DMN1003UCA6-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH X3-DSN3518-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.67W
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3315pF @ 6V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: X3-DSN3518-6
Description: MOSFET 2N-CH X3-DSN3518-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.67W
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3315pF @ 6V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: X3-DSN3518-6
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 26.57 грн |
6000+ | 24.37 грн |
9000+ | 23.24 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN1003UCA6-7 Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH X3-DSN3518-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-SMD, No Lead, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2.67W, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3315pF @ 6V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.5nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA, Supplier Device Package: X3-DSN3518-6.
Інші пропозиції DMN1003UCA6-7 за ціною від 22.73 грн до 65.54 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
DMN1003UCA6-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH X3-DSN3518-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.67W Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3315pF @ 6V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.5nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA Supplier Device Package: X3-DSN3518-6 |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
DMN1003UCA6-7 | Виробник : Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFETBVDSS: 8V-24V |
на замовлення 2409 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DMN1003UCA6-7 | Виробник : Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 12V 23.6A 6-Pin X3-DSN T/R |
товар відсутній |