Продукція > DIODES ZETEX > DMN10H220LFDF-7
DMN10H220LFDF-7

DMN10H220LFDF-7 Diodes Zetex

dmn10h220lfdf.pdf Виробник: Diodes Zetex
100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+5.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN10H220LFDF-7 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMN10H220LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.2 A, 0.174 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.1W, Bauform - Transistor: U-DFN2020, Anzahl der Pins: 6Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.174ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції DMN10H220LFDF-7 за ціною від 4.83 грн до 39.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DMN10H220LFDF-7 DMN10H220LFDF-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN10H220LFDF.pdf Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 384 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+6.95 грн
6000+ 6.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN10H220LFDF-7 DMN10H220LFDF-7 Виробник : DIODES INC. DMN10H220LFDF.pdf Description: DIODES INC. - DMN10H220LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.2 A, 0.174 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.174ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+11.23 грн
500+ 9.17 грн
1000+ 7.23 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMN10H220LFDF-7 DMN10H220LFDF-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN10H220LFDF.pdf Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 384 pF @ 25 V
на замовлення 7790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+31.48 грн
14+ 21.51 грн
100+ 10.84 грн
500+ 9.02 грн
1000+ 7.02 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMN10H220LFDF-7 DMN10H220LFDF-7 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0012994341_1-2543850.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V U-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 5715 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+34.69 грн
14+ 24 грн
100+ 9.37 грн
1000+ 7.24 грн
9000+ 5.61 грн
24000+ 5.54 грн
45000+ 4.83 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMN10H220LFDF-7 DMN10H220LFDF-7 Виробник : DIODES INC. DMN10H220LFDF.pdf Description: DIODES INC. - DMN10H220LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.2 A, 0.174 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.174ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
21+39.17 грн
30+ 27.23 грн
100+ 11.23 грн
500+ 9.17 грн
1000+ 7.23 грн
Мінімальне замовлення: 21
DMN10H220LFDF-7 DMN10H220LFDF-7 Виробник : Diodes Inc dmn10h220lfdf.pdf 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
DMN10H220LFDF-7 DMN10H220LFDF-7 Виробник : Diodes Zetex dmn10h220lfdf.pdf 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
DMN10H220LFDF-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN10H220LFDF.pdf DMN10H220LFDF-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності