![BSZ058N03LSGATMA1 BSZ058N03LSGATMA1](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2017/3/12/0/1/15/435/smn_/manual/pg-tsdson-8.jpg)
BSZ058N03LSGATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5000+ | 19.59 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSZ058N03LSGATMA1 Infineon Technologies
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 48W; PG-TSDSON-8, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: OptiMOS™ 3, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 40A, Power dissipation: 48W, Case: PG-TSDSON-8, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 5.8mΩ, Mounting: SMD, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 5000 шт.
Інші пропозиції BSZ058N03LSGATMA1 за ціною від 21.53 грн до 49.92 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BSZ058N03LSGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2989 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSZ058N03LSGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 414 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
![]() |
BSZ058N03LSGATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 48W; PG-TSDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 40A Power dissipation: 48W Case: PG-TSDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.8mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 5000 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
BSZ058N03LSGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
BSZ058N03LSGATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 48W; PG-TSDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 40A Power dissipation: 48W Case: PG-TSDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.8mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |