![DMN1025UFDB-7 DMN1025UFDB-7](https://ce8dc832c.cloudimg.io/v7/_cdn_/3F/80/C0/00/0/788723_1.jpg?width=640&height=480&wat=1&wat_url=_tme-wrk_%2Ftme_new_render3d.png&wat_scale=100p&ci_sign=9afc7c7650ba6126cace1d548d0fd8558b13e99a)
DMN1025UFDB-7 DIODES INCORPORATED
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 12V; 5.5A; Idm: 35A; 1.7W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 35A
Case: U-DFN2020-6
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 5.5A
On-state resistance: 38mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 1.7W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 23.1nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±10V
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 12V; 5.5A; Idm: 35A; 1.7W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 35A
Case: U-DFN2020-6
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 5.5A
On-state resistance: 38mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 1.7W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 23.1nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±10V
на замовлення 2560 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
35+ | 12.62 грн |
40+ | 9.22 грн |
100+ | 8.2 грн |
120+ | 7.25 грн |
330+ | 6.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN1025UFDB-7 DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 12V; 5.5A; Idm: 35A; 1.7W, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Pulsed drain current: 35A, Case: U-DFN2020-6, Drain-source voltage: 12V, Drain current: 5.5A, On-state resistance: 38mΩ, Type of transistor: N-MOSFET x2, Power dissipation: 1.7W, Polarisation: unipolar, Gate charge: 23.1nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±10V, кількість в упаковці: 5 шт.
Інші пропозиції DMN1025UFDB-7 за ціною від 6.26 грн до 30.5 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
DMN1025UFDB-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 12V; 5.5A; Idm: 35A; 1.7W Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 35A Case: U-DFN2020-6 Drain-source voltage: 12V Drain current: 5.5A On-state resistance: 38mΩ Type of transistor: N-MOSFET x2 Power dissipation: 1.7W Polarisation: unipolar Gate charge: 23.1nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±10V кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 2560 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DMN1025UFDB-7 | Виробник : Diodes Incorporated | MOSFET Dual N-Ch Enh FET 12V 10Vgs 1.7W |
на замовлення 2083 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
DMN1025UFDB-7 | Виробник : Diodes Inc |
![]() |
товар відсутній |