![DMN1045UFR4-7 DMN1045UFR4-7](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/799/31%3B-X2-DFN1010-3%3B-%3B-3.jpg)
DMN1045UFR4-7 Diodes Incorporated
![DMN1045UFR4.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 12V 3.2A 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1010-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 375 pF @ 10 V
на замовлення 135000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 6.83 грн |
6000+ | 6.43 грн |
9000+ | 5.7 грн |
30000+ | 5.28 грн |
75000+ | 4.49 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN1045UFR4-7 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMN1045UFR4-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 3.2 A, 0.025 ohm, X2-DFN1010, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: X2-DFN1010, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції DMN1045UFR4-7 за ціною від 4.78 грн до 38.63 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
DMN1045UFR4-7 | Виробник : DIODES INC. |
![]() tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: X2-DFN1010 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DMN1045UFR4-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: X2-DFN1010-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 375 pF @ 10 V |
на замовлення 138721 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DMN1045UFR4-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() |
на замовлення 11952 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DMN1045UFR4-7 | Виробник : DIODES INC. |
![]() tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: X2-DFN1010 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DMN1045UFR4-7 | Виробник : Diodes Inc |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
DMN1045UFR4-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 3.2A; 1.26W; X2-DFN1010-3 Mounting: SMD Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Case: X2-DFN1010-3 Drain-source voltage: 12V Drain current: 3.2A On-state resistance: 0.1Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.26W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 5 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
DMN1045UFR4-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 3.2A; 1.26W; X2-DFN1010-3 Mounting: SMD Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Case: X2-DFN1010-3 Drain-source voltage: 12V Drain current: 3.2A On-state resistance: 0.1Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.26W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
товар відсутній |