![DMN1001UCA10-7 DMN1001UCA10-7](https://export.farnell.com/productimages/standard/en_GB/3405233-40.jpg)
DMN1001UCA10-7 DIODES INC.
![DMN1001UCA10.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: DIODES INC. - DMN1001UCA10-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 12 V, 20 A, 20 A, 0.00319 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.00319ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: X2-TSN1820
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.00319ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 22.31 грн |
500+ | 17.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN1001UCA10-7 DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN1001UCA10-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 12 V, 20 A, 20 A, 0.00319 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.00319ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: X2-TSN1820, Anzahl der Pins: 10Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.00319ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції DMN1001UCA10-7 за ціною від 17.28 грн до 87.43 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
DMN1001UCA10-7 | Виробник : DIODES INC. |
![]() tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.00319ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V euEccn: NLR Bauform - Transistor: X2-TSN1820 Anzahl der Pins: 10Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.00319ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
DMN1001UCA10-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 10-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1W Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2865pF @ 6V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.55mOhm @ 5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 4V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 870µA Supplier Device Package: X2-TSN1820-10 |
на замовлення 111000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DMN1001UCA10-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() |
на замовлення 1196 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DMN1001UCA10-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 10-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1W Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2865pF @ 6V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.55mOhm @ 5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 4V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 870µA Supplier Device Package: X2-TSN1820-10 |
на замовлення 113989 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DMN1001UCA10-7 | Виробник : Diodes Inc |
![]() |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
DMN1001UCA10-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 12V; 16A; Idm: 90A; 2.4W Mounting: SMD Power dissipation: 2.4W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 29nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 90A Case: X2-TSN1820-10 Drain-source voltage: 12V Drain current: 16A On-state resistance: 6.9mΩ Type of transistor: N-MOSFET x2 кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
DMN1001UCA10-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 12V; 16A; Idm: 90A; 2.4W Mounting: SMD Power dissipation: 2.4W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 29nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 90A Case: X2-TSN1820-10 Drain-source voltage: 12V Drain current: 16A On-state resistance: 6.9mΩ Type of transistor: N-MOSFET x2 |
товар відсутній |