Продукція > BSZ
Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BSZ-1 | Neutrik | Phone Connectors Colored boot - Easycon -Brown | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ009NE2LS5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 39A/40A TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 12 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ009NE2LS5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 39A/40A TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 12 V | на замовлення 9540 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ009NE2LS5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET TRENCH <= 40V | на замовлення 4404 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ010NE2LS5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 32A/40A TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-34 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 12 V | на замовлення 3638 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ010NE2LS5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 25V 32A T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ010NE2LS5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET TRENCH <= 40V | на замовлення 2165 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ010NE2LS5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSZ010NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 800 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 69W Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 11491 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ010NE2LS5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 32A/40A TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-34 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 12 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ011NE2LS5IATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET TRENCH <= 40V | на замовлення 4513 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ011NE2LS5IATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSZ011NE2LS5IATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 820 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 69W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 69W Bauform - Transistor: TSDSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 820µohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 820µohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ011NE2LS5IATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 35A/40A TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-34 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 12 V | на замовлення 9909 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ011NE2LS5IATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSZ011NE2LS5IATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 820 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 69W Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 820µohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ011NE2LS5IATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 35A/40A TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-34 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 12 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ013NE2LS5IATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 32A/40A TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 12 V | на замовлення 35411 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ013NE2LS5IATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET TRENCH <= 40V | на замовлення 3734 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ013NE2LS5IATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 32A/40A TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 12 V | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ014NE2LS5IFATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 31A/40A TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 20A, 10V FET Feature: Schottky Diode (Body) Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 12 V | на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ014NE2LS5IFATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8 Mounting: SMD On-state resistance: 1.45mΩ Gate-source voltage: ±16V Power dissipation: 69W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 5 Drain current: 40A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 25V Type of transistor: N-MOSFET Case: PG-TSDSON-8 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ014NE2LS5IFATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N | на замовлення 503 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ014NE2LS5IFATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 25V 31A 8-Pin TSDSON EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ014NE2LS5IFATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 31A/40A TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 20A, 10V FET Feature: Schottky Diode (Body) Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 12 V | на замовлення 47140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ014NE2LS5IFATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 25V 31A 8-Pin TSDSON EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ014NE2LS5IFATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8 Mounting: SMD On-state resistance: 1.45mΩ Gate-source voltage: ±16V Power dissipation: 69W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 5 Drain current: 40A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 25V Type of transistor: N-MOSFET Case: PG-TSDSON-8 кількість в упаковці: 5000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ017NE2LS5IATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 27A/40A TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 12 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ017NE2LS5IATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET TRENCH <= 40V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 940-949 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ017NE2LS5IATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 27A/40A TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 12 V | на замовлення 9200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ018N04LS6ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 27A 8-Pin TSDSON EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ018N04LS6ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 27A/40A TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 20 V | на замовлення 3049 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ018N04LS6ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 27A 8-Pin TSDSON EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ018N04LS6ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSZ018N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0016 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 9795 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ018N04LS6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N | на замовлення 54475 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ018N04LS6ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 27A/40A TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 20 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ018N04LS6ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 27A 8-Pin TSDSON EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ018N04LS6ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSZ018N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0016 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 83W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: TSDSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0016ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 9795 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ018NE2LS | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 25V 40A TDSON-8 OptiMOS | на замовлення 3666 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ018NE2LS | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 23A TSDSON-8 | на замовлення 22633 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BSZ018NE2LS | Infineon technologies | на замовлення 30 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BSZ018NE2LS | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 23A TSDSON-8 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BSZ018NE2LS | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 23A TSDSON-8 | на замовлення 22633 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BSZ018NE2LSATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 23A/40A TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 12 V | на замовлення 12791 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ018NE2LSATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSZ018NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 153 A, 0.0018 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 153A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 69W Bauform - Transistor: TSDSON-FL Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 12673 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ018NE2LSATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8 Mounting: SMD On-state resistance: 1.8mΩ Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 69W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ Drain current: 40A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 25V Type of transistor: N-MOSFET Case: PG-TSDSON-8 кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 4974 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ018NE2LSATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 25V 23A 8-Pin TSDSON EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ018NE2LSATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 23A/40A TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 12 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ018NE2LSATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSZ018NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 153 A, 0.0018 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 153A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 69W Bauform - Transistor: TSDSON-FL Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 12673 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ018NE2LSATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 25V 23A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ018NE2LSATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8 Mounting: SMD On-state resistance: 1.8mΩ Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 69W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ Drain current: 40A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 25V Type of transistor: N-MOSFET Case: PG-TSDSON-8 | на замовлення 4974 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ018NE2LSATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 25V 23A 8-Pin TSDSON EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ018NE2LSI | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 25V 40A TSDSON-8 OptiMOS | на замовлення 65864 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ018NE2LSIATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 25V 22A 8-Pin TSDSON EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ018NE2LSIATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 25V 22A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ018NE2LSIATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 22A/40A TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 12 V | на замовлення 24986 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ018NE2LSIATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET TRENCH <= 40V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ018NE2LSIATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSZ018NE2LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 0.0015 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 69W Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 11961 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ018NE2LSIATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8 Technology: OptiMOS™ Case: PG-TSDSON-8 Mounting: SMD On-state resistance: 1.8mΩ Power dissipation: 69W Drain current: 40A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 25V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Polarisation: unipolar | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ018NE2LSIATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 25V 22A 8-Pin TSDSON EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ018NE2LSIATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 22A/40A TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 12 V | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ018NE2LSIATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSZ018NE2LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 0.0015 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 69W Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 11961 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ018NE2LSIATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8 Technology: OptiMOS™ Case: PG-TSDSON-8 Mounting: SMD On-state resistance: 1.8mΩ Power dissipation: 69W Drain current: 40A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 25V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ018NE2LSIXT | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 25V 40A TSDSON-8 OptiMOS | на замовлення 1189 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ019N03LS | Infineon technologies | на замовлення 3 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BSZ019N03LS | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS | на замовлення 14139 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ019N03LSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS | на замовлення 17322 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ019N03LSATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin TSDSON EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ019N03LSATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 22A . 40A TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta). 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V | на замовлення 89368 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ019N03LSATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSZ019N03LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 149 A, 0.0019 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 149A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 69W Bauform - Transistor: TSDSON-FL Produktpalette: OptiMOS Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 4969 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ019N03LSATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ019N03LSATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 22A . 40A TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta). 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V | на замовлення 80000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ019N03LSATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSZ019N03LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 149 A, 0.0019 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 149A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 69W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 69W Bauform - Transistor: TSDSON-FL Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0016ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 4969 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ019N03LSATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Case: PG-TSDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 69W Technology: OptiMOS™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V Drain current: 40A On-state resistance: 1.9mΩ кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ019N03LSATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Case: PG-TSDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 69W Technology: OptiMOS™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V Drain current: 40A On-state resistance: 1.9mΩ | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ021N04LS6ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 25A 8-Pin TSDSON EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ021N04LS6ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 25A/40A TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-34 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 20 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ021N04LS6ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSZ021N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 147 A, 0.0018 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 147A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: TSDSON-FL Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 16325 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ021N04LS6ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 25A/40A TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-34 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 20 V | на замовлення 12136 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ021N04LS6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N | на замовлення 12429 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ021N04LS6ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSZ021N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 147 A, 0.0018 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 147A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 83W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: TSDSON-FL Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 16325 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ023N04LSATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 22A/40A TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.35mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2630 pF @ 20 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ023N04LSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 40V 40A TSDSON-8 FL | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ023N04LSATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin TSDSON EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ023N04LSATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 22A/40A TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.35mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2630 pF @ 20 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ024N04LS6 | Infineon Technologies | MOSFET TRENCH <= 40V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ024N04LS6ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 24A/40A TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 20 V | на замовлення 88781 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ024N04LS6ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 24A 8-Pin TSDSON EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ024N04LS6ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 24A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 200000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ024N04LS6ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSZ024N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 130 A, 0.0021 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 130A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: TSDSON-FL Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 39113 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ024N04LS6ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 24A/40A TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 20 V | на замовлення 85000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ024N04LS6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N | на замовлення 7785 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ024N04LS6ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 24A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 4818 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ024N04LS6ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 24A 8-Pin TSDSON EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ024N04LS6ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSZ024N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 130 A, 0.0021 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 130A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: TSDSON-FL Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 39113 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ025N04LS | Infineon Technologies | MOSFETs MV POWER MOS | на замовлення 5904 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ025N04LSATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 22A/40A TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3680 pF @ 20 V | на замовлення 7392 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ025N04LSATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 22A 8-Pin TSDSON EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ025N04LSATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 22A 8-Pin TSDSON EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ025N04LSATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSZ025N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.002 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 69W Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 23844 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ025N04LSATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Power dissipation: 69W Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 2.5mΩ Drain current: 40A Technology: OptiMOS™ Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 40V Gate-source voltage: ±20V Case: PG-TSDSON-8 кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ025N04LSATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Power dissipation: 69W Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 2.5mΩ Drain current: 40A Technology: OptiMOS™ Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 40V Gate-source voltage: ±20V Case: PG-TSDSON-8 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ025N04LSATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 22A/40A TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3680 pF @ 20 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ025N04LSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs MV POWER MOS | на замовлення 17383 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ025N04LSATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 22A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ028N04LS | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH <= 40V | на замовлення 1157 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ028N04LSATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ028N04LSATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ028N04LSATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSZ028N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0022 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 63W Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 4095 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ028N04LSATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 20A; 50W; PG-TSDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 20A Power dissipation: 50W Case: PG-TSDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.8mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ028N04LSATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 20A; 50W; PG-TSDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 20A Power dissipation: 50W Case: PG-TSDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.8mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ028N04LSATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 21A/40A TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 63W (Tc) Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 20 V | на замовлення 13954 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ028N04LSATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ028N04LSATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSZ028N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0022 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 63W Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 4095 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ028N04LSATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 21A/40A TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 63W (Tc) Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 20 V | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ028N04LSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N | на замовлення 3539 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ031NE2LS5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 19A/40A TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 12 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ031NE2LS5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSZ031NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 0.0026 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 30W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0026ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 14001 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ031NE2LS5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET TRENCH <= 40V | на замовлення 47 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ031NE2LS5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 19A/40A TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 12 V | на замовлення 6325 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ031NE2LS5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSZ031NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 0.0026 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 30W Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 14001 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ033NE2LS5 | Infineon Technologies | MOSFET TRENCH <= 40V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ033NE2LS5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 18A/40A TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 12 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ033NE2LS5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ033NE2LS5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ033NE2LS5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET TRENCH <= 40V | на замовлення 28976 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ033NE2LS5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ033NE2LS5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 18A/40A TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 12 V | на замовлення 18 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ033NE2LS5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ034N04LS | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH <= 40V | на замовлення 11275 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ034N04LSATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ034N04LSATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 19A/40A TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 20 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ034N04LSATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSZ034N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0027 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 10949 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ034N04LSATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 52W; PG-TSDSON-8 Mounting: SMD Case: PG-TSDSON-8 Drain-source voltage: 40V Drain current: 40A On-state resistance: 3.4mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 52W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ034N04LSATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 52W; PG-TSDSON-8 Mounting: SMD Case: PG-TSDSON-8 Drain-source voltage: 40V Drain current: 40A On-state resistance: 3.4mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 52W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ034N04LSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N | на замовлення 21255 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ034N04LSATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 19A/40A TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 20 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 27699 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ035N03LS | INFINEON | QFN | на замовлення 158 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BSZ035N03LS G | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3 | на замовлення 3448 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ035N03LS G | Infineon | QFN | на замовлення 365 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BSZ035N03LSGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 20A/40A 8TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 15 V | на замовлення 2552 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ035N03LSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8 Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 69W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Case: PG-TSDSON-8 Drain-source voltage: 30V Drain current: 40A On-state resistance: 3.5mΩ | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ035N03LSGATMA1 Код товару: 129555 | Транзистори > Польові N-канальні | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
BSZ035N03LSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8 Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 69W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Case: PG-TSDSON-8 Drain-source voltage: 30V Drain current: 40A On-state resistance: 3.5mΩ кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ035N03LSGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 20A/40A 8TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 15 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ035N03LSGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 5012 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ035N03MS | на замовлення 2080 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
BSZ035N03MS G | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M | на замовлення 8588 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ035N03MSG | Infineon technologies | на замовлення 18 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BSZ035N03MSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8 Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 69W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Case: PG-TSDSON-8 Drain-source voltage: 30V Drain current: 40A On-state resistance: 3.5mΩ кількість в упаковці: 5000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ035N03MSGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 18A/40A 8TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 15 V | на замовлення 11625 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ035N03MSGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ035N03MSGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 18A/40A 8TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 15 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ035N03MSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8 Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 69W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Case: PG-TSDSON-8 Drain-source voltage: 30V Drain current: 40A On-state resistance: 3.5mΩ | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ036NE2LS | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 25V 40A TDSON-8 OptiMOS | на замовлення 2695 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ036NE2LSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 25V 40A TDSON-8 OptiMOS | на замовлення 12617 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ036NE2LSATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 16A/40A TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 37W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 12 V | на замовлення 43705 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ036NE2LSATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | BSZ036NE2LSATMA1 SMD N channel transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ036NE2LSATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 16A/40A TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 37W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 12 V | на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ036NE2LSATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 25V 16A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ037N06LS5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 18A/40A TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 30 V | на замовлення 9960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ037N06LS5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 18A T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ037N06LS5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 18A/40A TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 30 V | на замовлення 9960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ037N06LS5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET TRENCH 40<-<100V | на замовлення 14051 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ039N06NSATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 18A T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ039N06NSATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 18A/40A TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 36µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 30 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ039N06NSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N | на замовлення 8722 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ039N06NSATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 18A/40A TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 36µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 30 V | на замовлення 4120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ040N04LS G | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 40V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3 | на замовлення 31219 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ040N04LSG | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 4950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ040N04LSGATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSZ040N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0033 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 69W Bauform - Transistor: PG-TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 671 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ040N04LSGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 18A/40A 8TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 36µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 20 V | на замовлення 7969 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ040N04LSGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ040N04LSGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ040N04LSGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 20302 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ040N04LSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 40A Power dissipation: 69W Case: PG-TSDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 3354 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ040N04LSGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 18A/40A 8TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 36µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 20 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ040N04LSGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ040N04LSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 40A Power dissipation: 69W Case: PG-TSDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced | на замовлення 3354 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ040N04LSGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 40V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3 | на замовлення 10021 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ040N04LSGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 4750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ040N04LSGATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSZ040N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0033 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 69W Bauform - Transistor: PG-TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 671 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ040N04LSGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ040N04LSGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ040N04LSGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ040N06LS5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs MV POWER MOS | на замовлення 90062 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ040N06LS5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSZ040N06LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0033 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 69W Bauform - Transistor: TSDSON-FL Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 14785 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ040N06LS5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 30 V | на замовлення 73340 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ040N06LS5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 30 V | на замовлення 65000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ040N06LS5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 17A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ042N04NS | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ042N04NS G | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ042N04NS G | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 40V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ042N04NSG | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 40A TO220AB | на замовлення 47574 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BSZ042N04NSGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ042N04NSGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ042N04NSGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8 | на замовлення 41363 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BSZ042N06NS | Infineon | на замовлення 4850 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BSZ042N06NS | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 60V 40A TDSON-8 | на замовлення 3664 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ042N06NSATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 17A/40A TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 36µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ042N06NSATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ042N06NSATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; 50W; PG-TSDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 20A Power dissipation: 50W Case: PG-TSDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.2mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ042N06NSATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ042N06NSATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 17A/40A TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 36µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V | на замовлення 10105 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ042N06NSATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ042N06NSATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; 50W; PG-TSDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 20A Power dissipation: 50W Case: PG-TSDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.2mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ042N06NSATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 6405 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ042N06NSATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSZ042N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0034 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 69W Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 110911 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ042N06NSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 60V 40A TDSON-8 | на замовлення 47406 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ049N03LSCGATMA1 | Rochester Electronics, LLC | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BSZ0500NSIATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 30A/40A TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 15 V | на замовлення 9990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ0500NSIATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET TRENCH <= 40V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 310-319 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ0500NSIATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 30A/40A TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 15 V | на замовлення 9990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ0501NSIATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 25A/40A TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 15 V | на замовлення 9125 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ0501NSIATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSZ0501NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0017 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Anzahl der Pins: 8Pins productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm | на замовлення 9635 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ0501NSIATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET TRENCH <= 40V | на замовлення 1959 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ0501NSIATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 25A/40A TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 15 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ0501NSIATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSZ0501NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0017 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Anzahl der Pins: 8Pins productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm | на замовлення 9635 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ0501NSIATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin TSDSON EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ0502NSIATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin TSDSON EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ0502NSIATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 22A 8SON | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ0502NSIATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET TRENCH <= 40V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ0503NSIATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin TSDSON EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ0503NSIATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 20A/40A TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ0503NSIATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSZ0503NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 82 A, 0.0028 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 82A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 36W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 36W Bauform - Transistor: TSDSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0028ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2912 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ0503NSIATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N | на замовлення 12395 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ0503NSIATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin TSDSON EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ0503NSIATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSZ0503NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 82 A, 0.0028 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 82A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 36W Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2912 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ0503NSIATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 20A/40A TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V | на замовлення 4516 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ0503NSIATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ0503NSIATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin TSDSON EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ0506NSATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 27W; PG-TSDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 40A Power dissipation: 27W Case: PG-TSDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.4mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ0506NSATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 15A/40A TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 27W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 15 V | на замовлення 65000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ0506NSATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSZ0506NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0035 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 27W Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 7501 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ0506NSATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ0506NSATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 27W; PG-TSDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 40A Power dissipation: 27W Case: PG-TSDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.4mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ0506NSATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSZ0506NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0035 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 27W Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 7501 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ0506NSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N | на замовлення 29724 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ0506NSATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 15A/40A TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 27W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 15 V | на замовлення 71426 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ050N03LS G | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3 | на замовлення 8687 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ050N03LSG | Infineon Technologies | Description: BSZ050N03 - 12V-300V N-CHANNEL P Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ050N03LSGATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSZ050N03LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0042 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: PG-TSDSON Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 19100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ050N03LSGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3 | на замовлення 6340 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ050N03LSGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ050N03LSGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 16A/40A 8TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ050N03LSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 50W; PG-TSDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 40A Power dissipation: 50W Case: PG-TSDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ050N03LSGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 16A/40A 8TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V | на замовлення 7777 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ050N03LSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 50W; PG-TSDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 40A Power dissipation: 50W Case: PG-TSDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ050N03MS G | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M | на замовлення 9758 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ050N03MSG | Infineon Technologies | Description: BSZ050N03 - 12V-300V N-CHANNEL P | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ050N03MSG | Infineon technologies | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BSZ050N03MSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 48W; PG-TSDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 40A Power dissipation: 48W Case: PG-TSDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ050N03MSGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 15A/40A 8TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 15 V | на замовлення 9638 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ050N03MSGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ050N03MSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 48W; PG-TSDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 40A Power dissipation: 48W Case: PG-TSDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ050N03MSGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 15A/40A 8TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 15 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ0589NSATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 17A TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 15 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ0589NSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH <= 40V | на замовлення 5962 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ0589NSATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 17A TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 15 V | на замовлення 5555 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ058N03LS G | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3 | на замовлення 157 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ058N03LSG | Infineon technologies | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BSZ058N03LSG | INFINEON | 0950+ TSDSON-8 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BSZ058N03LSGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 35000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ058N03LSGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 15A/40A 8TSDSON | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ058N03LSGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3 | на замовлення 2989 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ058N03LSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 48W; PG-TSDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 40A Power dissipation: 48W Case: PG-TSDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.8mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ058N03LSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 48W; PG-TSDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 40A Power dissipation: 48W Case: PG-TSDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.8mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 5000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ058N03LSGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 15A/40A 8TSDSON | на замовлення 414 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BSZ058N03MS G | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M | на замовлення 1159 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BSZ058N03MS G | Infineon | QFN | на замовлення 92 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BSZ058N03MSG | infineon | 08+ | на замовлення 40000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BSZ058N03MSG | Infineon Technologies | Description: BSZ058N03 - 12V-300V N-CHANNEL P Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 15 V | на замовлення 11233 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ058N03MSGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 14A/40A 8TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 15 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ058N03MSGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 14A/40A 8TSDSON Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 15 V | на замовлення 45081 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ058N03MSGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 14A/40A 8TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 15 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ058N03MSGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin TSDSON EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ058N03MSGXT | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ0602LSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET TRENCH 40<-<100V | на замовлення 4411 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ0602LSATMA1 | Infineon Technologies | SP001589450 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ0602LSATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 80V 13A/40A TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 40 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ0602LSATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 80V 13A/40A TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 40 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ060NE2LS | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 25V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ060NE2LS | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 25V 40A TDSON-8 OptiMOS | на замовлення 40761 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ060NE2LSATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 25V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ060NE2LSATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 12A/40A TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 26W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 12 V | на замовлення 50000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ060NE2LSATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 25V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ060NE2LSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 25V 40A TDSON-8 OptiMOS | на замовлення 67432 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ060NE2LSATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 25V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ060NE2LSATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 12A/40A TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 26W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 12 V | на замовлення 53049 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ060NE2LSATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 25V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ063N04LS6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET TRENCH <= 40V | на замовлення 177127 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ063N04LS6ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSZ063N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0051 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 38W Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0051ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 28529 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ063N04LS6ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 15A/40A TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 20 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ063N04LS6ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSZ063N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0051 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 38W Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0051ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 28529 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ063N04LS6ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 15A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ063N04LS6ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 15A/40A TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 20 V | на замовлення 12518 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ065N03LS Код товару: 148978 | Транзистори > Польові N-канальні | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
BSZ065N03LS | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS | на замовлення 5883 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ065N03LS | Infineon | QFN | на замовлення 792 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BSZ065N03LSATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 12A/40A TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 26W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 15 V | на замовлення 20741 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ065N03LSATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 2557 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ065N03LSATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 26W; PG-TSDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 40A Power dissipation: 26W Case: PG-TSDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.5mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ065N03LSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS | на замовлення 4725 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ065N03LSATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 26W; PG-TSDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 40A Power dissipation: 26W Case: PG-TSDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.5mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 5000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ065N03LSATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ065N03LSATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSZ065N03LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0054 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 26W Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 794 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ065N03LSATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 12A/40A TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 26W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 15 V | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ065N03LSATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ065N03LSATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSZ065N03LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0054 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 26W Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 794 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ065N03LSATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ065N06LS5 | Infineon / IR | MOSFET TRENCH 40<-<100V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ065N06LS5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 46W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 20µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 30 V | на замовлення 9567 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ065N06LS5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 14900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ065N06LS5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs MV POWER MOS | на замовлення 6295 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ065N06LS5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TSDSON EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ065N06LS5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSZ065N06LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0054 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 46W Bauform - Transistor: TSDSON-FL Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 11272 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ065N06LS5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 46W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 20µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 30 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ065N06LS5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TSDSON EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ065N06LS5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSZ065N06LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0054 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 46W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 46W Bauform - Transistor: TSDSON-FL Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0054ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 11272 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ067N06LS3 G | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 60V 20A TSDSON-8 OptiMOS 3 | на замовлення 4720 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ067N06LS3G | Infineon technologies | на замовлення 650 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BSZ067N06LS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TSDSON EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ067N06LS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TSDSON EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ067N06LS3GATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSZ067N06LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.005 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 69W Bauform - Transistor: PG-TSDSON Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 39631 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ067N06LS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ067N06LS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; 69W; PG-TSDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 20A Power dissipation: 69W Case: PG-TSDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.7mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ067N06LS3GATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 14A/20A 8TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 30 V | на замовлення 16416 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ067N06LS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ067N06LS3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 60V 20A TSDSON-8 OptiMOS 3 | на замовлення 8288 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ067N06LS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 30390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ067N06LS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; 69W; PG-TSDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 20A Power dissipation: 69W Case: PG-TSDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.7mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ067N06LS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 10001 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ067N06LS3GATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 14A/20A 8TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 30 V | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ068N06NS | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH 40<-<100V | на замовлення 5217 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ068N06NS | Infineon | на замовлення 400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BSZ068N06NSATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 46W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 20µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 30 V | на замовлення 4680 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BSZ068N06NSATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 63A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 30990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ068N06NSATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 40A; 46W; PG-TSDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 40A Power dissipation: 46W Case: PG-TSDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.8mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ068N06NSATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSZ068N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0056 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 46W Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0056ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 5511 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ068N06NSATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 63A 8-Pin TSDSON EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ068N06NSATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 40A; 46W; PG-TSDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 40A Power dissipation: 46W Case: PG-TSDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.8mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ068N06NSATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 63A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ068N06NSATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 46W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 20µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 30 V | на замовлення 4769 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ068N06NSATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 63A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ068N06NSATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 63A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ068N06NSATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSZ068N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0056 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 46W Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0056ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 5511 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ068N06NSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N | на замовлення 3696 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ068N06NSATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 63A 8-Pin TSDSON EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ0702LSATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 17A/40A TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 30 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ0702LSATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 17A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BSZ0702LSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET TRENCH 40<-<100V | на замовлення 20117 шт: термін постачання 322-331 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ0702LSATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 17A/40A TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 30 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ0703LSATMA1 | Infineon Technologies | DIFFERENTIATED MOSFETS | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ0703LSATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 46W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 20µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-26 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 30 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ0703LSATMA1 | Infineon Technologies | BSZ0703LSATMA1 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ0703LSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS | на замовлення 3960 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ0703LSATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 46W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 20µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-26 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 30 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ0704LSATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 11A/40A TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 14µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 30 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ0704LSATMA1 | Infineon Technologies | SP001614102 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ0704LSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET TRENCH 40<-<100V | на замовлення 44915 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ0704LSATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 11A/40A TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 14µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 30 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ070N08LS5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ070N08LS5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ070N08LS5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N | на замовлення 27526 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ070N08LS5ATMA1 | Infineon | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BSZ070N08LS5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ070N08LS5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 40 V | на замовлення 3785 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ070N08LS5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ070N08LS5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSZ070N08LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 74 A, 0.007 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 74A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 69W Bauform - Transistor: TSDSON-FL Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2959 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ070N08LS5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 6290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ070N08LS5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 40 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ070N08LS5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ070N08LS5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSZ070N08LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 74 A, 0.007 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 74A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 69W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 69W Bauform - Transistor: TSDSON-FL Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0059ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2959 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ075N08NS5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSZ075N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 0.0062 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 69W Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 22973 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ075N08NS5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 80V 40A 8TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 36µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-26 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 40 V | на замовлення 65072 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ075N08NS5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 40A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ075N08NS5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 80V 40A TSDSON-8 | на замовлення 72885 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ075N08NS5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 40A Power dissipation: 69W Case: PG-TSDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.5mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 5000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ075N08NS5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 40A Power dissipation: 69W Case: PG-TSDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.5mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ075N08NS5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 80V 40A 8TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 36µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-26 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 40 V | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ076N06NS3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 60V 20A TDSON-8 OptiMOS 3 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ076N06NS3G | Infineon Technologies | Description: OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 30 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ076N06NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 20A 8-Pin TSDSON EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ076N06NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 20A 8TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 30 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ076N06NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 20A 8TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 30 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ0803LSATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSZ0803LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.0124 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: TSDSON-FL Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ0803LSATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 9A/40A TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 23µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 50 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ0803LSATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSZ0803LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.0124 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: TSDSON-FL Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ0803LSATMA1 | Infineon Technologies | SP001614108 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ0803LSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET TRENCH >=100V | на замовлення 4953 шт: термін постачання 301-310 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ0803LSATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 9A/40A TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 23µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 50 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ0804LSATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 11A/40A TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 50 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ0804LSATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ0804LSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET TRENCH >=100V | на замовлення 4884 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ0804LSATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 11A/40A TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 50 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ084N08NS5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 80V 40A TSDSON-8 | на замовлення 16381 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ084N08NS5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 31µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 40 V | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ084N08NS5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; 63W; PG-TSDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 40A Power dissipation: 63W Case: PG-TSDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8.4mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ084N08NS5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; 63W; PG-TSDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 40A Power dissipation: 63W Case: PG-TSDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8.4mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ084N08NS5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSZ084N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 0.0071 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 63W Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 127604 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ084N08NS5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 31µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 40 V | на замовлення 34017 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ084N08NS5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSZ084N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 0.0071 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 63W Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 127604 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ084N08NS5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 40A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ086P03NS3 G | Infineon Technologies | MOSFET P-Ch -30V 13.5A TSDSON-8 OptiMOS P3 | на замовлення 8551 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ086P03NS3E G | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -30V 13.5A TSDSON-8 OptiMOS P3 | на замовлення 2856 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ086P03NS3EG | Infineon technologies | на замовлення 409 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BSZ086P03NS3EGATMA | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -40A; 69W; PG-TSDSON-8 Technology: OptiMOS™ P3 Mounting: SMD Case: PG-TSDSON-8 Power dissipation: 69W Polarisation: unipolar Drain current: -40A Drain-source voltage: -30V Kind of channel: enhanced Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 8.6mΩ | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ086P03NS3EGATMA | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -40A; 69W; PG-TSDSON-8 Technology: OptiMOS™ P3 Mounting: SMD Case: PG-TSDSON-8 Power dissipation: 69W Polarisation: unipolar Drain current: -40A Drain-source voltage: -30V Kind of channel: enhanced Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 8.6mΩ кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ086P03NS3EGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 13.5A/40A TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 105µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4785 pF @ 15 V | на замовлення 16517 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ086P03NS3EGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 13.5A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BSZ086P03NS3EGATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSZ086P03NS3EGATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0065 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.1W Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 32831 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ086P03NS3EGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 13.5A/40A TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 105µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4785 pF @ 15 V | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ086P03NS3EGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 13.5A 8-Pin TSDSON EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ086P03NS3EGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 13.5A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ086P03NS3EGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 13.5A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ086P03NS3EGATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSZ086P03NS3EGATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0065 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.1W Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 32831 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ086P03NS3EGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -30V 13.5A TSDSON-8 OptiMOS P3 | на замовлення 8708 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ086P03NS3EGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 13.5A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ086P03NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -40A; 52W; PG-TSDSON-8 Technology: OptiMOS™ P3 Mounting: SMD Case: PG-TSDSON-8 Power dissipation: 52W Polarisation: unipolar Drain current: -40A Drain-source voltage: -30V Kind of channel: enhanced Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 8.6mΩ кількість в упаковці: 5000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ086P03NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 13.5A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ086P03NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 13.5A/40A TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 105µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4785 pF @ 15 V | на замовлення 5541 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ086P03NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 13.5A 8-Pin TSDSON EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ086P03NS3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -30V 13.5A TSDSON-8 OptiMOS P3 | на замовлення 4971 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ086P03NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 13.5A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ086P03NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 13.5A/40A TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 105µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4785 pF @ 15 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ086P03NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -40A; 52W; PG-TSDSON-8 Technology: OptiMOS™ P3 Mounting: SMD Case: PG-TSDSON-8 Power dissipation: 52W Polarisation: unipolar Drain current: -40A Drain-source voltage: -30V Kind of channel: enhanced Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 8.6mΩ | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ086P03NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 13.5A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ086P03NS3GXT | Infineon Technologies | MOSFET P-Ch -30V 13.5A TSDSON-8 OptiMOS P3 | на замовлення 2539 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ088N03LS G | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3 | на замовлення 4935 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ088N03LS G Код товару: 177892 | Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1 | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
BSZ088N03LS G | Infineon | на замовлення 40000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BSZ088N03LSG | infineon | 08+ | на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BSZ088N03LSG | Infineon Technologies | Description: BSZ088N03 - 12V-300V N-CHANNEL P Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ088N03LSG | Infineon technologies | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BSZ088N03LSGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 12A/40A 8TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ088N03LSGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ088N03LSGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET TRENCH <= 40V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ088N03LSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 35W; PG-TSDSON-8 Technology: OptiMOS™ 3 Mounting: SMD Case: PG-TSDSON-8 Power dissipation: 35W Polarisation: unipolar Drain current: 40A Drain-source voltage: 30V Kind of channel: enhanced Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8.8mΩ | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ088N03LSGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 12A/40A 8TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ088N03LSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 35W; PG-TSDSON-8 Technology: OptiMOS™ 3 Mounting: SMD Case: PG-TSDSON-8 Power dissipation: 35W Polarisation: unipolar Drain current: 40A Drain-source voltage: 30V Kind of channel: enhanced Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8.8mΩ кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ088N03LSGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ088N03LSGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ088N03MS G | Infineon | QFN | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BSZ088N03MS G | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M | на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BSZ088N03MSG | Infineon Technologies | Description: BSZ088N03 - 12V-300V N-CHANNEL P Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ088N03MSG | Infineon technologies | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BSZ088N03MSGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 11A/40A 8TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ088N03MSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 35W; PG-TSDSON-8 Technology: OptiMOS™ 3 Mounting: SMD Case: PG-TSDSON-8 Power dissipation: 35W Polarisation: unipolar Drain current: 40A Drain-source voltage: 30V Kind of channel: enhanced Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8.8mΩ кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ088N03MSGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ088N03MSGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 11A/40A 8TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ088N03MSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 35W; PG-TSDSON-8 Technology: OptiMOS™ 3 Mounting: SMD Case: PG-TSDSON-8 Power dissipation: 35W Polarisation: unipolar Drain current: 40A Drain-source voltage: 30V Kind of channel: enhanced Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8.8mΩ | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ0901NS | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS | на замовлення 7731 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ0901NS | Infineon technologies | на замовлення 90 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BSZ0901NSATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 22A/40A 8TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 15 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ0901NSATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSZ0901NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0017 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 4960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ0901NSATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 50W; PG-TSDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 40A Power dissipation: 50W Case: PG-TSDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ0901NSATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 50W; PG-TSDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 40A Power dissipation: 50W Case: PG-TSDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ0901NSATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 22A/40A 8TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 15 V | на замовлення 3466 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ0901NSATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSZ0901NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0017 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 4960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ0901NSATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin TSDSON EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ0901NSI | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS | на замовлення 2828 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ0901NSI | Infineon technologies | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BSZ0901NSIATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 40A Power dissipation: 69W Case: PG-TSDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.1mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ0901NSIATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSZ0901NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0018 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 69W Anzahl der Pins: 8Pins productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm | на замовлення 4278 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ0901NSIATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 25A/40A TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 20A, 10V FET Feature: Schottky Diode (Body) Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 15 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ0901NSIATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSZ0901NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0018 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 69W Anzahl der Pins: 8Pins productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm | на замовлення 4278 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ0901NSIATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ0901NSIATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 40A Power dissipation: 69W Case: PG-TSDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.1mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ0901NSIATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 25A/40A TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 20A, 10V FET Feature: Schottky Diode (Body) Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 15 V | на замовлення 13596 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ0902NS | Infineon technologies | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BSZ0902NS | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS | на замовлення 14995 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ0902NSATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ0902NSATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 19A/40A TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V | на замовлення 51922 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ0902NSATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSZ0902NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0022 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 48W Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 7860 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ0902NSATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 4017 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ0902NSATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 4017 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ0902NSATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 19A/40A TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V | на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ0902NSATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 48W; PG-TSDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 40A Power dissipation: 48W Case: PG-TSDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.6mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ0902NSATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSZ0902NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0022 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 48W Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 7860 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ0902NSATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 48W; PG-TSDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 40A Power dissipation: 48W Case: PG-TSDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.6mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 5000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ0902NSATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ0902NSI | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS | на замовлення 11156 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ0902NSI Код товару: 153067 | Транзистори > Польові N-канальні | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
BSZ0902NSI | Infineon technologies | на замовлення 6349 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BSZ0902NSIATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 48W; PG-TSDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 40A Power dissipation: 48W Case: PG-TSDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.8mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 5000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ0902NSIATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ0902NSIATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ0902NSIATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 48W; PG-TSDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 40A Power dissipation: 48W Case: PG-TSDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.8mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ0902NSIATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 21A/40A TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ0902NSIATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSZ0902NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0023 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 48W Anzahl der Pins: 8Pins productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm | на замовлення 3478 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ0902NSIATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ0902NSIATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ0902NSIATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 21A/40A TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ0902NSIATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS | на замовлення 4695 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ0902NSIATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSZ0902NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0023 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 48W Anzahl der Pins: 8Pins productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm | на замовлення 3478 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ0904NSI | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS | на замовлення 4316 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ0904NSI | Infineon technologies | на замовлення 80 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BSZ0904NSIATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS | на замовлення 16472 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ0904NSIATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ0904NSIATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSZ0904NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0033 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 37W Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 1297 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ0904NSIATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ0904NSIATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ0904NSIATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 18A/40A TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V FET Feature: Schottky Diode (Body) Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 37W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1463 pF @ 15 V | на замовлення 7792 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ0904NSIATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ0904NSIATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSZ0904NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0033 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 37W Anzahl der Pins: 8Pins productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm | на замовлення 4202 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ0904NSIATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ0904NSIATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 18A/40A TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V FET Feature: Schottky Diode (Body) Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 37W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1463 pF @ 15 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ0905PNSATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 40A TDSON-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 69W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 105µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3190 pF @ 15 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ0905PNSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET TRENCH <= 40V | на замовлення 5260 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ0905PNSATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 40A TDSON-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 69W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 105µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3190 pF @ 15 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ0905PNSATMA1 | Infineon Technologies | AMPMODU (BREAK AWAY) | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ0907NDXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 11.1A/13.8A 8-Pin WISON EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ0909LSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET Power-Transistor | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ0909LSATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSZ0909LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0023 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: -mW Anzahl der Pins: 8Pins productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ0909LSATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 19A/40A TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ0909LSATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSZ0909LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0023 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: -mW Anzahl der Pins: 8Pins productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ0909LSATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 19A/40A TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V | на замовлення 4784 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ0909NDXTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2 N-CH 30V 20A WISON-8 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ0909NDXTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS | на замовлення 276 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ0909NDXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 8.1A 8-Pin WISON EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ0909NDXTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 30V 20A WISON-8 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ0909NDXTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 30V 20A WISON-8 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ0909NDXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 8.1A 8-Pin WISON EP T/R | на замовлення 361 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ0909NS | Infineon | QFN | на замовлення 217 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BSZ0909NS | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V 36A TDSON-8 OptiMOS | на замовлення 5071 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ0909NS | Infineon technologies | на замовлення 25 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BSZ0909NSATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 34V 9A/36A 8TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 34 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 15 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 | на замовлення 35000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ0909NSATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | BSZ0909NSATMA1 SMD N channel transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ0909NSATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 34V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ0909NSATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 34V 9A/36A 8TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 34 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 15 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 | на замовлення 41917 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ0910LSATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSZ0910LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0036 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 37W Anzahl der Pins: 8Pins productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm | на замовлення 4743 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ0910LSATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 18A/40A TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 37W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V | на замовлення 14356 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ0910LSATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ0910LSATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ0910LSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET TRENCH <= 40V | на замовлення 6867 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ0910LSATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ0910LSATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSZ0910LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0036 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 37W Anzahl der Pins: 8Pins productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm | на замовлення 4743 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ0910LSATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 18A/40A TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 37W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ0910LSATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 4910 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ0910LSATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 4910 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ0910NDXTMA1 | Infineon Technologies | Description: DIFFERENTIATED MOSFETS Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.9W (Ta), 31W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 25A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 9A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-WISON-8 Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ0910NDXTMA1 | Infineon Technologies | Description: DIFFERENTIATED MOSFETS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.9W (Ta), 31W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 25A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 9A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-WISON-8 Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ0910NDXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 11.1A 8-Pin WISON EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ0910NDXTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET TRENCH <= 40V | на замовлення 4791 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BSZ0911LSATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSZ0911LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0055 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: TSDSON-FL Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ0911LSATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 12A/40A TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 15 V | на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ0911LSATMA1 | Infineon Technologies | SP005424280 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ0911LSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET TRENCH <= 40V | на замовлення 13201 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ0911LSATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSZ0911LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0055 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: TSDSON-FL Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ0911LSATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 12A/40A TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 15 V | на замовлення 29980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ0945NDXTMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH <= 40V Packaging: Tape & Reel (TR) | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ0945NDXTMA1 | Infineon Technologies | BSZ0945NDXTMA1 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ096N10LS5 | Infineon Technologies | MOSFET TRENCH >=100V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ096N10LS5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 39A; Idm: 160A; 69W Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 39A Pulsed drain current: 160A Power dissipation: 69W Case: PG-TSDSON-8FL Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.6mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 5000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ096N10LS5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 50 V | на замовлення 10501 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ096N10LS5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ096N10LS5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 4800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ096N10LS5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 50 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ096N10LS5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ096N10LS5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET TRENCH >=100V | на замовлення 35945 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ096N10LS5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ096N10LS5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 39A; Idm: 160A; 69W Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 39A Pulsed drain current: 160A Power dissipation: 69W Case: PG-TSDSON-8FL Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.6mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ096N10LS5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 100000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ097N04LS G | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 40V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3 | на замовлення 197656 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ097N04LS G | Infineon | на замовлення 4970 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BSZ097N04LSGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 3596 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ097N04LSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 35W; PG-TSDSON-8 Drain-source voltage: 40V Drain current: 40A On-state resistance: 9.7mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 35W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: PG-TSDSON-8 кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 4954 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ097N04LSGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ097N04LSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 35W; PG-TSDSON-8 Drain-source voltage: 40V Drain current: 40A On-state resistance: 9.7mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 35W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: PG-TSDSON-8 | на замовлення 4954 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ097N04LSGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 12A/40A 8TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 20 V | на замовлення 9003 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ097N04LSGATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSZ097N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0081 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 35W Bauform - Transistor: PG-TSDSON Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0081ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 15280 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ097N04LSGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 12A/40A 8TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 20 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ097N04LSGATMA1 Код товару: 170565 | Транзистори > Польові N-канальні | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
BSZ097N04LSGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 40V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3 | на замовлення 38846 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ097N10NS5 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 100V 40A TSDSON-8 | на замовлення 21109 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ097N10NS5 | Infineon technologies | на замовлення 13 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BSZ097N10NS5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 8A/40A TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 36µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 50 V | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ097N10NS5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 40A Power dissipation: 69W Case: PG-TSDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.7mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ097N10NS5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 100V 40A TSDSON-8 | на замовлення 3826 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ097N10NS5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSZ097N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.0083 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 69W Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0083ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 15527 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ097N10NS5ATMA1 | Infineon Technologies | N-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 40; Ciss, пФ @ Uds, В = 2080 @ 50; Qg, нКл = 28; Rds = 9.7 мОм; Ugs(th) = 2,2 В; Р, Вт = 69 @ 25°C; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = SMD; TSDSON-8 | на замовлення 4 шт: термін постачання 3-4 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ097N10NS5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 8A/40A TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 36µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 50 V | на замовлення 11401 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ097N10NS5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 11A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ097N10NS5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSZ097N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.0083 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 69W Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0083ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 13869 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ097N10NS5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 40A Power dissipation: 69W Case: PG-TSDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.7mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 5000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ0994NSATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8TSDSON-25 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-25 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 15 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ0994NSATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ0994NSATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; 2.1W; PG-TSDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 13A Power dissipation: 2.1W Case: PG-TSDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 5.2nC Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ0994NSATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; 2.1W; PG-TSDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 13A Power dissipation: 2.1W Case: PG-TSDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 5.2nC Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ0994NSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET TRENCH <= 40V | на замовлення 4670 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ0994NSATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ0994NSATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8TSDSON-25 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-25 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 15 V | на замовлення 4978 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ099N06LS5 | Infineon Technologies | MOSFET TRENCH 40<-<100V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ099N06LS5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 12950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ099N06LS5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSZ099N06LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0083 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 36W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 36W Bauform - Transistor: TSDSON-FL Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0083ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0083ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 167930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ099N06LS5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 29A; 36W; PG-TSDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 29A Power dissipation: 36W Case: PG-TSDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 6.9nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 5000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ099N06LS5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 29A; 36W; PG-TSDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 29A Power dissipation: 36W Case: PG-TSDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 6.9nC Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ099N06LS5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 46A TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 14µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 30 V | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ099N06LS5ATMA1 Код товару: 165964 | Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
BSZ099N06LS5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ099N06LS5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ099N06LS5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSZ099N06LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0083 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 36W Bauform - Transistor: TSDSON-FL Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0083ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 167930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ099N06LS5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ099N06LS5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET TRENCH 40<-<100V | на замовлення 54496 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ099N06LS5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ099N06LS5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 46A TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 14µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 30 V | на замовлення 18360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
Bsz100 | HBE | Fuse: time-lag; glass type; current: 100mA; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: BK1/S506-100-R; 0218.100MXP; 179120.0,1; 0034.3107 Fuse: time-lag; 100mA Bsz100 кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 400 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
Bsz100 | HBE | Fuse: time-lag; glass type; current: 100mA; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: BK1/S506-100-R; 0218.100MXP; 179120.0,1; 0034.3107 Fuse: time-lag; 100mA Bsz100 кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 350 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ100N03LS | INFINEON | QFN | на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BSZ100N03LS G | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3 | на замовлення 4093 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ100N03LS G | Infineon | QFN | на замовлення 365 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BSZ100N03LSGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ100N03LSGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BSZ100N03LSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 36A; 30W; PG-TSDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 36A Power dissipation: 30W Case: PG-TSDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ100N03LSGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 12A/40A 8TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ100N03LSGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ100N03LSGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ100N03LSGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 12A/40A 8TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ100N03LSGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ100N03LSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 36A; 30W; PG-TSDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 36A Power dissipation: 30W Case: PG-TSDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ100N03LSGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ100N03MS G | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M | на замовлення 4875 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ100N03MS G | Infineon | QFN | на замовлення 91 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BSZ100N03MSG | Infineon technologies | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BSZ100N03MSGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 4995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ100N03MSGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ100N03MSGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 4995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ100N03MSGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 10A/40A 8TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V | на замовлення 14933 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ100N03MSGATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSZ100N03MSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0091 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: PG-TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 3 M productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0091ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 9893 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ100N03MSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; 30W; PG-TSDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 39A Power dissipation: 30W Case: PG-TSDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ100N03MSGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ100N03MSGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ100N03MSGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ100N03MSGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M | на замовлення 15175 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ100N03MSGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 10A/40A 8TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ100N03MSGATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSZ100N03MSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0091 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: PG-TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 3 M productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0091ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 9893 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ100N03MSGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ100N03MSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; 30W; PG-TSDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 39A Power dissipation: 30W Case: PG-TSDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ100N06LS3 G | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 60V 20A TSDSON-8 OptiMOS 3 | на замовлення 15568 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ100N06LS3 G | Infineon Technologies | N-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 11 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 3500 @ 30; Qg, нКл = 45 @ 10 В; Rds = 10 мОм @ 20 A, 10 В; Ugs(th) = 2,2 В @ 23 мкА; Р, Вт = 2,1 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; Id2 = 20 A; Ptot2, Вт = 50; PG-TSDSON-8 | на замовлення 2618 шт: термін постачання 3-4 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ100N06LS3G | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 4602 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ100N06LS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ100N06LS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; 50W; PG-TSDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 20A Power dissipation: 50W Case: PG-TSDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 5000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ100N06LS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ100N06LS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ100N06LS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ100N06LS3GATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 11A/20A 8TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 23µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 30 V | на замовлення 89518 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ100N06LS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ100N06LS3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 60V 20A TSDSON-8 OptiMOS 3 | на замовлення 28578 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ100N06LS3GATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 11A/20A 8TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 23µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 30 V | на замовлення 80000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ100N06LS3GATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSZ100N06LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.008 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: PG-TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 185343 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ100N06LS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; 50W; PG-TSDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 20A Power dissipation: 50W Case: PG-TSDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ100N06NS | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH 40<-<100V | на замовлення 18451 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ100N06NS | Infineon technologies | на замовлення 3650 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BSZ100N06NSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N | на замовлення 21903 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ100N06NSATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 14µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1075 pF @ 30 V | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ100N06NSATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSZ100N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0085 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 36W Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 1986 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ100N06NSATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 40A; 36W; PG-TSDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 40A Power dissipation: 36W Case: PG-TSDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 5000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ100N06NSATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 51778 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ100N06NSATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSZ100N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0085 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 36W Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 1986 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ100N06NSATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 40A; 36W; PG-TSDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 40A Power dissipation: 36W Case: PG-TSDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ100N06NSATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 14µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1075 pF @ 30 V | на замовлення 23041 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ100N06NSATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ100N06NSATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ100N06NSATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ105N04NS G | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ105N04NS G | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 40V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3 | на замовлення 4338 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BSZ105N04NSG | Infineon Technologies | Description: OPTLMOS POWER-MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 14µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 20 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ105N04NSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 29A; 35W; PG-TSDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 29A Power dissipation: 35W Case: PG-TSDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 13nC Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ105N04NSGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 11A/40A 8TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 14µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 20 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ105N04NSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 29A; 35W; PG-TSDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 29A Power dissipation: 35W Case: PG-TSDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 13nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ105N04NSGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 11A/40A 8TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 14µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 20 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ105N04NSGATMA2 | Infineon Technologies | OptiMOS 3 Power-Transistor | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ105N04NSGATMA2 | Infineon Technologies | Description: TRENCH <= 40V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 14µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 20 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ105N04NSGATMA2 | Infineon Technologies | MOSFETs N | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ105N04NSGATMA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ110N06NS3 G | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 60V 20A TSDSON-8 OptiMOS 3 | на замовлення 87151 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ110N06NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 20A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 3873 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ110N06NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 20A 8TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 23µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 30 V | на замовлення 9004 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ110N06NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 20A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 3873 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ110N06NS3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET TRENCH 40<-<100V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ110N06NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; Idm: 80A; 50W; PG-TSDSON-8 Drain-source voltage: 60V Drain current: 20A On-state resistance: 11mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 50W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 80A Mounting: SMD Case: PG-TSDSON-8 кількість в упаковці: 5000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ110N06NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 20A 8-Pin TSDSON EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ110N06NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 20A 8TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 23µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 30 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ110N06NS3GATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSZ110N06NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.009 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: PG-TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 817 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ110N06NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 20A 8-Pin TSDSON EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ110N06NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; Idm: 80A; 50W; PG-TSDSON-8 Drain-source voltage: 60V Drain current: 20A On-state resistance: 11mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 50W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 80A Mounting: SMD Case: PG-TSDSON-8 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ110N08NS5 | Infineon | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BSZ110N08NS5 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 51A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 14891 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ110N08NS5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 80V 40A TSDSON-8 | на замовлення 303 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ110N08NS5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 51A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ110N08NS5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 40A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ110N08NS5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 51A 8-Pin TSDSON EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ110N08NS5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSZ110N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 0.0096 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0096ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 13858 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ110N08NS5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; 50W; PG-TSDSON-8 Drain-source voltage: 80V Drain current: 40A On-state resistance: 11mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 50W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 5 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: PG-TSDSON-8 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ110N08NS5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 22µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 40 V | на замовлення 9973 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ110N08NS5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 51A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 25952 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ110N08NS5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; 50W; PG-TSDSON-8 Drain-source voltage: 80V Drain current: 40A On-state resistance: 11mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 50W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 5 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: PG-TSDSON-8 кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ110N08NS5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 51A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 2220 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ110N08NS5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 22µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 40 V | на замовлення 9930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ110N08NS5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSZ110N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 0.0096 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0096ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 15293 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ115N03MSCGATMA1 | Infineon Technologies | Old Part BSZ115N03MSCGXT^INFINEON | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ120P03NS3 G | Infineon | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BSZ120P03NS3 G | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -30V -40A TSDSON-8 OptiMOS P3 | на замовлення 8201 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ120P03NS3E G | Infineon Technologies | MOSFET P-Ch -30V -40A TSDSON-8 OptiMOS P3 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BSZ120P03NS3EG | Infineon technologies | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BSZ120P03NS3EGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 11A/40A 8TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 73µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3360 pF @ 15 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ120P03NS3EGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-Ch -30V -40A TSDSON-8 OptiMOS P3 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BSZ120P03NS3GATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSZ120P03NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 40 A, 0.009 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: PG-TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS P3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 1159 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ120P03NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 11A/40A 8TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 73µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3360 pF @ 15 V | на замовлення 28461 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ120P03NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ120P03NS3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-Ch -30V -40A TSDSON-8 OptiMOS P3 | на замовлення 28 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ120P03NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -40A; 52W; PG-TSDSON-8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: OptiMOS™ P3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -40A Power dissipation: 52W Case: PG-TSDSON-8 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 12mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 5000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ120P03NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 9970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ120P03NS3GATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSZ120P03NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 40 A, 0.009 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: PG-TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS P3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 1159 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ120P03NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 11A/40A 8TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 73µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3360 pF @ 15 V | на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ120P03NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ120P03NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -40A; 52W; PG-TSDSON-8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: OptiMOS™ P3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -40A Power dissipation: 52W Case: PG-TSDSON-8 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 12mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ123N08NS3 G | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 80V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3 | на замовлення 26830 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ123N08NS3 G | Infineon | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BSZ123N08NS3 G | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 10A 8-Pin TSDSON EP | на замовлення 2331 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ123N08NS3 G | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 10A 8-Pin TSDSON EP | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ123N08NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ123N08NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ123N08NS3GATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSZ123N08NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 0.0103 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 66W Bauform - Transistor: PG-TSDSON Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 21157 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ123N08NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 80V 10A/40A 8TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 66W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 40 V | на замовлення 52418 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ123N08NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ123N08NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; 66W; PG-TSDSON-8 Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Case: PG-TSDSON-8 Power dissipation: 66W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 80V Drain current: 40A On-state resistance: 12.3mΩ | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ123N08NS3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 80V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3 | на замовлення 25604 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ123N08NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; 66W; PG-TSDSON-8 Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Case: PG-TSDSON-8 Power dissipation: 66W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 80V Drain current: 40A On-state resistance: 12.3mΩ кількість в упаковці: 5000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ123N08NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ123N08NS3GATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSZ123N08NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 0.0103 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 66W Bauform - Transistor: PG-TSDSON Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 21157 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ123N08NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 80V 10A/40A 8TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 66W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 40 V | на замовлення 50000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ123N08NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 1220000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ123N08NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 10A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ12DN20NS3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 200V 11.3A TDSON-8 OptiMOS 3 | на замовлення 9170 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ12DN20NS3G | Infineon Technologies | Description: BSZ12DN20 - 12V-300V N-CHANNEL P Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 5.7A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ12DN20NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 11.3A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ12DN20NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11.3A; 50W; PG-TSDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 11.3A Power dissipation: 50W Case: PG-TSDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.125Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ12DN20NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 11.3A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 531 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ12DN20NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 5.7A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V | на замовлення 3772 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ12DN20NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11.3A; 50W; PG-TSDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 11.3A Power dissipation: 50W Case: PG-TSDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.125Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ12DN20NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 11.3A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ12DN20NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 11.3A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ12DN20NS3GATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSZ12DN20NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 11.3 A, 0.108 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.108ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 9216 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ12DN20NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 11.3A 8-Pin TSDSON EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ12DN20NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 11.3A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 4192 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ12DN20NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 5.7A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ12DN20NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 11.3A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 531 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ12DN20NS3GATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSZ12DN20NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 11.3 A, 0.108 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.108ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 9216 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ130N03LS G | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V 35A TSDSON-8 OptiMOS 3 | на замовлення 9829 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ130N03LSGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ130N03LSGATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSZ130N03LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 35 A, 0.0108 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 25W Bauform - Transistor: PG-TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 70 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ130N03LSGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ130N03LSGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ130N03LSGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 10A/35A 8TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970 pF @ 15 V | на замовлення 27518 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ130N03LSGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ130N03LSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 28A; 25W; PG-TSDSON-8 Power dissipation: 25W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: PG-TSDSON-8 Drain-source voltage: 30V Drain current: 28A On-state resistance: 13mΩ Type of transistor: N-MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ130N03LSGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ130N03LSGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 260000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ130N03LSGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 10A/35A 8TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970 pF @ 15 V | на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ130N03LSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 28A; 25W; PG-TSDSON-8 Power dissipation: 25W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: PG-TSDSON-8 Drain-source voltage: 30V Drain current: 28A On-state resistance: 13mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ130N03MS G | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V 35A TSDSON-8 OptiMOS 3M | на замовлення 4055 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ130N03MSG | Infineon Technologies | Description: BSZ130N03 - 12V-300V N-CHANNEL P | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ130N03MSG | Infineon technologies | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BSZ130N03MSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 31A; 25W; PG-TSDSON-8 Power dissipation: 25W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: PG-TSDSON-8 Drain-source voltage: 30V Drain current: 31A On-state resistance: 11.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ130N03MSGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 4085 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ130N03MSGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ130N03MSGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 9A/35A 8TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V | на замовлення 15285 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ130N03MSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 31A; 25W; PG-TSDSON-8 Power dissipation: 25W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: PG-TSDSON-8 Drain-source voltage: 30V Drain current: 31A On-state resistance: 11.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ130N03MSGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ130N03MSGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 9870 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ130N03MSGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ130N03MSGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 9A/35A 8TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ130N03MSGATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSZ130N03MSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 35 A, 0.0092 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 25W Bauform - Transistor: PG-TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0092ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 3129 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ130N03MSGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 4085 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ130N03MSGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ146N10LS5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSZ146N10LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.0124 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 6547 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ146N10LS5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ146N10LS5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 23µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 50 V | на замовлення 17278 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ146N10LS5ATMA1 | Infineon | N-Channel 100 V 40A (Tc) 52W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL | на замовлення 14 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ146N10LS5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ146N10LS5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 23µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 50 V | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ146N10LS5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSZ146N10LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.0124 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 8657 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ146N10LS5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ146N10LS5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs MV POWER MOS | на замовлення 130509 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ150N10LS3 G | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 100V 40A TSDSON-8 | на замовлення 7510 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ150N10LS3G | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ150N10LS3G | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 4900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ150N10LS3GATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSZ150N10LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.013 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 63W Bauform - Transistor: PG-TSDSON Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: OptiMOS 3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 19784 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ150N10LS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ150N10LS3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 100V 40A TSDSON-8 | на замовлення 34255 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ150N10LS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; 63W; PG-TSDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 40A Power dissipation: 63W Case: PG-TSDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 15mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 5000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ150N10LS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 170 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ150N10LS3GATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSZ150N10LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.013 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 63W Bauform - Transistor: PG-TSDSON Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: OptiMOS 3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 19784 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ150N10LS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 8A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ150N10LS3GATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 40A 8TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 33µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V | на замовлення 7081 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ150N10LS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 170 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BSZ150N10LS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ150N10LS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; 63W; PG-TSDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 40A Power dissipation: 63W Case: PG-TSDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 15mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ150N10LS3GATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 40A 8TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 33µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ15DC02KD H | Infineon Technologies | MOSFET SMALL SIGNAL+P-CH | на замовлення 16885 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ15DC02KDHXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N/P-CH 20V 5.1A/3.2A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ15DC02KDHXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N/P-CH 20V 5.1A/3.2A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ15DC02KDHXTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N/P-CH 20V 5.1A 8TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Complementary Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A, 3.2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 419pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 5.1A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 110µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ15DC02KDHXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSZ15DC02KDHXTMA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.041 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.041ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 2 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.041ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 19882 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ15DC02KDHXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N/P-CH 20V 5.1A/3.2A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ15DC02KDHXTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET SMALL SIGNAL+P-CH | на замовлення 1800 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ15DC02KDHXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N/P-CH 20V 5.1A/3.2A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ15DC02KDHXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N/P-CH 20V 5.1A/3.2A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 1651 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ15DC02KDHXTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 5.1/-3.2A; 2.5W Type of transistor: N/P-MOSFET Technology: OptiMOS™ 2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20/-20V Drain current: 5.1/-3.2A Power dissipation: 2.5W Case: PG-TSDSON-8 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 63/164mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ15DC02KDHXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSZ15DC02KDHXTMA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.041 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.041ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 2 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.041ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 19143 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ15DC02KDHXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N/P-CH 20V 5.1A/3.2A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ15DC02KDHXTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N/P-CH 20V 5.1A 8TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Complementary Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A, 3.2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 419pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 5.1A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 110µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 17650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ15DC02KDHXTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 5.1/-3.2A; 2.5W Type of transistor: N/P-MOSFET Technology: OptiMOS™ 2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20/-20V Drain current: 5.1/-3.2A Power dissipation: 2.5W Case: PG-TSDSON-8 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 63/164mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ15DC02KDHXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N/P-CH 20V 5.1A/3.2A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 1651 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ160N10NS3 G Код товару: 66694 | Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
BSZ160N10NS3 G | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 100V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3 | на замовлення 35690 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ160N10NS3G | Infineon technologies | на замовлення 695 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BSZ160N10NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ160N10NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 2177 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ160N10NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; 63W; PG-TSDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 40A Power dissipation: 63W Case: PG-TSDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 16mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ160N10NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 2177 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ160N10NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 8A/40A 8TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 12µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 50 V | на замовлення 35000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ160N10NS3GATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSZ160N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.014 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 63W Bauform - Transistor: PG-TSDSON Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: OptiMOS 3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 5766 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ160N10NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ160N10NS3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 100V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3 | на замовлення 10809 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ160N10NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ160N10NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 8A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ160N10NS3GATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSZ160N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.014 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 63W Bauform - Transistor: PG-TSDSON Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: OptiMOS 3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 5766 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ160N10NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ160N10NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 8A/40A 8TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 12µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 50 V | на замовлення 41338 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ160N10NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; 63W; PG-TSDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 40A Power dissipation: 63W Case: PG-TSDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 16mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ165N04NS G | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 40V 31A TSDSON-8 OptiMOS 3 | на замовлення 2646 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BSZ165N04NS G | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 8.9A 8-Pin TSDSON EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ165N04NSG | на замовлення 10080 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
BSZ165N04NSGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 8.9A/31A TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta), 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 20 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ165N04NSGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 8.9A/31A TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta), 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 20 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ165N04NSGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 40V 31A TSDSON-8 OptiMOS 3 | на замовлення 1598 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BSZ16DN25NS3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 250V 10.9A TDSON-8 OptiMOS 3 | на замовлення 9928 шт: термін постачання 147-156 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ16DN25NS3GATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSZ16DN25NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 10.9 A, 0.146 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 62.5W Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: OptiMOS 3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.146ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 36234 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ16DN25NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 10.9A; 62.5W; PG-TSDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 10.9A Power dissipation: 62.5W Case: PG-TSDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.165Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 5000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ16DN25NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 10.9A 8-Pin TSDSON EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ16DN25NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 32µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 100 V | на замовлення 5045 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ16DN25NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 10.9A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ16DN25NS3GATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSZ16DN25NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 10.9 A, 0.146 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 62.5W Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.146ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 38074 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ16DN25NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 10.9A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 20768 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ16DN25NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 10.9A; 62.5W; PG-TSDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 10.9A Power dissipation: 62.5W Case: PG-TSDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.165Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ16DN25NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 32µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 100 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ16DN25NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 10.9A 8-Pin TSDSON EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ16DN25NS3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 250V 10.9A TDSON-8 OptiMOS 3 | на замовлення 4970 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ180P03NS3 G | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -30V -39.6A TSDSON-8 OptiMOS P3 | на замовлення 14545 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ180P03NS3 G | Infineon | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BSZ180P03NS3E G | Infineon Technologies | MOSFET P-Ch -30V -39.6A TSDSON-8 OptiMOS P3 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ180P03NS3EGATMA | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -39.6A; 40W; PG-TSDSON-8 Mounting: SMD Case: PG-TSDSON-8 Power dissipation: 40W Technology: OptiMOS™ P3 Gate-source voltage: ±25V Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: -30V Drain current: -39.6A On-state resistance: 18mΩ Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ180P03NS3EGATMA | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -39.6A; 40W; PG-TSDSON-8 Mounting: SMD Case: PG-TSDSON-8 Power dissipation: 40W Technology: OptiMOS™ P3 Gate-source voltage: ±25V Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: -30V Drain current: -39.6A On-state resistance: 18mΩ Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 5000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ180P03NS3EGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 4990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ180P03NS3EGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ180P03NS3EGATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSZ180P03NS3EGATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 39.6 A, 0.0135 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 39.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: PG-TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS P3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 28054 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ180P03NS3EGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ180P03NS3EGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ180P03NS3EGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ180P03NS3EGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 9A/39.5A TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 39.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 48µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2220 pF @ 15 V | на замовлення 5096 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ180P03NS3EGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 4960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ180P03NS3EGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-Ch -30V -39.6A TSDSON-8 OptiMOS P3 | на замовлення 17487 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ180P03NS3EGATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSZ180P03NS3EGATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 39.6 A, 0.0135 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 39.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: PG-TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS P3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 28054 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ180P03NS3EGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 480000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ180P03NS3EGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 4960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ180P03NS3EGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 9A/39.5A TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 39.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 48µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2220 pF @ 15 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ180P03NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 9A/39.6A TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 39.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 48µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2220 pF @ 15 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ180P03NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ180P03NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ180P03NS3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-Ch -30V -39.6A TSDSON-8 OptiMOS P3 | на замовлення 6599 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ180P03NS3GATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSZ180P03NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 39.6 A, 0.0135 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 39.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS P3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 1101 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ180P03NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ180P03NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ180P03NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 9A/39.6A TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 39.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 48µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2220 pF @ 15 V | на замовлення 9340 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ180P03NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ180P03NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -39.6A; 40W; PG-TSDSON-8 Mounting: SMD Case: PG-TSDSON-8 Power dissipation: 40W Technology: OptiMOS™ P3 Gate-source voltage: ±25V Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: -30V Drain current: -39.6A On-state resistance: 40mΩ Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ180P03NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -39.6A; 40W; PG-TSDSON-8 Mounting: SMD Case: PG-TSDSON-8 Power dissipation: 40W Technology: OptiMOS™ P3 Gate-source voltage: ±25V Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: -30V Drain current: -39.6A On-state resistance: 40mΩ Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ180P03NS3GATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSZ180P03NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 39.6 A, 0.0135 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 39.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 40W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: TSDSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS P3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0135ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 1101 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ180P03NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ180P03NS3GATMA1 (BSZ180P03NS3 G) Код товару: 191392 | Транзистори > Польові P-канальні | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
Bsz200 | HBE | Fuse: time-lag; glass type; current: 200mA; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: 0218.200MXP; 179120.0,2 Fuse: time-lag; 200mA Bsz200 кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 275 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ215CHXTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N/P-CH 20V 8TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Complementary Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A, 3.2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 419pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 5.1A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 110µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ215CHXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N/P-CH 20V 5.1A/3.2A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ215CHXTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N/P-CH 20V 8TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Complementary Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A, 3.2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 419pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 5.1A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 110µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 6605 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ215CHXTMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs SMALL SIGNAL+P-CH | на замовлення 2348 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ22DN20NS3 G | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 200V 7A TSDSON-8 OptiMOS 3 | на замовлення 13774 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ22DN20NS3G | Infineon Technologies | Description: BSZ22DN20 - 12V-300V N-CHANNEL P Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 34W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 100 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ22DN20NS3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 200V 7A TSDSON-8 OptiMOS 3 | на замовлення 1630 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ22DN20NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 7A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ22DN20NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 7A 8TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 34W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 100 V | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ22DN20NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | BSZ22DN20NS3GATMA1 SMD N channel transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ22DN20NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 7A 8-Pin TSDSON EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ22DN20NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 7A 8TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 34W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 100 V | на замовлення 20351 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ240N12NS3 G | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 120V 37A TSDSON-8 OptiMOS 3 | на замовлення 11630 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ240N12NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 120V 37A 8TSDSON | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ240N12NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 120V 37A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ240N12NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | BSZ240N12NS3GATMA1 SMD N channel transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ240N12NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 120V 37A 8TSDSON | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ300N15NS5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 32A TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 32µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 75 V | на замовлення 11879 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ300N15NS5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET MV POWER MOS | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ300N15NS5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 32A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ300N15NS5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 32A TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 32µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 75 V | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
Bsz315 | HBE | Fuse: time-lag; glass type; current: 315mA; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: 0218.315MXP; 179120.0,315; 0034.3112 Fuse: time-lag; 315mA Bsz315 кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 1000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
Bsz315 | HBE | Fuse: time-lag; glass type; current: 315mA; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: 0218.315MXP; 179120.0,315; 0034.3112 Fuse: time-lag; 315mA Bsz315 кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
Bsz315 | HBE | Fuse: time-lag; glass type; current: 315mA; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: 0218.315MXP; 179120.0,315; 0034.3112 Fuse: time-lag; 315mA Bsz315 кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 474 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ340N08NS3 G | Infineon | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BSZ340N08NS3 G Код товару: 194005 | Транзистори > Польові N-канальні | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
BSZ340N08NS3 G | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 6A 8-Pin TSDSON EP | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ340N08NS3 G | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 80V 23A TSDSON-8 OptiMOS 3 | на замовлення 60198 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ340N08NS3G | Infineon technologies | на замовлення 792 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BSZ340N08NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 6A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ340N08NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 80V 6A/23A 8TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 32W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 12µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 40 V | на замовлення 43141 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ340N08NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 23A; 32W; PG-TSDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 23A Power dissipation: 32W Case: PG-TSDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 34mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 5000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ340N08NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 6A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 161 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BSZ340N08NS3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 80V 23A TSDSON-8 OptiMOS 3 | на замовлення 18678 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ340N08NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 23A; 32W; PG-TSDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 23A Power dissipation: 32W Case: PG-TSDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 34mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ340N08NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 6A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 161 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ340N08NS3GATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSZ340N08NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 23 A, 0.027 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 23A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 32W Bauform - Transistor: PG-TSDSON Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 81514 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ340N08NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 80V 6A/23A 8TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 32W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 12µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 40 V | на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ340N08NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 6A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ340N08NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 6A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ340N08NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 6A 8-Pin TSDSON EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ340N08NS3GATMA2 | Infineon Technologies | SP001171262 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
Bsz400 | HBE | Fuse: time-lag; glass type; current: 400mA; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: 0218.400MXP; 179120.0,4; 0034.3113 Fuse: time-lag; 400mA Bsz400 кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 3 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ42DN25NS3 G | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 250V 5A TDSON-8 OptiMOS 3 | на замовлення 10495 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ42DN25NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 5A 8-Pin TSDSON EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ42DN25NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 5A; 33.8W; PG-TSDSON-8 Mounting: SMD Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Case: PG-TSDSON-8 Drain-source voltage: 250V Drain current: 5A On-state resistance: 0.425Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 33.8W Polarisation: unipolar | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ42DN25NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 5A; 33.8W; PG-TSDSON-8 Mounting: SMD Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Case: PG-TSDSON-8 Drain-source voltage: 250V Drain current: 5A On-state resistance: 0.425Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 33.8W Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ42DN25NS3GATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSZ42DN25NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 5 A, 0.371 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 33.8W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 33.8W Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.371ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.371ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 9465 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ42DN25NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 250V 5A TSDSON-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 425mOhm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 33.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-2 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 100 V | на замовлення 17357 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ42DN25NS3GATMA1 | Infineon Technologies | N-канальний ПТ; Udss, В = 250; Id = 5 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 430 @ 100; Qg, нКл = 5,5 @ 10 В; Rds = 425 мОм @ 2,5 A, 10 В; Ugs(th) = 4 В @ 13 мкА; Р, Вт = 33,8; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; PG-TSDSON-8 | на замовлення 5 шт: термін постачання 3-4 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ42DN25NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 5A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 187 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ42DN25NS3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 250V 5A TDSON-8 OptiMOS 3 | на замовлення 26519 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ42DN25NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 250V 5A TSDSON-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 425mOhm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 33.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-2 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 100 V | на замовлення 15600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ42DN25NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 5A 8-Pin TSDSON EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ440N10NS3 G | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 100V 18A TSDSON-8 OptiMOS 3 | на замовлення 108720 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ440N10NS3 G | Infineon | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BSZ440N10NS3G Код товару: 155825 | Транзистори > Польові P-канальні | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
BSZ440N10NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 5.3A/18A TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta), 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 29W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 12µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 50 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ440N10NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 5.3A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ440N10NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 18A; 29W; PG-TSDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 18A Power dissipation: 29W Case: PG-TSDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 44mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 2915 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ440N10NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 5.3A/18A TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta), 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 29W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 12µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 50 V | на замовлення 22027 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ440N10NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 5.3A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ440N10NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 18A; 29W; PG-TSDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 18A Power dissipation: 29W Case: PG-TSDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 44mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced | на замовлення 2915 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ440N10NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 5.3A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BSZ440N10NS3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 100V 18A TSDSON-8 OptiMOS 3 | на замовлення 57518 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ440N10NS3GATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSZ440N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 18 A, 0.038 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 29W Bauform - Transistor: PG-TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 113661 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ520N15NS3 G | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 1040 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ520N15NS3 G | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 150V 21A TSDSON-8 OptiMOS 3 | на замовлення 44633 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ520N15NS3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 150V 21A TSDSON-8 OptiMOS 3 | на замовлення 57798 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ520N15NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 24890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ520N15NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 21A 8TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 57W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 75 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ520N15NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 21A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 15010 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ520N15NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 21A; 57W; PG-TSDSON-8 Case: PG-TSDSON-8 Mounting: SMD Drain-source voltage: 150V Drain current: 21A On-state resistance: 52mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 57W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ520N15NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ520N15NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ520N15NS3GATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSZ520N15NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 21 A, 0.042 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 57W Bauform - Transistor: PG-TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 13834 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ520N15NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ520N15NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 21A 8TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 57W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 75 V | на замовлення 13210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ520N15NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ520N15NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 21A; 57W; PG-TSDSON-8 Case: PG-TSDSON-8 Mounting: SMD Drain-source voltage: 150V Drain current: 21A On-state resistance: 52mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 57W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ520N15NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ6-SS-112L | Ningbo KLS electronic co.,ltd | Реле 12В, SPDT | на замовлення 373 шт: термін постачання 5 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BSZ900N15NS3 G | Infineon | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BSZ900N15NS3 G | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 13A TDSON-8 | на замовлення 15211 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BSZ900N15NS3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 150V 13A TSDSON-8 OptiMOS 3 | на замовлення 11091 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ900N15NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ900N15NS3GATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSZ900N15NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 13 A, 0.074 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 38W Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.074ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 19751 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ900N15NS3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 150V 13A TSDSON-8 OptiMOS 3 | на замовлення 16798 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ900N15NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ900N15NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 13A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ900N15NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 1906 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ900N15NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 13A 8TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 38W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 75 V | на замовлення 10969 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ900N15NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 1906 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ900N15NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 13A; 38W; PG-TSDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 13A Power dissipation: 38W Case: PG-TSDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 90mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 4060 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ900N15NS3GATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSZ900N15NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 13 A, 0.074 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 38W Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.074ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 19751 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ900N15NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 13A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ900N15NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 13A; 38W; PG-TSDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 13A Power dissipation: 38W Case: PG-TSDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 90mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced | на замовлення 4060 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ900N15NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 13A 8TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 38W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 75 V | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ900N20NS3 G | Infineon Technologies | MOSFETs 200V 15.2A PG-TSDSON-8 OptiMOS 3 | на замовлення 18212 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ900N20NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 15.2A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ900N20NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 15.2A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 4910 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ900N20NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 7.6A, 10V Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 100 V | на замовлення 35000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ900N20NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | BSZ900N20NS3GATMA1 SMD N channel transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ900N20NS3GATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSZ900N20NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 15.2 A, 0.077 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 62.5W Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 5919 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ900N20NS3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 200V 15.2A TDSON-8 OptiMOS 3 | на замовлення 24475 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ900N20NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 15.2A 8-Pin TSDSON EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSZ900N20NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 15.2A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ900N20NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 7.6A, 10V Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 100 V | на замовлення 43372 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ900N20NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 15.2A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSZ900N20NS3GATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSZ900N20NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 15.2 A, 0.077 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 62.5W Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 5919 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BszA01.00 | HBE | Fuse: time-lag; glass type; current: 1A; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: S506-1-R/BK1; 179120.1; 0034.3117; 0213001.MXP; 0218001.MXP Fuse: time-lag; 1A BszA01.00 кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 10504 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BszA01.25 | HBE | Fuse: time-lag; glass type; current: 1,25A; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: BK1/S506-1.25-R; 02181.25MXP; 179120.1,25; 0034.3118 Fuse: time-lag; 1,25A BszA01.25 кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 1000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BszA01.25 | HBE | Fuse: time-lag; glass type; current: 1,25A; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: BK1/S506-1.25-R; 02181.25MXP; 179120.1,25; 0034.3118 Fuse: time-lag; 1,25A BszA01.25 кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 3130 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BszA01.25 | HBE | Fuse: time-lag; glass type; current: 1,25A; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: BK1/S506-1.25-R; 02181.25MXP; 179120.1,25; 0034.3118 Fuse: time-lag; 1,25A BszA01.25 кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 9000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BszA01.60 | HBE | Fuse: time-lag; glass type; current: 1,60A; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: S506-1.6-R/BK1; 021301.6MXP; 021801.6MXP; 179120.1,6; 0034.3119 Fuse: time-lag; 1,6A BszA01.60 кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 2182 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BszA01.60 | HBE | Fuse: time-lag; glass type; current: 1,60A; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: S506-1.6-R/BK1; 021301.6MXP; 021801.6MXP; 179120.1,6; 0034.3119 Fuse: time-lag; 1,6A BszA01.60 кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 2000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BszA02.00 | HBE | Fuse: time-lag; glass type; current: 2A; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: 0213002.MXP; 0218002.MXP; 179120.2; 0034.3120 Fuse: time-lag; 2A BszA02.00 кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 5960 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BszA02.50 | HBE | Fuse: time-lag; glass type; current: 2,5A; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: S506-2.5-R/BK1; 021302.5MXP; 179120.2,5; 0034.3121 Fuse: time-lag; 2,5A BszA02.50 кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 1435 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BszA03.15 | HBE | Fuse: time-lag; glass type; current: 3,15A; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: S506-3.15-R/BK1; 02183.15MXP; 02133.15MXP; 179120.3,15; 0034.3122 Fuse: time-lag; 3,15A BszA03.15 кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 8808 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|