![DMN2005UFG-13 DMN2005UFG-13](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/62f2a49f924da0d785c2d194114b52bc76b3f0c5/dmt3003lfg-7.jpg)
на замовлення 747000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 15.19 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN2005UFG-13 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMN2005UFG-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 50 A, 0.004 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.05W, Bauform - Transistor: PowerDI 3333, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції DMN2005UFG-13 за ціною від 11.99 грн до 40.3 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
DMN2005UFG-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 13.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.05W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6495 pF @ 10 V |
на замовлення 750000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DMN2005UFG-13 | Виробник : DIODES INC. |
![]() tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.05W Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DMN2005UFG-13 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DMN2005UFG-13 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DMN2005UFG-13 | Виробник : DIODES INC. |
![]() tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.05W Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DMN2005UFG-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() |
на замовлення 4128 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DMN2005UFG-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 13.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.05W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6495 pF @ 10 V |
на замовлення 752947 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DMN2005UFG-13 | Виробник : Diodes Inc |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
DMN2005UFG-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 40A; Idm: 130A; 1.05W Type of transistor: N-MOSFET Case: PowerDI®3333-8 Mounting: SMD Power dissipation: 1.05W Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 130A On-state resistance: 8.7mΩ Drain-source voltage: 20V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Drain current: 40A кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
DMN2005UFG-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 40A; Idm: 130A; 1.05W Type of transistor: N-MOSFET Case: PowerDI®3333-8 Mounting: SMD Power dissipation: 1.05W Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 130A On-state resistance: 8.7mΩ Drain-source voltage: 20V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Drain current: 40A |
товар відсутній |