DMN2005LPK-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 440MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 440mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 450mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 100µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
на замовлення 1350000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 7.33 грн |
| 6000+ | 6.91 грн |
| 9000+ | 6.12 грн |
| 30000+ | 5.67 грн |
| 75000+ | 4.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN2005LPK-7 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMN2005LPK-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 440 mA, 0.35 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 440mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 450mW, Bauform - Transistor: X1-DFN1006, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції DMN2005LPK-7 за ціною від 4.85 грн до 37.85 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN2005LPK-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.44A; 0.45W; X1-DFN1006-3 Case: X1-DFN1006-3 Mounting: SMD On-state resistance: 3.5Ω Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.45W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: ESD protected gate Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±10V Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.44A Type of transistor: N-MOSFET |
на замовлення 1150 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN2005LPK-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.44A; 0.45W; X1-DFN1006-3 Case: X1-DFN1006-3 Mounting: SMD On-state resistance: 3.5Ω Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.45W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: ESD protected gate Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±10V Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.44A Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1150 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN2005LPK-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN2005LPK-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 440 mA, 0.35 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 440mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 450mW Bauform - Transistor: X1-DFN1006 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2910 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN2005LPK-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.44A 3-Pin DFN T/R |
на замовлення 2328 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN2005LPK-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.44A 3-Pin DFN T/R |
на замовлення 2328 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN2005LPK-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs 20V 200mA |
на замовлення 10666 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN2005LPK-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 20V 440MA 3DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-UFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 440mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V Power Dissipation (Max): 450mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 100µA Supplier Device Package: X1-DFN1006-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V |
на замовлення 1351957 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN2005LPK-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN2005LPK-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 440 mA, 0.35 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 440mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 450mW Bauform - Transistor: X1-DFN1006 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2910 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN2005LPK-7 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.44A 3-Pin DFN T/R |
товар відсутній |