Продукція > DIODES ZETEX > DMN10H220LPDW-13
DMN10H220LPDW-13

DMN10H220LPDW-13 Diodes Zetex

dmn10h220lpdw.pdf Виробник: Diodes Zetex
N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+14.2 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN10H220LPDW-13 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMN10H220LPDW-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 8 A, 8 A, 0.168 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.168ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2.2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerDI5060, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.168ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції DMN10H220LPDW-13 за ціною від 11.72 грн до 62.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DMN10H220LPDW-13 DMN10H220LPDW-13 Виробник : DIODES INC. DMN10H220LPDW.pdf Description: DIODES INC. - DMN10H220LPDW-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 8 A, 8 A, 0.168 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.168ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.168ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 4975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+31.79 грн
500+ 26.75 грн
1000+ 13 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMN10H220LPDW-13 DMN10H220LPDW-13 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0009600112_1-2543253.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS61V-100V
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+55.39 грн
10+ 38.96 грн
100+ 27.62 грн
500+ 25.1 грн
1000+ 20.86 грн
2500+ 13.16 грн
10000+ 12.23 грн
Мінімальне замовлення: 7
DMN10H220LPDW-13 DMN10H220LPDW-13 Виробник : DIODES INC. DMN10H220LPDW.pdf Description: DIODES INC. - DMN10H220LPDW-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 8 A, 8 A, 0.168 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.168ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.168ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 4975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+62.38 грн
19+ 43.09 грн
100+ 31.79 грн
500+ 26.75 грн
1000+ 13 грн
Мінімальне замовлення: 13
DMN10H220LPDW-13 Виробник : Diodes Incorporated DMN10H220LPDW.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 8A POWERDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 384pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 222mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type R)
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+15.66 грн
5000+ 13.84 грн
7500+ 13.2 грн
12500+ 11.72 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMN10H220LPDW-13 DMN10H220LPDW-13 Виробник : Diodes Zetex dmn10h220lpdw.pdf N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товар відсутній
DMN10H220LPDW-13 Виробник : Diodes Inc dmn10h220lpdw.pdf N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товар відсутній
DMN10H220LPDW-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN10H220LPDW.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 6.4A; Idm: 32A; 2.2W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.4A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 2.2W
Case: PowerDI5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMN10H220LPDW-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN10H220LPDW.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 6.4A; Idm: 32A; 2.2W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.4A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 2.2W
Case: PowerDI5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній