на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 7.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN2004DWK-7 Diodes Inc
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT363, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 200mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-363, Part Status: Active.
Інші пропозиції DMN2004DWK-7 за ціною від 7.59 грн до 36.57 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN2004DWK-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT363Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 200mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Part Status: Active |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMN2004DWK-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 200mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Part Status: Active |
на замовлення 26019 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMN2004DWK-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET Dual N-Channel |
на замовлення 17644 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMN2004DWK-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 390mA; Idm: 1.5A; 200mW; SOT363 Case: SOT363 Mounting: SMD On-state resistance: 0.9Ω Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.2W Gate charge: 0.95nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 1.5A Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.39A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
DMN2004DWK-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 390mA; Idm: 1.5A; 200mW; SOT363 Case: SOT363 Mounting: SMD On-state resistance: 0.9Ω Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.2W Gate charge: 0.95nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 1.5A Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.39A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar |
товар відсутній |