DMN1025UFDB-7 DIODES INCORPORATED
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 12V; 5.5A; Idm: 35A; 1.7W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 35A
Case: U-DFN2020-6
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 5.5A
On-state resistance: 38mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 1.7W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 23.1nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±10V
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 12V; 5.5A; Idm: 35A; 1.7W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 35A
Case: U-DFN2020-6
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 5.5A
On-state resistance: 38mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 1.7W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 23.1nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±10V
на замовлення 2560 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 35+ | 12.62 грн |
| 40+ | 9.22 грн |
| 100+ | 8.2 грн |
| 120+ | 7.25 грн |
| 330+ | 6.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN1025UFDB-7 DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 12V; 5.5A; Idm: 35A; 1.7W, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Pulsed drain current: 35A, Case: U-DFN2020-6, Drain-source voltage: 12V, Drain current: 5.5A, On-state resistance: 38mΩ, Type of transistor: N-MOSFET x2, Power dissipation: 1.7W, Polarisation: unipolar, Gate charge: 23.1nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±10V, кількість в упаковці: 5 шт.
Інші пропозиції DMN1025UFDB-7 за ціною від 6.26 грн до 30.5 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMN1025UFDB-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 12V; 5.5A; Idm: 35A; 1.7W Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 35A Case: U-DFN2020-6 Drain-source voltage: 12V Drain current: 5.5A On-state resistance: 38mΩ Type of transistor: N-MOSFET x2 Power dissipation: 1.7W Polarisation: unipolar Gate charge: 23.1nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±10V кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 2560 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMN1025UFDB-7 | Виробник : Diodes Incorporated | MOSFET Dual N-Ch Enh FET 12V 10Vgs 1.7W |
на замовлення 2083 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| DMN1025UFDB-7 | Виробник : Diodes Inc |
 Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
товар відсутній |