
10+	37.46 грн
100+	22.36 грн
500+	17.74 грн
1000+	16.18 грн
2500+	13.48 грн

Мінімальне замовлення: 8

DMN10H220LE-13

Description: DIODES INC. - DMN10H220LE-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.2 A, 0.155 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 14W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1350 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	51.03 грн
19+	42.59 грн
100+	26.59 грн
500+	20.7 грн
1000+	13.99 грн

Мінімальне замовлення: 16

DMN10H220LE-13

Trans MOSFET N-CH 100V 2.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 92500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	15.98 грн

Мінімальне замовлення: 2500

DMN10H220LE-13

Trans MOSFET N-CH 100V 2.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

товару немає в наявності

DMN10H220LE-13

Trans MOSFET N-CH 100V 2.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

товару немає в наявності

DMN10H220LE-13

Description: MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 401 pF @ 25 V

на замовлення 215000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	15.91 грн
5000+	14.51 грн
12500+	13.44 грн
25000+	12.48 грн

Мінімальне замовлення: 2500

DMN10H220LE-13

на замовлення 1350 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	26.59 грн
500+	20.7 грн
1000+	13.99 грн

Мінімальне замовлення: 100

DMN10H220LE-13

DMN10H220LE-13 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

DMN10H220LFDF-13

Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 384 pF @ 25 V

товару немає в наявності

DMN10H220LFDF-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V U-DFN2020-6 T&R 10K

товару немає в наявності

DMN10H220LFDF-7

Description: DIODES INC. - DMN10H220LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.2 A, 0.174 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.174ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 2760 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	11.23 грн
500+	9.17 грн
1000+	7.23 грн

Мінімальне замовлення: 100

DMN10H220LFDF-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V U-DFN2020-6 T&R 3K

на замовлення 5715 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	34.69 грн
14+	24 грн
100+	9.37 грн
1000+	7.24 грн
9000+	5.61 грн
24000+	5.54 грн
45000+	4.83 грн

Мінімальне замовлення: 10

DMN10H220LFDF-7

на замовлення 2760 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	39.17 грн
30+	27.23 грн
100+	11.23 грн
500+	9.17 грн
1000+	7.23 грн

Мінімальне замовлення: 21

DMN10H220LFDF-7

100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

DMN10H220LFDF-7

DMN10H220LFDF-7 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

DMN10H220LFDF-7

Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 384 pF @ 25 V

на замовлення 7790 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	31.48 грн
14+	21.51 грн
100+	10.84 грн
500+	9.02 грн
1000+	7.02 грн

Мінімальне замовлення: 10

DMN10H220LFDF-7

100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.69 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN10H220LFDF-7

100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

DMN10H220LFDF-7

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.95 грн
6000+	6.54 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN10H220LFVW-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI3333-8/SWP T&R 3K

товару немає в наявності

DMN10H220LFVW-13

Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 222mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 366 pF @ 50 V

товару немає в наявності

DMN10H220LFVW-7

100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 44000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	8.46 грн

Мінімальне замовлення: 2000

DMN10H220LFVW-7

DMN10H220LFVW-7 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

DMN10H220LFVW-7

Description: DIODES INC. - DMN10H220LFVW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 11 A, 0.164 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.164ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 825 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	17.44 грн
500+	12.49 грн

Мінімальне замовлення: 100

DMN10H220LFVW-7

100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

DMN10H220LFVW-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI3333-8/SWP T&R 2K

товару немає в наявності

DMN10H220LFVW-7

на замовлення 825 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	47.69 грн
33+	24.6 грн
100+	17.44 грн
500+	12.49 грн

Мінімальне замовлення: 17

DMN10H220LFVW-7

на замовлення 44000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	9.03 грн
6000+	8.34 грн
10000+	7.5 грн

Мінімальне замовлення: 2000

DMN10H220LK3-13

High Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

DMN10H220LK3-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V TO252 T&R 2.5K

на замовлення 10487 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	33.12 грн
12+	27.59 грн
100+	16.68 грн
500+	13.06 грн
1000+	10.65 грн
2500+	8.94 грн
25000+	8.52 грн

Мінімальне замовлення: 10

DMN10H220LK3-13

High Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

DMN10H220LK3-13

Description: MOSFET N-CH 100V 7.5A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 18.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 384 pF @ 25 V

на замовлення 52500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	10.36 грн
5000+	9.47 грн
12500+	8.79 грн
25000+	8.06 грн

Мінімальне замовлення: 2500

DMN10H220LK3-13

Description: DIODES INC. - DMN10H220LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.5 A, 0.179 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 18.7W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.179ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 1895 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	37.34 грн
26+	30.97 грн
100+	19.35 грн
500+	14.05 грн
1000+	10.85 грн

Мінімальне замовлення: 22

DMN10H220LK3-13

High Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	10.05 грн

Мінімальне замовлення: 2500

DMN10H220LK3-13

DMN10H220LK3-13 SMD N channel transistors

на замовлення 1467 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

8+	36.11 грн
81+	12.83 грн
223+	12.13 грн
5000+	12.07 грн

Мінімальне замовлення: 8

DMN10H220LK3-13

Description: MOSFET N-CH 100V 7.5A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 18.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 384 pF @ 25 V

на замовлення 56467 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	30.71 грн
12+	25.28 грн
100+	17.58 грн
500+	12.88 грн
1000+	10.47 грн

Мінімальне замовлення: 10

DMN10H220LK3-13

на замовлення 1895 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	19.35 грн
500+	14.05 грн
1000+	10.85 грн

Мінімальне замовлення: 100

DMN10H220LPDW-13

Description: DIODES INC. - DMN10H220LPDW-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 8 A, 8 A, 0.168 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.168ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.168ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 4975 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	61.54 грн
19+	42.51 грн
100+	31.37 грн
500+	26.39 грн
1000+	12.83 грн

Мінімальне замовлення: 13

DMN10H220LPDW-13

DMN10H220LPDW-13 Multi channel transistors

товару немає в наявності

DMN10H220LPDW-13

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

DMN10H220LPDW-13

Description: MOSFET 2N-CH 100V 8A POWERDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 384pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 222mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type R)

на замовлення 12500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	15.45 грн
5000+	13.65 грн
7500+	13.03 грн
12500+	11.57 грн

Мінімальне замовлення: 2500

DMN10H220LPDW-13

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

DMN10H220LPDW-13

на замовлення 4975 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	31.37 грн
500+	26.39 грн
1000+	12.83 грн

Мінімальне замовлення: 100

DMN10H220LPDW-13

MOSFETs MOSFET BVDSS61V-100V

на замовлення 2480 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	54.65 грн
10+	38.44 грн
100+	27.25 грн
500+	24.77 грн
1000+	20.58 грн
2500+	12.99 грн
10000+	12.07 грн

Мінімальне замовлення: 7

DMN10H220LPDW-13

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 12500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	14.17 грн

Мінімальне замовлення: 2500

DMN10H220LQ-13

Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

DMN10H220LQ-13

Description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 401 pF @ 25 V

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	4.76 грн

Мінімальне замовлення: 10000

DMN10H220LQ-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V SOT23 T&R 10K

товару немає в наявності

DMN10H220LQ-13

Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	4.26 грн

Мінімальне замовлення: 10000

DMN10H220LQ-13

Description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 401 pF @ 25 V

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	32.24 грн
14+	21.59 грн
100+	10.89 грн
500+	8.34 грн
1000+	6.19 грн
2000+	5.21 грн
5000+	4.89 грн

Мінімальне замовлення: 10

DMN10H220LQ-7

Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6000+	3.95 грн
9000+	3.68 грн

Мінімальне замовлення: 6000

DMN10H220LQ-7

Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

DMN10H220LQ-7

Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

DMN10H220LQ-7

на замовлення 543000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.76 грн
6000+	5.3 грн
9000+	4.59 грн
30000+	4.22 грн
75000+	3.5 грн
150000+	3.44 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN10H220LQ-7

Description: DIODES INC. - DMN10H220LQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.4 A, 0.22 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 2755 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	9.87 грн
500+	7.76 грн
1000+	5.9 грн

Мінімальне замовлення: 100

DMN10H220LQ-7

Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6000+	4.25 грн
9000+	3.97 грн

Мінімальне замовлення: 6000

DMN10H220LQ-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.3A; 1.3W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±16V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.3A
On-state resistance: 0.25Ω
Type of transistor: N-MOSFET

на замовлення 2779 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

14+	28.66 грн
19+	20.26 грн
25+	15.6 грн
100+	9.32 грн
158+	5.48 грн
435+	5.18 грн
1000+	4.95 грн

Мінімальне замовлення: 14

DMN10H220LQ-7

Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	4.26 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN10H220LQ-7

на замовлення 548640 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	32.24 грн
14+	21.59 грн
100+	10.89 грн
500+	8.34 грн
1000+	6.19 грн

Мінімальне замовлення: 10

DMN10H220LQ-7

на замовлення 2779 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

9+	34.39 грн
11+	25.24 грн
25+	18.72 грн
100+	11.18 грн
158+	6.57 грн
435+	6.22 грн
1000+	5.94 грн

Мінімальне замовлення: 9

DMN10H220LQ-7

на замовлення 2755 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	39.01 грн
30+	26.59 грн
100+	9.87 грн
500+	7.76 грн
1000+	5.9 грн

Мінімальне замовлення: 21

DMN10H220LQ-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V SOT23 T&R 3K

на замовлення 162863 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	33.87 грн
14+	23.51 грн
100+	8.45 грн
1000+	6.25 грн
3000+	4.61 грн
9000+	4.05 грн
24000+	3.62 грн

Мінімальне замовлення: 10

DMN10H220LVT

MOSFETs

товару немає в наявності

DMN10H220LVT-13

MOSFETs 100V N-Ch Enh FET 220mOhm 16Vgs

товару немає в наявності

DMN10H220LVT-13

Description: MOSFET N-CH 100V 1.87A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.87A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.67W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 401 pF @ 25 V

товару немає в наявності

DMN10H220LVT-7

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	13.17 грн
6000+	12.04 грн
9000+	11.18 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN10H220LVT-7

Description: DIODES INC. - DMN10H220LVT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.24 A, 0.172 ohm, TSOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.67W
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.172ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	24.52 грн
500+	17.82 грн
1000+	13.65 грн

Мінімальне замовлення: 100

DMN10H220LVT-7

Trans MOSFET N-CH 100V 2.24A 6-Pin TSOT-26 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	12.21 грн
6000+	11.72 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN10H220LVT-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.79A; Idm: 6.6A; 1.07W
Mounting: SMD
Case: TSOT26
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 6.6A
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.79A
On-state resistance: 0.25Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.07W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 8.3nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±16V

товару немає в наявності

DMN10H220LVT-7

Trans MOSFET N-CH 100V 2.24A 6-Pin TSOT-26 T/R

товару немає в наявності

DMN10H220LVT-7

товару немає в наявності

DMN10H220LVT-7

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	47.53 грн
21+	39.17 грн
100+	24.52 грн
500+	17.82 грн
1000+	13.65 грн

Мінімальне замовлення: 17

DMN10H220LVT-7

Trans MOSFET N-CH 100V 2.24A 6-Pin TSOT-26 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	13.15 грн
6000+	12.63 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN10H220LVT-7

Description: MOSFET N-CH 100V 1.87A TSOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.87A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.67W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 401 pF @ 25 V

на замовлення 26779 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	39.15 грн
10+	32.16 грн
100+	22.36 грн
500+	16.38 грн
1000+	13.32 грн

Мінімальне замовлення: 8

DMN10H220LVT-7

MOSFETs 100V N-Ch Enh FET 220mOhm 16Vgs

на замовлення 1635 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	41.57 грн
10+	35.1 грн
100+	21.22 грн
500+	16.54 грн
1000+	13.48 грн
3000+	11.85 грн

Мінімальне замовлення: 8

DMN10H220LVT-7

Trans MOSFET N-CH 100V 2.24A 6-Pin TSOT-26 T/R

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	12.78 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN10H220LVT-7

Trans MOSFET N-CH 100V 2.24A 6-Pin TSOT-26 T/R

товару немає в наявності

DMN10H6D2LFDB-13

Description: MOSFET 2N-CH 100V 0.27A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)

товару немає в наявності

DMN10H6D2LFDB-13

MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V U-DFN2020-6 T&R 10K

товару немає в наявності

DMN10H6D2LFDB-7

Description: DIODES INC. - DMN10H6D2LFDB-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 270 mA, 270 mA, 3.4 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 270mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 270mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3.4ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3.4ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 2200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	10.99 грн
500+	7.54 грн
1000+	4.44 грн

Мінімальне замовлення: 100

DMN10H6D2LFDB-7

на замовлення 2200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

30+	26.59 грн
40+	19.9 грн
100+	10.99 грн
500+	7.54 грн
1000+	4.44 грн

Мінімальне замовлення: 30

DMN10H6D2LFDB-7

товару немає в наявності

DMN10H6D2LFDB-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V U-DFN2020-6 T&R 3K

товару немає в наявності

DMN10H700S-13

Description: MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 50 V

на замовлення 9976 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	33.01 грн
13+	23.51 грн
100+	13.29 грн
500+	8.26 грн
1000+	6.33 грн
2000+	5.51 грн
5000+	4.88 грн

Мінімальне замовлення: 10

DMN10H700S-13

DMN10H700S-13 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

DMN10H700S-13

Description: MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 50 V

товару немає в наявності

DMN10H700S-13

Trans MOSFET N-CH 100V 0.7A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

DMN10H700S-13

MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V

на замовлення 6816 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	35.02 грн
13+	25.87 грн
100+	12.77 грн
500+	8.52 грн
1000+	6.32 грн
2500+	5.82 грн
5000+	5.25 грн

Мінімальне замовлення: 10

DMN10H700S-7

Trans MOSFET N-CH 100V 0.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	3.3 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN10H700S-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V

на замовлення 24790 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	34.28 грн
14+	24.32 грн
100+	12.49 грн
500+	8.3 грн
1000+	6.32 грн
3000+	5.39 грн

Мінімальне замовлення: 10

DMN10H700S-7

Description: MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 50 V

на замовлення 31696 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	32.24 грн
13+	23.21 грн
100+	13.16 грн
500+	8.18 грн
1000+	6.27 грн

Мінімальне замовлення: 10

DMN10H700S-7

Description: DIODES INC. - DMN10H700S-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 700 mA, 0.54 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 700mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 400mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.54ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 15715 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	6.39 грн
1500+	5.78 грн

Мінімальне замовлення: 500

DMN10H700S-7

Description: MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 50 V

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.03 грн
6000+	5.23 грн
15000+	4.65 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN10H700S-7

DMN10H700S-7 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

DMN10H700S-7

Description: DIODES INC. - DMN10H700S-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 700 mA, 0.54 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 700mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 15715 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

36+	22.13 грн
50+	16 грн
100+	9.79 грн
500+	6.39 грн
1500+	5.78 грн

Мінімальне замовлення: 36

DMN1150UFB-7B

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 1.15A; Idm: 7A; 300mW
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±6V
Pulsed drain current: 7A
Mounting: SMD
Case: X1-DFN1006-3
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 1.15A
On-state resistance: 0.21Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 1.5nC
кількість в упаковці: 10000 шт

товару немає в наявності

DMN1150UFB-7B

Description: MOSFET N-CH 12V 1.41A 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.41A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 106 pF @ 10 V

на замовлення 240000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	4.51 грн
30000+	4.26 грн
50000+	3.53 грн

Мінімальне замовлення: 10000

DMN1150UFB-7B

MOSFETs N-CH MOSFET 12V

на замовлення 18394 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	30.06 грн
19+	17.3 грн
100+	6.46 грн
1000+	4.9 грн
2500+	4.33 грн
10000+	3.69 грн
20000+	3.55 грн

Мінімальне замовлення: 12

DMN1150UFB-7B

товару немає в наявності

DMN1150UFB-7B

Description: MOSFET N-CH 12V 1.41A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.41A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 106 pF @ 10 V

на замовлення 257659 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	30.71 грн
15+	20.4 грн
100+	10.32 грн
500+	7.9 грн
1000+	5.86 грн
2000+	4.93 грн
5000+	4.64 грн

Мінімальне замовлення: 10

DMN1150UFL3-7

Description: MOSFET 2N-CH 12V 2A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 390mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1310-6 (Type B)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

DMN1150UFL3-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V

на замовлення 5890 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

DMN1150UFL3-7

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 12V; 1.6A; 900mW; X2-DFN1310-6
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 1.6A
On-state resistance: 0.21Ω
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 0.9W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 1.4nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±6V
Mounting: SMD
Case: X2-DFN1310-6

товару немає в наявності

DMN1150UFL3-7

Description: MOSFET 2N-CH 12V 2A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 390mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1310-6 (Type B)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

DMN1150UFL3-7

Trans MOSFET N-CH 12V 2A 6-Pin X2-DFN T/R

товару немає в наявності

DMN1150UFL3-7

товару немає в наявності

DMN1150UFL3-7

Trans MOSFET N-CH 12V 2A 6-Pin X2-DFN T/R

товару немає в наявності

DMN11M2UCA14-7

Description: MOSFET 2N-CH 12V 34A X2-TSN3027
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 950mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6083pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85mOhm @ 9.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71nC @ 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 870µA
Supplier Device Package: X2-TSN3027-14

товару немає в наявності

DMN1250UFEL-7

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x8; unipolar; 12V; 1.6A; Idm: 10A; 1.25W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain current: 1.6A
Drain-source voltage: 12V
Gate charge: 1.9nC
Case: U-QFN1515-12
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.55Ω
Pulsed drain current: 10A
Type of transistor: N-MOSFET x8
Power dissipation: 1.25W

товару немає в наявності

DMN1250UFEL-7

N-Channel Enhancement Mode Mosfet

товару немає в наявності

DMN1250UFEL-7

Description: MOSFET 8N-CH 12V 2A U-QFN1515
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-UFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 8 N-Channel, Common Gate, Common Source
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 660mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 200mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-QFN1515-12
Part Status: Active

на замовлення 7552 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	61.42 грн
10+	48.2 грн
100+	37.48 грн
500+	29.81 грн
1000+	24.29 грн

Мінімальне замовлення: 5

DMN1250UFEL-7

товару немає в наявності

DMN1250UFEL-7

Description: MOSFET 8N-CH 12V 2A U-QFN1515
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-UFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 8 N-Channel, Common Gate, Common Source
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 660mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 200mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-QFN1515-12
Part Status: Active

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	25.3 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN1250UFEL-7

MOSFETs 8 N-Ch FET 4.5V 280mOhm 12Vdss

на замовлення 2877 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	64.67 грн
10+	52.15 грн
100+	35.34 грн
500+	29.88 грн
1000+	24.41 грн
3000+	21.58 грн

Мінімальне замовлення: 6

DMN1260UFA-7B

Description: MOSFET N-CH 12V 500MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 366mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN0806-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.96 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V

на замовлення 260000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	3.98 грн
30000+	3.76 грн
50000+	3.11 грн

Мінімальне замовлення: 10000

DMN1260UFA-7B

DMN1260UFA-7B SMD N channel transistors

товару немає в наявності

DMN1260UFA-7B

MOSFET 12V N-Ch Enh FET 8 VGS 60pF 0.92nC

на замовлення 15780 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	28.48 грн
16+	21.22 грн
100+	10.43 грн
1000+	5.25 грн
2500+	4.61 грн
10000+	3.69 грн
20000+	3.41 грн

Мінімальне замовлення: 12

DMN1260UFA-7B

Description: MOSFET N-CH 12V 500MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 366mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN0806-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.96 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V

на замовлення 274610 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	26.87 грн
17+	18.04 грн
100+	9.09 грн
500+	6.96 грн
1000+	5.16 грн
2000+	4.34 грн
5000+	4.09 грн

Мінімальне замовлення: 12

DMN1260UFA-7B

Trans MOSFET N-CH 12V 0.5A 3-Pin X2-DFN T/R

товару немає в наявності

DMN12M3UCA6-7

Description: DIODES INC. - DMN12M3UCA6-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 14 V, 14 V, 24.4 A, 24.4 A, 0.00227 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 24.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 14V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 24.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.00227ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 14V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: X4-DSN3118
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.00227ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 2738 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	51.51 грн
18+	45.06 грн
100+	37.34 грн
500+	26.39 грн
1000+	22.52 грн

Мінімальне замовлення: 16

DMN12M3UCA6-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V 24V X4-DSN3118-6 T&R 3K

товару немає в наявності

DMN12M3UCA6-7

на замовлення 2738 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	40.21 грн
500+	28.46 грн
1000+	24.23 грн
2000+	23.07 грн

Мінімальне замовлення: 100

DMN12M7UCA10-7

Description: MOSFET 2N-CH 20.2A X4-DSN3015-10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.75mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 1.11mA
Supplier Device Package: X4-DSN3015-10

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	23.65 грн

Мінімальне замовлення: 5000

DMN12M7UCA10-7

DMN12M7UCA10-7 Multi channel transistors

товару немає в наявності

DMN12M7UCA10-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V X4-DSN3015-10 T&R 5K

на замовлення 4910 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	72.37 грн
10+	62.27 грн
100+	37.4 грн
500+	31.3 грн
1000+	23.78 грн
2500+	23.7 грн
5000+	22 грн

Мінімальне замовлення: 5

DMN12M7UCA10-7

Description: MOSFET 2N-CH 20.2A X4-DSN3015-10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.75mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 1.11mA
Supplier Device Package: X4-DSN3015-10

на замовлення 9670 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	66.02 грн
10+	54.78 грн
100+	37.95 грн
500+	29.76 грн
1000+	25.33 грн
2000+	22.56 грн

Мінімальне замовлення: 5

DMN12M8UCA10-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V X4-DSN3015-10 T&R 5K

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	53.9 грн
10+	46.6 грн
100+	27.68 грн
500+	23.14 грн
1000+	19.66 грн
2500+	18.59 грн
5000+	15.76 грн

Мінімальне замовлення: 7

DMN12M8UCA10-7

Description: MOSFET 2N-CH 12V 25A X4-DSN3015
Packaging: Bulk
Package / Case: 10-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2504pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.4nC @ 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 1.11mA
Supplier Device Package: X4-DSN3015-10

на замовлення 4995 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	48.37 грн
10+	40.44 грн
100+	28.02 грн
500+	21.97 грн
1000+	18.7 грн
2000+	16.65 грн

Мінімальне замовлення: 7

DMN13H750S

MOSFETs

товару немає в наявності

DMN13H750S-13

Trans MOSFET N-CH 130V 1A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

DMN13H750S-13

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 130V; 1A; Idm: 3.3A; 1.26W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 130V
Drain current: 1A
Pulsed drain current: 3.3A
Power dissipation: 1.26W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 10000 шт

товару немає в наявності

DMN13H750S-13

Trans MOSFET N-CH 130V 1A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

DMN13H750S-13

MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 130Vdss 20Vgss

товару немає в наявності

DMN13H750S-13

Trans MOSFET N-CH 130V 1A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	12.78 грн

Мінімальне замовлення: 10000

DMN13H750S-13

товару немає в наявності

DMN13H750S-13

Description: MOSFET N-CH 130V 1A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 770mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 130 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 231 pF @ 25 V

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	12 грн

Мінімальне замовлення: 10000

DMN13H750S-7

Trans MOSFET N-CH 130V 1A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

DMN13H750S-7

MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 130Vdss 20Vgss

на замовлення 19304 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	28.48 грн
14+	24.16 грн
100+	15.83 грн
500+	12.7 грн
1000+	11.28 грн
3000+	10.79 грн

Мінімальне замовлення: 12

DMN13H750S-7

Trans MOSFET N-CH 130V 1A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	12.82 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN13H750S-7

Description: MOSFET N-CH 130V 1A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 770mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 130 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 231 pF @ 25 V

на замовлення 147502 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	38.39 грн
10+	31.42 грн
100+	21.83 грн
500+	16 грн
1000+	13 грн

Мінімальне замовлення: 8

DMN13H750S-7

товару немає в наявності

DMN13H750S-7

Description: DIODES INC. - DMN13H750S-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 130 V, 1 A, 0.41 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 130V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 770mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

26+	31.53 грн
30+	26.59 грн
100+	17.83 грн
500+	13.23 грн
1000+	10.71 грн

Мінімальне замовлення: 26

DMN13H750S-7

Trans MOSFET N-CH 130V 1A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.9 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN13H750S-7

Trans MOSFET N-CH 130V 1A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 138000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	12.78 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN13H750S-7

на замовлення 144000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	12.86 грн
6000+	11.76 грн
9000+	10.92 грн
30000+	10.05 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN13H750S-7

Trans MOSFET N-CH 130V 1A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 774 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

749+	12.03 грн

Мінімальне замовлення: 749

DMN13H750S-7

товару немає в наявності

DMN13H750S-7

на замовлення 1300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	17.83 грн
500+	13.23 грн
1000+	10.71 грн

Мінімальне замовлення: 100

DMN13H750S-7

Trans MOSFET N-CH 130V 1A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 774 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

DMN13M9UCA6-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V

на замовлення 2964 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	79.32 грн
10+	64.23 грн
100+	43.43 грн
500+	36.83 грн
1000+	30.02 грн
3000+	29.31 грн

Мінімальне замовлення: 5

DMN14M8UFDF-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K

на замовлення 2845 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	40.82 грн
10+	34.28 грн
100+	22.29 грн
500+	17.53 грн
1000+	13.98 грн
3000+	11.78 грн
9000+	10.72 грн

Мінімальне замовлення: 9

DMN15H310SE-13

Description: MOSFET N-CH 150V 2A/7.1A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), 7.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 25 V

на замовлення 349123 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	80.61 грн
10+	63.87 грн
100+	49.7 грн
500+	39.54 грн
1000+	32.21 грн

Мінімальне замовлення: 4

DMN15H310SE-13

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 1.6A; Idm: 10A; 1.2W; SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 8.7nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 10A
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 1.6A
On-state resistance: 0.33Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT223
Power dissipation: 1.2W
кількість в упаковці: 2500 шт

товару немає в наявності

DMN15H310SE-13

Trans MOSFET N-CH 150V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

товару немає в наявності

DMN15H310SE-13

Description: MOSFET N-CH 150V 2A/7.1A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), 7.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 25 V

на замовлення 342500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	33.55 грн
5000+	30.77 грн
12500+	29.35 грн

Мінімальне замовлення: 2500

DMN15H310SE-13

товару немає в наявності

DMN15H310SE-13

MOSFETs 150V N-Ch Enh Fet 310mOhm 10Vgs 2.0A

на замовлення 1987 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	86.11 грн
10+	69.62 грн
100+	47.05 грн
500+	39.89 грн
1000+	32.5 грн
2500+	29.74 грн

Мінімальне замовлення: 4

DMN15H310SK3

MOSFET

товару немає в наявності

DMN15H310SK3-13

MOSFETs 150V N-Ch Enh FET 310mOhm 10V 8.3A

на замовлення 2120 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	44.63 грн
10+	38.12 грн
100+	22.99 грн
500+	19.8 грн
1000+	16.82 грн
2500+	14.83 грн

Мінімальне замовлення: 8

DMN15H310SK3-13

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 5.2A; Idm: 10A; 12W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 5.2A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 12W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2500 шт

товару немає в наявності

DMN15H310SK3-13

Trans MOSFET N-CH 150V 8.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

DMN15H310SK3-13

Trans MOSFET N-CH 150V 8.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

DMN15H310SK3-13

товару немає в наявності

DMN15H310SK3-13

Description: MOSFET N-CH 150V 8.3A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 210198 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	40.69 грн
10+	34.16 грн
100+	23.62 грн
500+	18.52 грн
1000+	15.76 грн

Мінімальне замовлення: 8

DMN15H310SK3-13

Trans MOSFET N-CH 150V 8.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 120000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	15.98 грн

Мінімальне замовлення: 2500

DMN15H310SK3-13

Description: MOSFET N-CH 150V 8.3A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 210000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	15.53 грн
5000+	14.17 грн
12500+	13.39 грн

Мінімальне замовлення: 2500

DMN15M3UCA6-7

Description: DIODES INC. - DMN15M3UCA6-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 14 V, 14 V, 16.5 A, 16.5 A, 0.0046 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 16.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 14V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 16.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0046ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 14V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: X3-DSN2718
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0046ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 2472 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

37+	21.97 грн
42+	19.27 грн
100+	18.95 грн
500+	17.37 грн
1000+	15.76 грн

Мінімальне замовлення: 37

DMN15M3UCA6-7

на замовлення 2472 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	18.95 грн
500+	17.37 грн
1000+	15.76 грн

Мінімальне замовлення: 100

DMN15M3UCA6-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V 24V X3-DSN2718-6 T&R 3K

товару немає в наявності

DMN15M5UCA6-7

Description: MOSFET 2N-CH 12V X4-DSN2117-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.6nC @ 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 840µA
Supplier Device Package: X4-DSN2117-6

товару немає в наявності

DMN16M0UCA6-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V

товару немає в наявності

DMN16M0UCA6-7

Description: MOSFET 2N-CH 12V 17A X4-DSN2112
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: X4-DSN2112-6

товару немає в наявності

DMN16M7UCA6-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V X4-DSN2718-6 T&R 3K

товару немає в наявності

DMN16M9UCA6-7

Description: MOSFET 2 N-CHANNEL X3-DSN2718-6

товару немає в наявності

DMN16M9UCA6-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V

на замовлення 2985 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	71.62 грн
10+	62.11 грн
100+	36.83 грн
500+	30.8 грн
1000+	26.19 грн
3000+	22.57 грн
6000+	21.01 грн

Мінімальне замовлення: 5

DMN2004DMK

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

DMN2004DMK-7

MOSFETs Dual N-Channel

на замовлення 34368 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	34.69 грн
13+	25.38 грн
100+	14.97 грн
500+	11.78 грн
1000+	10.22 грн
3000+	8.94 грн

Мінімальне замовлення: 10

DMN2004DMK-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-26 T/R

товару немає в наявності

DMN2004DMK-7

DMN2004DMK-7 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

DMN2004DMK-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-26 T/R

на замовлення 1223 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	52.96 грн
15+	41.02 грн
25+	39.24 грн
100+	29.08 грн
250+	24.57 грн
500+	20.85 грн
1000+	17.24 грн

Мінімальне замовлення: 12

DMN2004DMK-7

Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 225mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active

на замовлення 144074 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	35.32 грн
14+	22.55 грн
100+	15.32 грн
500+	11.24 грн
1000+	10.2 грн

Мінімальне замовлення: 9

DMN2004DMK-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-26 T/R

товару немає в наявності

DMN2004DMK-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-26 T/R

на замовлення 1223 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

289+	42.26 грн
375+	32.48 грн
411+	29.63 грн
500+	25.26 грн
1000+	19.34 грн

Мінімальне замовлення: 289

DMN2004DMK-7

Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 225mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active

на замовлення 141000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.29 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN2004DWK

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

DMN2004DWK-7

Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.66 грн
6000+	7.68 грн
9000+	7.35 грн
15000+	6.54 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN2004DWK-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 390mA; Idm: 1.5A; 200mW; SOT363
Mounting: SMD
Case: SOT363
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.95nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 1.5A
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.39A
On-state resistance: 0.9Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

DMN2004DWK-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-363 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.08 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN2004DWK-7

MOSFETs Dual N-Channel

на замовлення 15194 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	35.44 грн
15+	23.18 грн
100+	10.72 грн
1000+	9.01 грн
3000+	7.95 грн

Мінімальне замовлення: 10

DMN2004DWK-7

Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active

на замовлення 19234 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	31.48 грн
15+	20.11 грн
100+	13.62 грн
500+	9.97 грн
1000+	9.03 грн

Мінімальне замовлення: 10

DMN2004DWK-7

товару немає в наявності

DMN2004DWK-7-R

DIODES/ZETEX

2NxMOSFET 20V 0.54A 550mΩ 200mW DMN2004DWK-7 Diodes TDMN2004dwk
кількість в упаковці: 100 шт

на замовлення 500 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

200+	4.9 грн

Мінімальне замовлення: 200

DMN2004DWKQ-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R

товару немає в наявності

DMN2004DWKQ-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V

на замовлення 2990 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	32.37 грн
13+	25.95 грн
100+	15.4 грн
1000+	8.66 грн
3000+	6.88 грн

Мінімальне замовлення: 11

DMN2004DWKQ-7

Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.95nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 45000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.21 грн
6000+	7.58 грн
9000+	6.82 грн
30000+	6.31 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN2004DWKQ-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 390mA; Idm: 1.5A; 200mW; SOT363
Mounting: SMD
Case: SOT363
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.95nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 1.5A
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.39A
On-state resistance: 0.9Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: unipolar

товару немає в наявності

DMN2004DWKQ-7

товару немає в наявності

DMN2004K

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

DMN2004K

MOSFET

товару немає в наявності

DMN2004K-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 292 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

DMN2004K-7

Description: DIODES INC. - DMN2004K-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 540 mA, 0.55 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 350mW
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 34154 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	13.3 грн
500+	8.65 грн
1000+	6.33 грн
5000+	6.2 грн

Мінімальне замовлення: 100

DMN2004K-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 292 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	27.07 грн
30+	20.53 грн
100+	12.79 грн

Мінімальне замовлення: 23

DMN2004K-7

MOSFET 20V 540mA

на замовлення 73226 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

13+	26.99 грн
19+	18.04 грн
100+	6.25 грн
1000+	5.32 грн
3000+	4.76 грн
9000+	4.33 грн

Мінімальне замовлення: 13

DMN2004K-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.26 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN2004K-7

Description: MOSFET N-CH 20V 630MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 16 V

на замовлення 18119 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	20.73 грн
23+	13.01 грн
100+	8.76 грн
500+	6.33 грн
1000+	5.7 грн

Мінімальне замовлення: 15

DMN2004K-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	3.96 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN2004K-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.38 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN2004K-7

Description: DIODES INC. - DMN2004K-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 540 mA, 0.55 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 350mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.55ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 34154 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

26+	30.65 грн
35+	23.01 грн
100+	13.3 грн
500+	8.65 грн
1000+	6.33 грн
5000+	6.2 грн

Мінімальне замовлення: 26

DMN2004K-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.94 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN2004K-7

DMN2004K-7 SMD N channel transistors

на замовлення 2415 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

10+	29.14 грн
173+	6.03 грн
475+	5.68 грн

Мінімальне замовлення: 10

DMN2004K-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.39 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN2004K-7

Description: MOSFET N-CH 20V 630MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 16 V

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.41 грн
6000+	4.76 грн
9000+	4.53 грн
15000+	4.01 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN2004K-7 NAB

DIODES/ZETEX

N-MOSFET 20V 630mA 550mΩ 350mW DMN2004K-7 Diodes TDMN2004k
кількість в упаковці: 100 шт

на замовлення 300 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

300+	2.2 грн

Мінімальне замовлення: 300

DMN2004K-7-F

10+ROHS SOT-23

на замовлення 39000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

DMN2004L

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

DMN2004TK-7

Description: MOSFET N-CH 20V 540MA SOT523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 16 V

на замовлення 480000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.14 грн
6000+	5.77 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN2004TK-7

DMN2004TK-7 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

DMN2004TK-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A 3-Pin SOT-523 T/R

товару немає в наявності

DMN2004TK-7

Description: MOSFET N-CH 20V 540MA SOT523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 16 V

на замовлення 481682 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	33.01 грн
15+	21.07 грн
100+	14.29 грн
500+	10.47 грн
1000+	9.5 грн

Мінімальне замовлення: 10

DMN2004TK-7

MOSFETs 20V N-CHANNEL

на замовлення 215856 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	28.48 грн
16+	21.63 грн
100+	10.5 грн
1000+	7.66 грн

Мінімальне замовлення: 12

DMN2004VK-7

Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active

на замовлення 4713000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.39 грн
6000+	6.06 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN2004VK-7

MOSFET 20V 540mA

на замовлення 13852 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	33.12 грн
14+	24.4 грн
100+	11.57 грн
1000+	7.38 грн
3000+	6.39 грн
9000+	6.25 грн

Мінімальне замовлення: 10

DMN2004VK-7

DMN2004VK-7 Multi channel transistors

товару немає в наявності

DMN2004VK-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-563 T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.94 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN2004VK-7

Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active

на замовлення 4717287 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	28.41 грн
17+	18.11 грн
100+	12.27 грн
500+	8.95 грн
1000+	8.1 грн

Мінімальне замовлення: 11

DMN2004VK-7B

Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563

на замовлення 150770 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	16.12 грн
28+	10.79 грн
100+	7.27 грн
500+	5.24 грн
1000+	4.71 грн
2000+	4.25 грн

Мінімальне замовлення: 20

DMN2004VK-7B

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT563 T&R 8.0K

товару немає в наявності

DMN2004VK-7B

Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

DMN2004VK-7B

Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563

на замовлення 144000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8000+	3.91 грн
16000+	3.46 грн
24000+	3.31 грн
40000+	2.94 грн
56000+	2.89 грн

Мінімальне замовлення: 8000

DMN2004WK

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

DMN2004WK-7
Код товару: 183759

Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-323
Uds,V: 20 V
Idd,A: 0,54 A
Rds(on), Ohm: 0,7 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 150/
Монтаж: SMD

товару немає в наявності

DMN2004WK-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 390mA; Idm: 1.5A; 200mW; SOT323
Mounting: SMD
Case: SOT323
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 1.5A
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.39A
On-state resistance: 0.9Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: unipolar

товару немає в наявності

DMN2004WK-7

Description: MOSFET N-CH 20V 540MA SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 16 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6616562 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	22.26 грн
22+	14.05 грн
100+	9.45 грн
500+	6.85 грн
1000+	6.17 грн

Мінімальне замовлення: 14

DMN2004WK-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A 3-Pin SOT-323 T/R

товару немає в наявності

DMN2004WK-7

Description: MOSFET N-CH 20V 540MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 16 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6612000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	4.84 грн
6000+	4.33 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN2004WK-7

MOSFETs N-Channel

на замовлення 25600 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

14+	23.85 грн
21+	16.16 грн
100+	6.32 грн
1000+	5.54 грн
3000+	4.97 грн

Мінімальне замовлення: 14

DMN2004WK-7

товару немає в наявності

DMN2004WK-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A 3-Pin SOT-323 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.13 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN2004WK-7-52

Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 16 V

товару немає в наявності

DMN2004WKQ-7

Description: MOSFET N-CH 20V 540MA SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 16 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4890000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	34.55 грн
13+	23.58 грн
100+	11.92 грн
500+	9.91 грн
1000+	7.72 грн

Мінімальне замовлення: 9

DMN2004WKQ-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V

на замовлення 5883 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	34.69 грн
14+	24.16 грн
100+	10.08 грн
1000+	8.09 грн
3000+	7.1 грн
9000+	6.32 грн
24000+	5.68 грн

Мінімальне замовлення: 10

DMN2004WKQ-7

Description: MOSFET N-CH 20V 540MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 16 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4890000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.64 грн
6000+	7.19 грн
9000+	6.37 грн
30000+	5.9 грн
75000+	5.02 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN2004WKQ-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 390mA; Idm: 1.5A; 200mW; SOT323
Mounting: SMD
Case: SOT323
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 1.5A
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.39A
On-state resistance: 0.9Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

DMN2004WKQ-7

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

DMN2004WKQ-7

товару немає в наявності

DMN2004WKQ-7

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

DMN2005DLP4K-7

DMN2005DLP4K-7 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

DMN2005DLP4K-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.3A 6-Pin DFN T/R

товару немає в наявності

DMN2005DLP4K-7

Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.3A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 400mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 100µA
Supplier Device Package: X2-DFN1310-6 (Type B)

на замовлення 132075 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	34.55 грн
12+	26.1 грн
100+	15.64 грн
500+	13.59 грн
1000+	9.24 грн

Мінімальне замовлення: 9

DMN2005DLP4K-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.3A 6-Pin DFN T/R

на замовлення 102000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.52 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN2005DLP4K-7

Description: DIODES INC. - DMN2005DLP4K-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 300 mA, 300 mA, 0.35 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.35ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 400mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: X2-DFN1310
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.35ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	41.64 грн
26+	31.61 грн
100+	15.21 грн
500+	12.57 грн
1000+	10.17 грн

Мінімальне замовлення: 20

DMN2005DLP4K-7

Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.3A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 400mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 100µA
Supplier Device Package: X2-DFN1310-6 (Type B)

на замовлення 123000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.41 грн
6000+	8.69 грн
9000+	7.82 грн
30000+	7.23 грн
75000+	6.79 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN2005DLP4K-7

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	15.21 грн
500+	12.57 грн
1000+	10.17 грн

Мінімальне замовлення: 100

DMN2005DLP4K-7

MOSFETs N-Channel

на замовлення 22833 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	36.93 грн
12+	28.08 грн
100+	13.56 грн
1000+	9.23 грн
3000+	7.74 грн
9000+	7.17 грн

Мінімальне замовлення: 9

DMN2005K

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

DMN2005K-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.66 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN2005K-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 873 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

28+	22.11 грн
34+	17.77 грн
35+	17.62 грн
100+	9.82 грн
250+	9 грн
500+	4.66 грн

Мінімальне замовлення: 28

DMN2005K-7

Description: MOSFET N-CH 20V 300MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 200mA, 2.7V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.7V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V

на замовлення 1314317 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	26.1 грн
18+	16.71 грн
100+	11.24 грн
500+	8.19 грн
1000+	7.4 грн

Мінімальне замовлення: 12

DMN2005K-7

MOSFET N-Channel

на замовлення 33044 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	28.48 грн
16+	21.63 грн
100+	9.94 грн
1000+	7.95 грн

Мінімальне замовлення: 12

DMN2005K-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 873 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

642+	18.98 грн

Мінімальне замовлення: 642

DMN2005K-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

DMN2005K-7

Description: MOSFET N-CH 20V 300MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 200mA, 2.7V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.7V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V

на замовлення 1314000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.03 грн
6000+	4.53 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN2005LP4K-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin DFN T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

528+	23.05 грн
1109+	10.98 грн
1121+	10.87 грн
1132+	10.38 грн
1461+	7.44 грн
3000+	5.22 грн

Мінімальне замовлення: 528

DMN2005LP4K-7

MOSFETs 20V 300mA

на замовлення 68789 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

14+	25.42 грн
19+	17.87 грн
100+	6.39 грн
1000+	5.39 грн
3000+	4.97 грн

Мінімальне замовлення: 14

DMN2005LP4K-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin DFN T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

24+	25.62 грн
28+	21.65 грн
29+	21.41 грн
100+	9.83 грн
250+	9.01 грн
500+	8.56 грн
1000+	6.63 грн
3000+	4.84 грн

Мінімальне замовлення: 24

DMN2005LP4K-7

DMN2005LP4K-7 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

DMN2005LP4K-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin DFN T/R

товару немає в наявності

DMN2005LP4K-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin DFN T/R

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.86 грн
9000+	6.13 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN2005LP4K-7

Description: MOSFET N-CH 20V 200MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 100µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 3 V

на замовлення 1697672 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	33.01 грн
13+	22.92 грн
100+	11.56 грн
500+	9.61 грн
1000+	7.48 грн

Мінімальне замовлення: 10

DMN2005LP4K-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin DFN T/R

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.37 грн
9000+	5.7 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN2005LP4K-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin DFN T/R

на замовлення 1668000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.87 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN2005LP4K-7

Description: MOSFET N-CH 20V 200MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 100µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 3 V

на замовлення 1692000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.41 грн
6000+	6.97 грн
9000+	6.18 грн
30000+	5.72 грн
75000+	4.86 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN2005LP4K-7-52

Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 100µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37.1 pF @ 10 V

товару немає в наявності

DMN2005LPK-7

Description: DIODES INC. - DMN2005LPK-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 440 mA, 0.35 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 440mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 2910 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	11.15 грн
500+	9.17 грн
1000+	7.37 грн

Мінімальне замовлення: 100

DMN2005LPK-7

Description: MOSFET N-CH 20V 440MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 440mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 450mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 100µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V

на замовлення 1351957 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	33.01 грн
13+	22.92 грн
100+	11.56 грн
500+	9.61 грн
1000+	7.48 грн

Мінімальне замовлення: 10

DMN2005LPK-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.44A 3-Pin DFN T/R

на замовлення 2328 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	26.33 грн
30+	20.43 грн
33+	18.32 грн
100+	10.53 грн
250+	9.49 грн
500+	8.49 грн
1000+	4.9 грн

Мінімальне замовлення: 23

DMN2005LPK-7

на замовлення 2910 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	38.22 грн
30+	26.67 грн
100+	11.15 грн
500+	9.17 грн
1000+	7.37 грн

Мінімальне замовлення: 21

DMN2005LPK-7

MOSFETs 20V 200mA

на замовлення 10666 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	30.8 грн
17+	19.67 грн
100+	9.16 грн
1000+	6.39 грн
3000+	6.03 грн
9000+	5.61 грн
24000+	5.46 грн

Мінімальне замовлення: 11

DMN2005LPK-7

Description: MOSFET N-CH 20V 440MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 440mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 450mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 100µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V

на замовлення 1350000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.41 грн
6000+	6.97 грн
9000+	6.18 грн
30000+	5.72 грн
75000+	4.86 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN2005LPK-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.44A 3-Pin DFN T/R

на замовлення 2328 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

618+	19.73 грн
1036+	11.76 грн
1064+	11.44 грн
1142+	10.28 грн
1977+	5.5 грн

Мінімальне замовлення: 618

DMN2005LPK-7

DMN2005LPK-7 SMD N channel transistors

на замовлення 1150 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

27+	10.7 грн
140+	7.45 грн
384+	7.01 грн
3000+	7 грн

Мінімальне замовлення: 27

DMN2005LPK-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.44A 3-Pin DFN T/R

товару немає в наявності

DMN2005LPK-7B

Trans MOSFET N-CH 20V 0.44A 3-Pin X1-DFN T/R

товару немає в наявності

DMN2005UFG

MOSFET

товару немає в наявності

DMN2005UFG-13

Trans MOSFET N-CH 20V 18A 8-Pin PowerDI EP T/R

на замовлення 747000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	15.34 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN2005UFG-13

Description: DIODES INC. - DMN2005UFG-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 50 A, 0.004 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.05W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 2920 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	20.7 грн
500+	16.86 грн
1000+	14.88 грн

Мінімальне замовлення: 100

DMN2005UFG-13

DMN2005UFG-13 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

DMN2005UFG-13

Trans MOSFET N-CH 20V 18A 8-Pin PowerDI EP T/R

товару немає в наявності

DMN2005UFG-13

Description: MOSFET N-CH 20V 18.1A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.05W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6495 pF @ 10 V

на замовлення 752947 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	40.69 грн
10+	33.86 грн
100+	23.46 грн
500+	18.39 грн
1000+	15.65 грн

Мінімальне замовлення: 8

DMN2005UFG-13

Trans MOSFET N-CH 20V 18A 8-Pin PowerDI EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

444+	27.42 грн
565+	21.56 грн
638+	19.1 грн
1000+	16.48 грн
3000+	13.88 грн

Мінімальне замовлення: 444

DMN2005UFG-13

Trans MOSFET N-CH 20V 18A 8-Pin PowerDI EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	28.62 грн
24+	25.46 грн
100+	20.02 грн
500+	17.1 грн
1000+	14.17 грн
3000+	12.37 грн

Мінімальне замовлення: 22

DMN2005UFG-13

на замовлення 2920 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	35.67 грн
27+	30.41 грн
100+	20.7 грн
500+	16.86 грн
1000+	14.88 грн

Мінімальне замовлення: 23

DMN2005UFG-13

MOSFETs 20V N-Ch Enh Mode FET 12Vgss 1.05W

на замовлення 4128 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	36.93 грн
11+	30.28 грн
100+	19.16 грн
500+	16.82 грн
1000+	14.05 грн
3000+	13.2 грн
6000+	13.13 грн

Мінімальне замовлення: 9

DMN2005UFG-13

Description: MOSFET N-CH 20V 18.1A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.05W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6495 pF @ 10 V

на замовлення 750000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	15.43 грн
6000+	14.07 грн
9000+	13.03 грн
30000+	12.11 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN2005UFG-7

Description: DIODES INC. - DMN2005UFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 50 A, 0.004 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.05W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	25.24 грн
500+	19.52 грн
1000+	15.76 грн

Мінімальне замовлення: 100

DMN2005UFG-7

DMN2005UFG-7 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

DMN2005UFG-7

Trans MOSFET N-CH 20V 18A 8-Pin PowerDI EP T/R

товару немає в наявності

DMN2005UFG-7

на замовлення 76000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	15.43 грн
6000+	14.07 грн
10000+	13.03 грн
50000+	12.11 грн

Мінімальне замовлення: 2000

DMN2005UFG-7

Trans MOSFET N-CH 20V 18A 8-Pin PowerDI EP T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

35+	17.69 грн
36+	16.95 грн
100+	14.65 грн
250+	13.43 грн
500+	12.43 грн
1000+	10.43 грн

Мінімальне замовлення: 35

DMN2005UFG-7

на замовлення 1990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	48.33 грн
20+	40.36 грн
100+	25.24 грн
500+	19.52 грн
1000+	15.76 грн

Мінімальне замовлення: 17

DMN2005UFG-7

MOSFET 20V N-Ch Enh FET 6495pF 66.8nC

на замовлення 5065 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	43.14 грн
10+	36.56 грн
100+	22.21 грн
500+	18.95 грн
1000+	13.41 грн
2000+	12.99 грн

Мінімальне замовлення: 8

DMN2005UFG-7

Trans MOSFET N-CH 20V 18A 8-Pin PowerDI EP T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

667+	18.26 грн
744+	16.37 грн
752+	16.2 грн
780+	15.06 грн
1000+	11.7 грн

Мінімальне замовлення: 667

DMN2005UFG-7
Код товару: 201744

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1

товару немає в наявності

DMN2005UFG-7

на замовлення 77298 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	40.69 грн
10+	33.86 грн
100+	23.46 грн
500+	18.39 грн
1000+	15.65 грн

Мінімальне замовлення: 8

DMN2005UFG-7

Trans MOSFET N-CH 20V 18A 8-Pin PowerDI EP T/R

на замовлення 72000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	15.34 грн

Мінімальне замовлення: 2000

DMN2005UFGQ-13

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V

товару немає в наявності

DMN2005UFGQ-13

Description: MOSFET N-CH 20V 18A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.05W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6495 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

DMN2005UFGQ-13

DMN2005UFGQ-13 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

DMN2005UFGQ-13

20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET PowerDI3333-8

товару немає в наявності

DMN2005UFGQ-7

20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET PowerDI3333-8 Automotive AEC-Q101

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	28.7 грн

Мінімальне замовлення: 2000

DMN2005UFGQ-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V

товару немає в наявності

DMN2005UFGQ-7

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	27.66 грн
6000+	25.37 грн

Мінімальне замовлення: 2000

DMN2005UPS-13

Description: MOSFET N-CH 20V 20A POWERDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 142 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5337 pF @ 10 V

на замовлення 7375 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	59.88 грн
10+	46.87 грн
100+	36.49 грн
500+	29.02 грн
1000+	23.64 грн

Мінімальне замовлення: 6

DMN2005UPS-13

Description: DIODES INC. - DMN2005UPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 A, 0.0046 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 2490 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	39.41 грн
500+	30.98 грн
1000+	20.61 грн

Мінімальне замовлення: 100

DMN2005UPS-13

MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 20Vdss 12Vgss 30A

на замовлення 2454 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	62.35 грн
10+	50.6 грн
100+	34.21 грн
500+	28.96 грн
1000+	23.63 грн
2500+	21.58 грн

Мінімальне замовлення: 6

DMN2005UPS-13

DMN2005UPS-13 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

DMN2005UPS-13

20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

товару немає в наявності

DMN2005UPS-13

20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

на замовлення 2488 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	26.28 грн
24+	25.26 грн
100+	23.05 грн
500+	21.08 грн
1000+	17.81 грн

Мінімальне замовлення: 23

DMN2005UPS-13

Description: MOSFET N-CH 20V 20A POWERDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 142 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5337 pF @ 10 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	24.63 грн
5000+	22.59 грн

Мінімальне замовлення: 2500

DMN2005UPS-13

на замовлення 2490 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	70.22 грн
15+	55.49 грн
100+	39.41 грн
500+	30.98 грн
1000+	20.61 грн

Мінімальне замовлення: 12

DMN2005UPS-13

20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	25.56 грн

Мінімальне замовлення: 2500

DMN2005UPS-13

20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	25.56 грн

Мінімальне замовлення: 2500

DMN2008LFU-13

Description: MOSFET 2N-CH 20V 14.5A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1418pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 5.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type B)
Part Status: Active

товару немає в наявності

DMN2008LFU-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V

товару немає в наявності

DMN2008LFU-13

DMN2008LFU-13 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

DMN2008LFU-13

Trans MOSFET N-CH 20V 14.5A 6-Pin UDFN EP T/R

товару немає в наявності

DMN2008LFU-7

Description: MOSFET 2N-CH 20V 14.5A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1418pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 5.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250A
Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type B)
Part Status: Active

на замовлення 144000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	15.63 грн
6000+	13.99 грн
9000+	13.87 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN2008LFU-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V

на замовлення 6510 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	46.2 грн
10+	39.67 грн
100+	23.92 грн
500+	20.01 грн
1000+	17.03 грн
3000+	15.12 грн
6000+	14.34 грн

Мінімальне замовлення: 8

DMN2008LFU-7

DMN2008LFU-7 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

DMN2008LFU-7

Trans MOSFET N-CH 20V 14.5A 6-Pin UDFN EP T/R

товару немає в наявності

DMN2008LFU-7

Description: MOSFET 2N-CH 20V 14.5A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1418pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 5.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250A
Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type B)
Part Status: Active

на замовлення 145332 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	52.97 грн
10+	34.45 грн
100+	23.67 грн
500+	17.6 грн
1000+	16.08 грн

Мінімальне замовлення: 6

DMN2009LSS-13

MOSFET NMOS SINGLE N-CHANNL 20V 12A

на замовлення 5979 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

DMN2009LSS-13

DMN2009LSS-13 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

DMN2009LSS-13

Description: MOSFET N-CH 20V 12A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2555 pF @ 10 V

на замовлення 31957 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	52.2 грн
10+	43.47 грн
100+	30.12 грн
500+	23.62 грн
1000+	20.1 грн

Мінімальне замовлення: 6

DMN2009LSS-13

Trans MOSFET N-CH 20V 12A 8-Pin SOP T/R

товару немає в наявності

DMN2009LSS-13

Description: MOSFET N-CH 20V 12A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2555 pF @ 10 V

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	19.81 грн
5000+	18.07 грн
12500+	16.73 грн
25000+	15.55 грн

Мінімальне замовлення: 2500

DMN2009UCA4-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V 24V X4-DSN1717-4 T&R 3K

товару немає в наявності

DMN2009UFDF-13

Transistor MOSFET

товару немає в наявності

DMN2009USS-13

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V

на замовлення 6594 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	46.2 грн
10+	39.83 грн
100+	23.63 грн
500+	19.8 грн
1000+	16.82 грн
2500+	13.48 грн

Мінімальне замовлення: 8

DMN2009USS-13

Description: MOSFET N-CH 20V 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1706 pF @ 10 V

на замовлення 1732 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	43.76 грн
10+	36.22 грн
100+	25.1 грн
500+	19.68 грн
1000+	16.75 грн

Мінімальне замовлення: 8

DMN2009USS-13

DMN2009USS-13 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

DMN2009USS-13

Description: MOSFET N-CH 20V 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1706 pF @ 10 V

товару немає в наявності

DMN2010UDZ-7

Description: MOSFET 2N-CH 20V 11A U-DFN2535-6

на замовлення 10644 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

DMN2010UDZ-7

MOSFET Dual N-Ch Enh FET 24V 8Vgss 0.7W

товару немає в наявності

DMN2010UDZ-7

Description: MOSFET 2N-CH 20V 11A U-DFN2535-6

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

DMN2011UFDE-13

Description: MOSFET N-CH 20V 11.7A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3372 pF @ 10 V

товару немає в наявності

DMN2011UFDE-13

MOSFETs 20V N-Ch Enh Mode 12Vgss 80A .61W

товару немає в наявності

DMN2011UFDE-7

MOSFETs 20V N-Ch Enh Mode 12Vgss 80A .61W

на замовлення 74368 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	46.95 грн
10+	38.2 грн
100+	23.28 грн
500+	18.45 грн
1000+	16.89 грн
3000+	14.19 грн

Мінімальне замовлення: 8

DMN2011UFDE-7

Description: MOSFET N-CH 20V 11.7A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2248 pF @ 10 V

на замовлення 128133 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	53.74 грн
10+	34.67 грн
100+	23.81 грн
500+	17.7 грн
1000+	16.18 грн

Мінімальне замовлення: 6

DMN2011UFDE-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 11.4A; Idm: 80A; 1.27W
Gate charge: 84nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 80A
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: U-DFN2020-6
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 11.4A
On-state resistance: 35mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.27W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 3000 шт

товару немає в наявності

DMN2011UFDE-7

товару немає в наявності

DMN2011UFDE-7

Description: DIODES INC. - DMN2011UFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 11.7 A, 0.0065 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.97W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 2014 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	22.37 грн
500+	17.3 грн

Мінімальне замовлення: 100

DMN2011UFDE-7

Description: MOSFET N-CH 20V 11.7A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2248 pF @ 10 V

на замовлення 126000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	15.72 грн
6000+	14.08 грн
9000+	13.97 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN2011UFDE-7

на замовлення 2014 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	42.83 грн
24+	33.44 грн
100+	22.37 грн
500+	17.3 грн

Мінімальне замовлення: 19

DMN2011UFDF-13

Description: MOSFET N-CH 20V 14.2A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2248 pF @ 10 V

на замовлення 24384 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	30.71 грн
12+	25.58 грн
100+	17.77 грн
500+	13.02 грн
1000+	10.58 грн
2000+	9.46 грн
5000+	8.83 грн

Мінімальне замовлення: 10

DMN2011UFDF-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 10K

товару немає в наявності

DMN2011UFDF-13

Description: MOSFET N-CH 20V 14.2A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2248 pF @ 10 V

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	9.22 грн

Мінімальне замовлення: 10000

DMN2011UFDF-13

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 11.4A; Idm: 80A; 1.3W
Mounting: SMD
Case: U-DFN2020-6
Power dissipation: 1.3W
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 56nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 80A
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 11.4A
On-state resistance: 35mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 10000 шт

товару немає в наявності

DMN2011UFDF-13

товару немає в наявності

DMN2011UFDF-7

Description: MOSFET N-CH 20V 14.2A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2248 pF @ 10 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.44 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN2011UFDF-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K

на замовлення 3158 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	34.69 грн
12+	29.22 грн
100+	17.67 грн
500+	13.77 грн
1000+	11.21 грн
3000+	9.94 грн

Мінімальне замовлення: 10

DMN2011UFDF-7

20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.94 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN2011UFDF-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 11.4A; Idm: 80A; 1.3W
Gate charge: 56nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 80A
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: U-DFN2020-6
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 11.4A
On-state resistance: 35mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

DMN2011UFDF-7

товару немає в наявності

DMN2011UFDF-7

Description: MOSFET N-CH 20V 14.2A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2248 pF @ 10 V

на замовлення 5744 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	36.85 грн
13+	23.88 грн
100+	16.22 грн
500+	11.93 грн
1000+	10.84 грн

Мінімальне замовлення: 9

DMN2011UFX-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 9.8A; Idm: 80A; 2.1W
Gate charge: 56nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 80A
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: V-DFN2050-4
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 9.8A
On-state resistance: 13mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.1W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 3000 шт

товару немає в наявності

DMN2011UFX-7

товару немає в наявності

DMN2011UFX-7

Description: MOSFET 2N-CH 20V 12.2A 4VDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2248pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN2050-4
Part Status: Active

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	21.48 грн
6000+	19.14 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN2011UFX-7

Description: MOSFET 2N-CH 20V 12.2A 4VDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2248pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN2050-4
Part Status: Active

на замовлення 8757 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	56.04 грн
10+	46.35 грн
100+	32.11 грн
500+	25.18 грн
1000+	21.43 грн

Мінімальне замовлення: 6

DMN2011UFX-7

MOSFETs Dual N-Ch Enh FET 20Vds 12Vgs 2248pF

на замовлення 5945 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	62.35 грн
10+	52.97 грн
100+	31.87 грн
500+	25.76 грн
1000+	22.64 грн
3000+	18.81 грн

Мінімальне замовлення: 6

DMN2011UTS-13

Description: MOSFET N-CH 20V 21A 8TSSOP

на замовлення 12500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	15.02 грн
5000+	13.53 грн
12500+	12.6 грн

Мінімальне замовлення: 2500

DMN2011UTS-13

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V

на замовлення 284 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	43.14 грн
10+	36.56 грн
100+	22.14 грн
500+	17.32 грн
1000+	14.05 грн
2500+	12.07 грн

Мінімальне замовлення: 8

DMN2011UTS-13

Description: MOSFET N-CH 20V 21A 8TSSOP

на замовлення 12723 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	42.99 грн
10+	34.97 грн
100+	26.13 грн
500+	19.27 грн
1000+	14.89 грн

Мінімальне замовлення: 8

DMN2012UCA6-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V

товару немає в наявності

DMN2012UCA6-7

Description: MOSFET BVDSS: 8V-24V X3-DSN2718-

товару немає в наявності

DMN2013UFDE-7

Description: MOSFET N-CH 20V 10.5A 6UDFN

товару немає в наявності

DMN2013UFDE-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K

на замовлення 2167 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	43.55 грн
10+	35.91 грн
100+	23.28 грн
500+	18.74 грн
1000+	14.48 грн
3000+	12.85 грн
6000+	12.77 грн

Мінімальне замовлення: 8

DMN2013UFDE-7

DMN2013UFDE-7 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

DMN2013UFDE-7

Description: MOSFET N-CH 20V 10.5A 6UDFN

товару немає в наявності

DMN2013UFDEQ-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K

товару немає в наявності

DMN2013UFX-7

Description: MOSFET 2N-CH 20V 10A 6-DFN

на замовлення 2828 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

DMN2013UFX-7

Trans MOSFET N-CH 20V 10A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	18.64 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN2013UFX-7

Description: MOSFET 2N-CH 20V 10A 6-DFN

товару немає в наявності

DMN2013UFX-7

Description: MOSFET 2N-CH 20V 10A 6-DFN

на замовлення 2828 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

DMN2013UFX-7

MOSFET 20V N-Ch Enh Mode 8Vgss 10A 0.78W

товару немає в наявності

DMN2014LHAB-13

Description: MOSFET 2N-CH 20V 9A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type B)
Part Status: Active

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	10.36 грн
30000+	9.79 грн

Мінімальне замовлення: 10000

DMN2014LHAB-13

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2030-6 T&R 10K

товару немає в наявності

DMN2014LHAB-13

Description: MOSFET 2N-CH 20V 9A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type B)

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	35.32 грн
11+	28.68 грн
100+	19.95 грн
500+	14.62 грн
1000+	11.88 грн
2000+	10.62 грн
5000+	9.91 грн

Мінімальне замовлення: 9

DMN2014LHAB-7

Description: MOSFET 2N-CH 20V 9A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type B)
Part Status: Active

на замовлення 110732 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	35.32 грн
11+	28.68 грн
100+	19.95 грн
500+	14.62 грн
1000+	11.88 грн

Мінімальне замовлення: 9

DMN2014LHAB-7

Trans MOSFET N-CH 20V 9A 6-Pin UDFN EP T/R

товару немає в наявності

DMN2014LHAB-7

DMN2014LHAB-7 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

DMN2014LHAB-7

Description: MOSFET 2N-CH 20V 9A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type B)
Part Status: Active

на замовлення 108000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.75 грн
6000+	10.74 грн
9000+	9.97 грн
30000+	9.18 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN2014LHAB-7

Trans MOSFET N-CH 20V 9A 6-Pin UDFN EP T/R

товару немає в наявності

DMN2014LHAB-7

Trans MOSFET N-CH 20V 9A 6-Pin UDFN EP T/R

товару немає в наявності

DMN2014LHAB-7

MOSFET FET BVDSS 8V 24V N-Ch Dual 20V 1550pF

на замовлення 2763 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	39.25 грн
10+	33.87 грн
100+	22 грн
500+	17.25 грн
1000+	13.34 грн
3000+	12.14 грн
9000+	11.14 грн

Мінімальне замовлення: 9

DMN2015UFDE-7

Description: MOSFET N-CH 20V 10.5A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 8.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1779 pF @ 10 V

на замовлення 162000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.58 грн
6000+	10.32 грн
9000+	9.89 грн
15000+	9.18 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN2015UFDE-7

Trans MOSFET N-CH 20V 10.5A 6-Pin DFN EP T/R

товару немає в наявності

DMN2015UFDE-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K

на замовлення 2900 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	39.25 грн
10+	33.05 грн
100+	20.01 грн
500+	15.61 грн
1000+	12.7 грн
3000+	11.21 грн

Мінімальне замовлення: 9

DMN2015UFDE-7

Description: MOSFET N-CH 20V 10.5A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 8.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1779 pF @ 10 V

на замовлення 162015 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	40.69 грн
12+	26.02 грн

Мінімальне замовлення: 8

DMN2015UFDE-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 10A; Idm: 80A; 1.31W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 1.31W
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 45.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товару немає в наявності

DMN2015UFDE-7

товару немає в наявності

DMN2015UFDE-7

на замовлення 164960 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	40.69 грн
12+	26.24 грн
100+	17.86 грн
500+	13.18 грн
1000+	11.99 грн

Мінімальне замовлення: 8

DMN2015UFDF-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V

товару немає в наявності

DMN2015UFDF-13

Description: MOSFET N-CH 20V 15.2A 6UDFN

товару немає в наявності

DMN2015UFDF-7

Description: MOSFET N-CH 20V 15.2A 6UDFN

на замовлення 51000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

DMN2015UFDF-7

Trans MOSFET N-CH 20V 11.6A 6-Pin UDFN EP T/R

товару немає в наявності

DMN2015UFDF-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 9.3A; Idm: 70A; 0.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 9.3A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 0.5W
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 42.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товару немає в наявності

DMN2015UFDF-7

товару немає в наявності

DMN2015UFDF-7

Description: DIODES INC. - DMN2015UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 11.6 A, 0.0068 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0068ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 2980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

45+	17.91 грн
53+	15.05 грн
100+	9.32 грн
500+	7.76 грн
1000+	7.1 грн

Мінімальне замовлення: 45

DMN2015UFDF-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V

на замовлення 2641 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	32.37 грн
12+	27.42 грн
100+	16.54 грн
500+	12.92 грн
1000+	10.57 грн
3000+	9.3 грн

Мінімальне замовлення: 11

DMN2015UFDF-7

на замовлення 2980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	9.32 грн
500+	7.76 грн
1000+	7.1 грн

Мінімальне замовлення: 100

DMN2016LFG-7

DMN2016LFG-7 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

DMN2016LFG-7

Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8UDFN

товару немає в наявності

DMN2016LFG-7

Trans MOSFET N-CH 20V 5.2A 8-Pin DFN EP T/R

товару немає в наявності

DMN2016LFG-7

MOSFET MOSFET N-CHANNEL DFN DFN3030-8 GREEN 3K

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	49.27 грн
10+	41.46 грн
100+	25.83 грн
500+	20.16 грн
1000+	16.39 грн
3000+	14.05 грн

Мінімальне замовлення: 7

DMN2016LFG-7

Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8UDFN

товару немає в наявності

DMN2016LFG-7

Trans MOSFET N-CH 20V 5.2A 8-Pin DFN EP T/R

товару немає в наявності

DMN2016LFG-7

Trans MOSFET N-CH 20V 5.2A 8-Pin DFN EP T/R

товару немає в наявності

DMN2016LHAB-7

Trans MOSFET N-CH 20V 7.5A 6-Pin UDFN EP T/R

товару немає в наявності

DMN2016LHAB-7

Description: MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type B)

на замовлення 39000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	42.99 грн
10+	35.12 грн
100+	24.43 грн
500+	17.9 грн
1000+	14.55 грн

Мінімальне замовлення: 8

DMN2016LHAB-7

DMN2016LHAB-7 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

DMN2016LHAB-7

Description: MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type B)

на замовлення 39000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	14.39 грн
6000+	13.16 грн
9000+	12.22 грн
30000+	11.25 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN2016LHAB-7

MOSFET DUAL N-CH MOSFET 20V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

DMN2016UFX-7

Description: MOSFET 2N-CH 24V 9.9A 4VDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.07W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 24V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 6.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN2050-4

товару немає в наявності

DMN2016UFX-7

Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

DMN2016UFX-7

MOSFETs MOSFET

товару немає в наявності

DMN2016UTS-13

Trans MOSFET N-CH 20V 8.58A 8-Pin TSSOP T/R

товару немає в наявності

DMN2016UTS-13

MOSFET N-Ch Dual MOSFET 20V VDSS 8V VGSS

на замовлення 10583 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	46.2 грн
10+	39.26 грн
100+	25.48 грн
500+	20.08 грн
1000+	15.54 грн
2500+	13.13 грн
10000+	12.85 грн

Мінімальне замовлення: 8

DMN2016UTS-13

Description: MOSFET 2N-CH 20V 8.58A 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 880mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.58A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1495pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 9.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP

на замовлення 122062 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	41.46 грн
10+	34.01 грн
100+	23.66 грн
500+	17.33 грн
1000+	14.09 грн

Мінімальне замовлення: 8

DMN2016UTS-13

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.73A; Idm: 36A; 880mW; TSSOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.73A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 0.88W
Case: TSSOP8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

DMN2016UTS-13

Description: MOSFET 2N-CH 20V 8.58A 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 880mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.58A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1495pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 9.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP

на замовлення 120000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	13.94 грн
5000+	12.74 грн
12500+	11.83 грн
25000+	10.89 грн

Мінімальне замовлення: 2500

DMN2016UTS-13

Trans MOSFET N-CH 20V 8.58A 8-Pin TSSOP T/R

товару немає в наявності

DMN2016UTS-13

Trans MOSFET N-CH 20V 8.58A 8-Pin TSSOP T/R

товару немає в наявності

DMN2016UTS-13

товару немає в наявності

DMN2019UTS-13

Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 780mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Part Status: Active

на замовлення 102311 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	27.64 грн
14+	22.55 грн
100+	15.65 грн
500+	11.47 грн
1000+	9.32 грн

Мінімальне замовлення: 12

DMN2019UTS-13

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.3A; Idm: 30A; 780mW; TSSOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.3A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 0.78W
Case: TSSOP8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 31mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товару немає в наявності

DMN2019UTS-13

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V 24V TSSOP-8 T&R 2.5

на замовлення 2357 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	30.8 грн
13+	25.95 грн
100+	16.89 грн
500+	13.27 грн
1000+	10.29 грн
2500+	8.73 грн
10000+	8.52 грн

Мінімальне замовлення: 11

DMN2019UTS-13

Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 780mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Part Status: Active

на замовлення 100000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	9.22 грн
5000+	8.43 грн
12500+	7.82 грн
25000+	7.21 грн

Мінімальне замовлення: 2500

DMN2019UTS-13

товару немає в наявності

DMN2020LSN-7

Description: DIODES INC. - DMN2020LSN-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.9 A, 0.013 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 610mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 2559 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	40.6 грн
27+	29.86 грн
100+	18.79 грн
500+	13.6 грн
1000+	9.08 грн

Мінімальне замовлення: 20

DMN2020LSN-7

Trans MOSFET N-CH 20V 6.9A 3-Pin SC-59 T/R

на замовлення 2318 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

490+	24.87 грн
786+	15.49 грн
819+	14.87 грн
854+	13.75 грн
1473+	7.38 грн

Мінімальне замовлення: 490

DMN2020LSN-7

MOSFETs MOSFET,N-CHANNEL

на замовлення 18923 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	33.12 грн
14+	24.73 грн
100+	11.28 грн
1000+	8.23 грн
3000+	7.45 грн

Мінімальне замовлення: 10

DMN2020LSN-7

DMN2020LSN-7 SMD N channel transistors

на замовлення 2754 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

11+	27.61 грн
129+	8.04 грн
355+	7.61 грн

Мінімальне замовлення: 11

DMN2020LSN-7

Trans MOSFET N-CH 20V 6.9A 3-Pin SC-59 T/R

товару немає в наявності

DMN2020LSN-7

Trans MOSFET N-CH 20V 6.9A 3-Pin SC-59 T/R

на замовлення 2318 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	32.74 грн
24+	25.8 грн
27+	23.09 грн
100+	13.87 грн
250+	12.32 грн
500+	11.35 грн
1000+	6.58 грн

Мінімальне замовлення: 19

DMN2020LSN-7

Description: MOSFET N-CH 20V 6.9A SC59-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-59-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1149 pF @ 10 V

на замовлення 90000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.72 грн
6000+	8.05 грн
9000+	7.24 грн
30000+	6.7 грн
75000+	6.29 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN2020LSN-7

на замовлення 2559 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	18.79 грн
500+	13.6 грн
1000+	9.08 грн

Мінімальне замовлення: 100

DMN2020LSN-7

Trans MOSFET N-CH 20V 6.9A 3-Pin SC-59 T/R

товару немає в наявності

DMN2020LSN-7

Description: MOSFET N-CH 20V 6.9A SC59-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-59-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1149 pF @ 10 V

на замовлення 90541 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	32.24 грн
13+	24.1 грн
100+	14.48 грн
500+	12.59 грн
1000+	8.56 грн

Мінімальне замовлення: 10

DMN2020UFCL-7

Trans MOSFET N-CH 20V 9A 6-Pin X1-DFN EP T/R

товару немає в наявності

DMN2020UFCL-7

Trans MOSFET N-CH 20V 9A 6-Pin X1-DFN EP T/R

на замовлення 45000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.2 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN2020UFCL-7

Description: MOSFET N-CH 20V 9A X1-DFN1616-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1616-6 (Type E)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1788 pF @ 10 V

на замовлення 48000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.46 грн
6000+	8.64 грн
9000+	8.03 грн
30000+	7.36 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN2020UFCL-7

Trans MOSFET N-CH 20V 9A 6-Pin X1-DFN EP T/R

товару немає в наявності

DMN2020UFCL-7

Trans MOSFET N-CH 20V 9A 6-Pin X1-DFN EP T/R

товару немає в наявності

DMN2020UFCL-7

Description: MOSFET N-CH 20V 9A X1-DFN1616-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1616-6 (Type E)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1788 pF @ 10 V

на замовлення 48211 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	27.64 грн
13+	23.14 грн
100+	16.06 грн
500+	11.76 грн
1000+	9.56 грн

Мінімальне замовлення: 12

DMN2020UFCL-7

MOSFETs 20V N-Ch Enh FET 0.61W 1788pF 21.5nC

на замовлення 6220 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	30.06 грн
13+	25.22 грн
100+	15.26 грн
500+	11.85 грн
1000+	9.65 грн
3000+	7.74 грн

Мінімальне замовлення: 12

DMN2020UFCL-7

DMN2020UFCL-7 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

DMN2022UCA4-7

Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V X4-DSN1717-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel, Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 24V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1438pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5nC @ 4V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 1mA
Supplier Device Package: X4-DSN1717-4

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	15.53 грн
6000+	13.92 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN2022UCA4-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V X4-DSN1717-4 T&R 3K

товару немає в наявності

DMN2022UCA4-7

MOSFET BVDSS: 8V24V X4-DSN1717-4 T&R 3K

товару немає в наявності

DMN2022UDH-13

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V

товару немає в наявності

DMN2022UDH-13

Trans MOSFET N-CH 20V 10A 8-Pin VQFN T/R

товару немає в наявності

DMN2022UDH-7

Trans MOSFET N-CH 20V 10A 8-Pin VQFN T/R

товару немає в наявності

DMN2022UDH-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V

товару немає в наявності

DMN2022UDH-7

Description: MOSFET BVDSS: 8V 24V V-DFN3030-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active

товару немає в наявності

DMN2022UFDF-13

Trans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin UDFN EP T/R

товару немає в наявності

DMN2022UFDF-13

MOSFETs 20V N-Ch Enh Mode 8Vgss 7.9A .66W

товару немає в наявності

DMN2022UFDF-13

Description: MOSFET N-CH 20V 7.9A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 907 pF @ 10 V

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	8.71 грн
30000+	8.2 грн
50000+	7.99 грн

Мінімальне замовлення: 10000

DMN2022UFDF-13

Trans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin UDFN EP T/R

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	9.62 грн

Мінімальне замовлення: 10000

DMN2022UFDF-13

Trans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin UDFN EP T/R

товару немає в наявності

DMN2022UFDF-7

на замовлення 45000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.05 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN2022UFDF-7

Trans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin UDFN EP T/R

товару немає в наявності

DMN2022UFDF-7

Description: DIODES INC. - DMN2022UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7.9 A, 0.015 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.03W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 2900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	42.44 грн
24+	33.52 грн
100+	20.38 грн
500+	14.27 грн
1000+	9.83 грн

Мінімальне замовлення: 19

DMN2022UFDF-7

Trans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin UDFN EP T/R

товару немає в наявності

DMN2022UFDF-7

DMN2022UFDF-7 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

DMN2022UFDF-7

Description: MOSFET N-CH 20V 7.9A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 907 pF @ 10 V

на замовлення 46979 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	32.24 грн
13+	24.03 грн
100+	14.37 грн
500+	12.49 грн
1000+	8.49 грн

Мінімальне замовлення: 10

DMN2022UFDF-7

Trans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin UDFN EP T/R

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.99 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN2022UFDF-7

MOSFETs 20V N-Ch Enh Mode 8Vgss 7.9A .66W

на замовлення 4746 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	34.69 грн
13+	26.44 грн
100+	12.77 грн
1000+	8.73 грн
3000+	7.45 грн

Мінімальне замовлення: 10

DMN2022UFDF-7

на замовлення 2900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	20.38 грн
500+	14.27 грн
1000+	9.83 грн

Мінімальне замовлення: 100

DMN2022UFDF-7

Trans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin UDFN EP T/R

товару немає в наявності

DMN2022UNS-13

Description: MOSFET 2N-CH 20V 10.7A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.3nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXB)

товару немає в наявності

DMN2022UNS-13

MOSFET Dual N-Ch Enh FET 20V 10Vgss 1.2W

товару немає в наявності

DMN2022UNS-7

MOSFETs Dual N-Ch Enh FET 20V 10Vgss 1.2W

товару немає в наявності

DMN2022UNS-7

Trans MOSFET N-CH 20V 10.7A 8-Pin PowerDI EP T/R

товару немає в наявності

DMN2022UNS-7

Description: MOSFET 2N-CH 20V 10.7A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.3nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXB)

на замовлення 84000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	42.99 грн
10+	35.78 грн
100+	24.77 грн
500+	19.43 грн
1000+	16.53 грн

Мінімальне замовлення: 8

DMN2022UNS-7

Trans MOSFET N-CH 20V 10.7A 8-Pin PowerDI EP T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	15.98 грн

Мінімальне замовлення: 2000

DMN2022UNS-7

на замовлення 84000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	16.29 грн
6000+	14.86 грн
10000+	13.76 грн
50000+	12.79 грн

Мінімальне замовлення: 2000

DMN2023LSD

MOSFET

товару немає в наявності

DMN2023UCB4-7

Description: MOSFET 2N-CH X1-WLB1818-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.45W
Drain to Source Voltage (Vdss): 24V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3333pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: X1-WLB1818-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 422 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	41.46 грн
10+	34.97 грн
100+	24.2 грн

Мінімальне замовлення: 8

DMN2023UCB4-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 24V; 4.8A; Idm: 20A; 1.45W
Mounting: SMD
Case: X1-WLB1818-4
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 37nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 20A
Drain-source voltage: 24V
Drain current: 4.8A
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.45W
Polarisation: unipolar

товару немає в наявності

DMN2023UCB4-7

товару немає в наявності

DMN2023UCB4-7

MOSFETs N-Ch 24Vds 12Vgs 6.0A Enh FET 2564pF

на замовлення 2622 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	46.2 грн
10+	39.58 грн
100+	23.92 грн
500+	19.94 грн
1000+	17.81 грн
3000+	15.54 грн
6000+	15.47 грн

Мінімальне замовлення: 8

DMN2023UCB4-7

на замовлення 2995 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	43.76 грн
10+	36.74 грн
100+	25.4 грн
500+	19.92 грн
1000+	16.95 грн

Мінімальне замовлення: 8

DMN2023UCB4-7

Trans MOSFET N-CH 6A 4-Pin X1-WLB T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	17.64 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN2023UCB4-7

Trans MOSFET N-CH 6A 4-Pin X1-WLB T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	21.33 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN2023UCB4-7

Description: MOSFET 2N-CH X1-WLB1818-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.45W
Drain to Source Voltage (Vdss): 24V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3333pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: X1-WLB1818-4
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

DMN2023UCB4-7

Trans MOSFET N-CH 6A 4-Pin X1-WLB T/R

на замовлення 57000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	21.33 грн
15000+	19.49 грн
30000+	18.14 грн
45000+	16.49 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN2023UCB4-7

Trans MOSFET N-CH 6A 4-Pin X1-WLB T/R

товару немає в наявності

DMN2023UCB4-7

Trans MOSFET N-CH 6A 4-Pin X1-WLB T/R

товару немає в наявності

DMN2024LCA4-7

MOSFET BVDSS: 8V24V X4-DSN1313-4 T&R 3K

товару немає в наявності

DMN2024LCA4-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V X4-DSN1313-4 T&R 3K

товару немає в наявності

DMN2024LCA4-7

Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V X4-DSN1313-
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.19 грн
6000+	9.18 грн
15000+	8.55 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN2024U

MOSFET

товару немає в наявності

DMN2024U-13

MOSFETs MOSFET

товару немає в наявності

DMN2024U-13

Description: MOSFET N-CH 20V 6.8A SOT23 T&R 1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647 pF @ 10 V

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	33.78 грн
13+	22.84 грн
100+	11.53 грн
500+	9.59 грн
1000+	7.46 грн
2000+	6.68 грн
5000+	6.42 грн

Мінімальне замовлення: 10

DMN2024U-13

Trans MOSFET N-CH 20V 6.8A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	5.92 грн

Мінімальне замовлення: 10000

DMN2024U-13

Description: MOSFET N-CH 20V 6.8A SOT23 T&R 1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647 pF @ 10 V

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	6.4 грн
30000+	6.08 грн

Мінімальне замовлення: 10000

DMN2024U-13

Trans MOSFET N-CH 20V 6.8A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

DMN2024U-7

Trans MOSFET N-CH 20V 6.8A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7 грн
9000+	6.2 грн
24000+	5.77 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN2024U-7

Description: MOSFET N-CH 20V 6.8A SOT23 T&R 3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647 pF @ 10 V

на замовлення 408161 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	33.78 грн
13+	22.92 грн
100+	11.56 грн
500+	9.61 грн
1000+	7.48 грн

Мінімальне замовлення: 10

DMN2024U-7

Trans MOSFET N-CH 20V 6.8A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	4.63 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN2024U-7

Trans MOSFET N-CH 20V 6.8A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 432000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.92 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN2024U-7

MOSFETs MOSFET

на замовлення 7868 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	36.18 грн
15+	22.2 грн
100+	9.16 грн
1000+	8.02 грн
3000+	7.1 грн
9000+	5.54 грн

Мінімальне замовлення: 10

DMN2024U-7

Description: MOSFET N-CH 20V 6.8A SOT23 T&R 3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647 pF @ 10 V

на замовлення 408000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.41 грн
6000+	6.98 грн
9000+	6.18 грн
30000+	5.72 грн
75000+	4.86 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN2024U-7

Trans MOSFET N-CH 20V 6.8A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.11 грн
9000+	6.3 грн
24000+	5.86 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN2024U-7

DMN2024U-7 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

DMN2024U-7

Trans MOSFET N-CH 20V 6.8A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

DMN2024U-7-ML

MOSLEADER

Description: N 20V 6.8A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 300000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	3.51 грн
3000+	3.07 грн
6000+	2.97 грн
15000+	2.7 грн
30000+	2.6 грн
75000+	2.36 грн
150000+	2.18 грн

Мінімальне замовлення: 1000

DMN2024UDH-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V

товару немає в наявності

DMN2024UDH-7

DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	13.37 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN2024UDH-7

Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 950mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN3030-8
Part Status: Active

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	13.74 грн
6000+	12.56 грн
9000+	11.66 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN2024UDH-7

DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

товару немає в наявності

DMN2024UFDF-13

20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

товару немає в наявності

DMN2024UFDF-13

Description: MOSFET N-CH 20V 7.1A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647 pF @ 10 V

товару немає в наявності

DMN2024UFDF-13

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.6A; Idm: 40A; 1.67W
Mounting: SMD
Case: U-DFN2020-6
Power dissipation: 1.67W
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 14.8nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 40A
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.6A
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 10000 шт

товару немає в наявності

DMN2024UFDF-13

товару немає в наявності

DMN2024UFDF-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V

товару немає в наявності

DMN2024UFDF-7

20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

товару немає в наявності

DMN2024UFDF-7

Description: DIODES INC. - DMN2024UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7.1 A, 0.015 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.67W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 2470 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	10.75 грн
500+	8.43 грн
1000+	6.28 грн

Мінімальне замовлення: 100

DMN2024UFDF-7

Description: MOSFET N-CH 20V 7.1A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647 pF @ 10 V

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

DMN2024UFDF-7

20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

на замовлення 33000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.23 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN2024UFDF-7

на замовлення 2470 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

32+	24.92 грн
54+	14.89 грн
100+	10.75 грн
500+	8.43 грн
1000+	6.28 грн

Мінімальне замовлення: 32

DMN2024UFDF-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V

на замовлення 4201 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	31.55 грн
15+	22.93 грн
100+	11.5 грн
1000+	7.88 грн
3000+	7.1 грн
9000+	6.17 грн
24000+	6.1 грн

Мінімальне замовлення: 11

DMN2024UFDF-7

20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

товару немає в наявності

DMN2024UFDF-7

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

DMN2024UFDF-7

DMN2024UFDF-7 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

DMN2024UFU-13

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2030-6 T&R 10K

товару немає в наявності

DMN2024UFU-13

Description: MOSFET 2N-CH 20V 7.5A/21A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 810mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), 21A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.2mOhm @ 6.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type B)
Part Status: Active

товару немає в наявності

DMN2024UFU-7

Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

DMN2024UFU-7

Description: DIODES INC. - DMN2024UFU-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 21 A, 21 A, 0.0112 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 21A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0112ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 810mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: U-DFN2030
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0112ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 810mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 2975 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

26+	31.05 грн
40+	20.06 грн
100+	17.67 грн
500+	12.12 грн
1000+	7.23 грн

Мінімальне замовлення: 26

DMN2024UFU-7

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	12.83 грн
6000+	11.33 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN2024UFU-7

DMN2024UFU-7 Multi channel transistors

товару немає в наявності

DMN2024UFU-7

Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.99 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN2024UFU-7

на замовлення 2975 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	17.67 грн
500+	12.12 грн
1000+	7.23 грн

Мінімальне замовлення: 100

DMN2024UFU-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2030-6 T&R 3K

на замовлення 5970 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	56.22 грн
10+	36.81 грн
100+	31.37 грн
3000+	11.36 грн
9000+	10.15 грн

Мінімальне замовлення: 6

DMN2024UFX-7

Description: MOSFET 2N-CH 20V 8A 4VDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 920mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN2050-4

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	13.2 грн
6000+	12.07 грн
9000+	11.2 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN2024UFX-7

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	12.85 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN2024UFX-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V V-DFN2050-4 T&R 3K

товару немає в наявності

DMN2024UFX-7

Description: DIODES INC. - DMN2024UFX-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 8 A, 8 A, 0.011 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.011ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 920mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: V-DFN2050
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.011ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 920mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 2980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	17.52 грн
500+	15.6 грн

Мінімальне замовлення: 100

DMN2024UFX-7

на замовлення 2980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

28+	28.98 грн
46+	17.67 грн
100+	14.57 грн
500+	13.01 грн
1000+	7.78 грн

Мінімальне замовлення: 28

DMN2024UQ-13

DMN2024UQ-13 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

DMN2024UQ-13

Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

DMN2024UQ-13

MOSFET BVDSS: 8V24V SOT23 T&R 10K

товару немає в наявності

DMN2024UQ-13

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 10K

товару немає в наявності

DMN2024UQ-7

Description: DIODES INC. - DMN2024UQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.8 A, 0.016 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 5865 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	38.69 грн
28+	28.5 грн
100+	17.91 грн
500+	12.94 грн
1000+	9.55 грн
3000+	7.98 грн

Мінімальне замовлення: 21

DMN2024UQ-7

Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 198000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.22 грн
6000+	7.59 грн
9000+	6.83 грн
30000+	6.31 грн
75000+	5.93 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN2024UQ-7

MOSFET BVDSS: 8V24V SOT23 T&R 3K

товару немає в наявності

DMN2024UQ-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3K

на замовлення 5990 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	33.12 грн
13+	25.55 грн
100+	12.42 грн
1000+	8.45 грн
3000+	7.38 грн
9000+	6.67 грн
24000+	6.53 грн

Мінімальне замовлення: 10

DMN2024UQ-7

на замовлення 5865 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	17.91 грн
500+	12.94 грн
1000+	9.55 грн
3000+	7.98 грн

Мінімальне замовлення: 100

DMN2024UQ-7

Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 200010 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	29.94 грн
13+	22.77 грн
100+	13.65 грн
500+	11.86 грн
1000+	8.07 грн

Мінімальне замовлення: 11

DMN2024UQ-7

N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101

на замовлення 384000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.51 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN2024UTS-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V

на замовлення 2405 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	37.76 грн
11+	31.99 грн
100+	19.3 грн
500+	15.12 грн
1000+	12.28 грн
2500+	10.22 грн
10000+	9.87 грн

Мінімальне замовлення: 9

DMN2024UTS-13

Description: MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 890mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta), 15.2A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP

на замовлення 70000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	11.73 грн
5000+	10.72 грн
12500+	9.96 грн
25000+	9.17 грн

Мінімальне замовлення: 2500

DMN2024UTS-13

High Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	11.65 грн

Мінімальне замовлення: 2500

DMN2024UTS-13

Description: MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 890mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta), 15.2A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP

на замовлення 72490 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	34.55 грн
11+	28.61 грн
100+	19.92 грн
500+	14.59 грн
1000+	11.86 грн

Мінімальне замовлення: 9

DMN2024UVT-13

High Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

DMN2024UVT-13

Description: MOSFET 2N-CH 20V 7A TSOT23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-23-6

товару немає в наявності

DMN2024UVT-13

DMN2024UVT-13 Multi channel transistors

товару немає в наявності

DMN2024UVT-13

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V

товару немає в наявності

DMN2024UVT-13

High Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

DMN2024UVT-7

товару немає в наявності

DMN2024UVT-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V

товару немає в наявності

DMN2024UVT-7

High Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

DMN2024UVTQ-13

N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

DMN2024UVTQ-13

Description: MOSFET 2N-CH 20V 7A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

DMN2024UVTQ-13

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26 T&R 10K

товару немає в наявності

DMN2024UVTQ-7

Description: DIODES INC. - DMN2024UVTQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 7 A, 7 A, 0.019 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 2915 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

28+	29.14 грн
36+	22.61 грн
100+	15.45 грн
500+	11.75 грн

Мінімальне замовлення: 28

DMN2024UVTQ-7

DMN2024UVTQ-7 Multi channel transistors

товару немає в наявності

DMN2024UVTQ-7

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.79 грн
6000+	8.95 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN2024UVTQ-7

N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

DMN2024UVTQ-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V TSOT26 T&R 3K

товару немає в наявності

DMN2024UVTQ-7

MOSFET BVDSS: 8V24V TSOT26 T&R 3K

товару немає в наявності

DMN2024UVTQ-7

N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.53 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN2024UVTQ-7

на замовлення 2915 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	15.45 грн
500+	11.75 грн

Мінімальне замовлення: 100

DMN2025U

Description: DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 10 V

товару немає в наявності

DMN2025U-13

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	3.5 грн

Мінімальне замовлення: 10000

DMN2025U-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V

товару немає в наявності

DMN2025U-13

Description: MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 1
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	3.9 грн

Мінімальне замовлення: 10000

DMN2025U-7

Description: MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: SOT-23-3

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	4.72 грн
6000+	4.34 грн
9000+	3.76 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN2025U-7

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

DMN2025U-7

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3481+	3.5 грн

Мінімальне замовлення: 3481

DMN2025U-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V

на замовлення 8002 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	29.23 грн
16+	21.14 грн
100+	10.43 грн
1000+	5.32 грн
3000+	4.26 грн
9000+	3.62 грн
24000+	3.41 грн

Мінімальне замовлення: 12

DMN2025U-7

Description: MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: SOT-23-3

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	26.1 грн
17+	17.67 грн
100+	8.92 грн
500+	6.83 грн
1000+	5.07 грн

Мінімальне замовлення: 12

DMN2025UFDB-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 10K

товару немає в наявності

DMN2025UFDB-13

Description: MOSFET 2N-CH 20V 6A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 486pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)

товару немає в наявності

DMN2025UFDB-13

Dual 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

DMN2025UFDB-7

Description: DIODES INC. - DMN2025UFDB-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 6 A, 6 A, 0.0185 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0185ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0185ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1570 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	16.64 грн
500+	12.27 грн
1000+	8.39 грн

Мінімальне замовлення: 100

DMN2025UFDB-7

Dual 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

DMN2025UFDB-7

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 4.8A; Idm: 35A; 1.4W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 35A
Case: U-DFN2020-6
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.8A
On-state resistance: 31mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 12.3nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±10V

товару немає в наявності

DMN2025UFDB-7

Dual 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.89 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN2025UFDB-7

на замовлення 1570 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	46.73 грн
30+	26.75 грн
100+	16.64 грн
500+	12.27 грн
1000+	8.39 грн

Мінімальне замовлення: 18

DMN2025UFDB-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K

товару немає в наявності

DMN2025UFDB-7

товару немає в наявності

DMN2025UFDB-7

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.7 грн
6000+	8.95 грн
9000+	8.06 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN2025UFDB-7

Dual 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

DMN2025UFDF-13

Trans MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-Pin UDFN EP T/R

товару немає в наявності

DMN2025UFDF-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 10K

товару немає в наявності

DMN2025UFDF-13

Description: MOSFET N-CH 20V 6.5A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 486 pF @ 10 V

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	6.57 грн
30000+	6.23 грн

Мінімальне замовлення: 10000

DMN2025UFDF-13

Trans MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-Pin UDFN EP T/R

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	6.98 грн

Мінімальне замовлення: 10000

DMN2025UFDF-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K

на замовлення 5966 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	30.06 грн
15+	23.02 грн
100+	11.14 грн
1000+	7.59 грн
3000+	6.6 грн
9000+	6.53 грн

Мінімальне замовлення: 12

DMN2025UFDF-7

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

DMN2025UFDF-7

Trans MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-Pin UDFN EP T/R

товару немає в наявності

DMN2025UFDF-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.2A; Idm: 30A; 1.6W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 30A
Case: U-DFN2020-6
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.2A
On-state resistance: 60mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 12.3nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±10V
кількість в упаковці: 5 шт

товару немає в наявності

DMN2025UFDF-7

Description: MOSFET N-CH 20V 6.5A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 486 pF @ 10 V

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

DMN2025UFDF-7

Trans MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-Pin UDFN EP T/R

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.98 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN2025UFDF-7

Trans MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-Pin UDFN EP T/R

товару немає в наявності

DMN2025UFDF-7

товару немає в наявності

DMN2026UVT-13

DMN2026UVT-13 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

DMN2026UVT-13

Description: MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.15W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-23-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.4 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 887 pF @ 10 V

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	7.93 грн
30000+	7.52 грн

Мінімальне замовлення: 10000

DMN2026UVT-13

N-Channel Enhancement Mode Mosfet

товару немає в наявності

DMN2026UVT-13

MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 20Vdss 10Vgss 20A

товару немає в наявності

DMN2026UVT-7

MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 20Vdss 10Vgss 20A

на замовлення 2889 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	35.44 грн
13+	27.1 грн
100+	13.13 грн
1000+	8.94 грн
3000+	7.81 грн
9000+	7.66 грн

Мінімальне замовлення: 10

DMN2026UVT-7

Description: MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.15W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.4 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 887 pF @ 10 V

на замовлення 33000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	33.01 грн
12+	24.84 грн
100+	14.87 грн
500+	12.92 грн
1000+	8.79 грн

Мінімальне замовлення: 10

DMN2026UVT-7

N-Channel Enhancement Mode Mosfet

товару немає в наявності

DMN2026UVT-7

DMN2026UVT-7 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

DMN2026UVT-7

Description: MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.15W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.4 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 887 pF @ 10 V

на замовлення 33000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.95 грн
6000+	8.26 грн
9000+	7.43 грн
30000+	6.87 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN2026UVT-7