Продукція > DIODES INC > DMN13H750S-7
DMN13H750S-7

DMN13H750S-7 Diodes Inc

2702838072119078dmn13h750s.pdf Виробник: Diodes Inc
Trans MOSFET N-CH 130V 1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+10.91 грн
6000+ 9.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN13H750S-7 Diodes Inc

Description: MOSFET N-CH 130V 1A SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2A, 10V, Power Dissipation (Max): 770mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 130 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 231 pF @ 25 V.

Інші пропозиції DMN13H750S-7 за ціною від 10.68 грн до 42.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DMN13H750S-7 DMN13H750S-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN13H750S.pdf Description: MOSFET N-CH 130V 1A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 770mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 130 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 231 pF @ 25 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+15 грн
6000+ 13.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN13H750S-7 DMN13H750S-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN13H750S.pdf MOSFET N-Ch Enh Mode FET 130Vdss 20Vgss
на замовлення 20154 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+28.95 грн
14+ 24.25 грн
100+ 16.03 грн
500+ 13.42 грн
1000+ 11.95 грн
3000+ 10.68 грн
Мінімальне замовлення: 12
DMN13H750S-7 DMN13H750S-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN13H750S.pdf Description: MOSFET N-CH 130V 1A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 770mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 130 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 231 pF @ 25 V
на замовлення 14096 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+42.58 грн
10+ 34.92 грн
100+ 26.09 грн
500+ 19.24 грн
1000+ 14.86 грн
Мінімальне замовлення: 8
DMN13H750S-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN13H750S.pdf DMN13H750S-7 SMD N channel transistors
товар відсутній