Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSZ160N10NS3GATMA1
BSZ160N10NS3GATMA1

BSZ160N10NS3GATMA1 Infineon Technologies

297832714821330dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8cf34415d2fileiddb3a304320896aa.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 8A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+30.49 грн
Мінімальне замовлення: 5000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSZ160N10NS3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSZ160N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.014 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 63W, Bauform - Transistor: PG-TSDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 3, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції BSZ160N10NS3GATMA1 за ціною від 37.69 грн до 133.69 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BSZ160N10NS3GATMA1 BSZ160N10NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies 297832714821330dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8cf34415d2fileiddb3a304320896aa.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+42.14 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ160N10NS3GATMA1 BSZ160N10NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSZ160N10N3SG_rev1.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304320896aa20120c3365eef2370 Description: MOSFET N-CH 100V 8A/40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 12µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 50 V
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+43.16 грн
10000+ 39.64 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ160N10NS3GATMA1 BSZ160N10NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies 297832714821330dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8cf34415d2fileiddb3a304320896aa.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+45.29 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ160N10NS3GATMA1 BSZ160N10NS3GATMA1 Виробник : INFINEON 2060043.pdf Description: INFINEON - BSZ160N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.014 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 6211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+75.13 грн
500+ 59.09 грн
1000+ 41.81 грн
5000+ 40.41 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSZ160N10NS3GATMA1 BSZ160N10NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies 297832714821330dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8cf34415d2fileiddb3a304320896aa.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
151+80.26 грн
162+ 74.62 грн
193+ 62.83 грн
204+ 57.29 грн
500+ 52.86 грн
1000+ 45.92 грн
2000+ 43.24 грн
Мінімальне замовлення: 151
BSZ160N10NS3GATMA1 BSZ160N10NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies 297832714821330dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8cf34415d2fileiddb3a304320896aa.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 2207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
118+102.6 грн
129+ 93.88 грн
152+ 79.55 грн
250+ 75.93 грн
500+ 59.11 грн
1000+ 40.59 грн
Мінімальне замовлення: 118
BSZ160N10NS3GATMA1 BSZ160N10NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSZ160N10N3SG_rev1.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304320896aa20120c3365eef2370 Description: MOSFET N-CH 100V 8A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 12µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 50 V
на замовлення 41890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+109.31 грн
10+ 86.32 грн
100+ 67.14 грн
500+ 53.41 грн
1000+ 43.5 грн
2000+ 40.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSZ160N10NS3GATMA1 BSZ160N10NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies 297832714821330dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8cf34415d2fileiddb3a304320896aa.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 2207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+117.48 грн
10+ 95.28 грн
25+ 87.17 грн
100+ 71.23 грн
250+ 65.28 грн
500+ 52.69 грн
1000+ 37.69 грн
Мінімальне замовлення: 6
BSZ160N10NS3GATMA1 BSZ160N10NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSZ160N10NS3_G_DS_v02_01_EN-3361012.pdf MOSFETs N-Ch 100V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 8962 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+117.89 грн
10+ 95.37 грн
100+ 64.33 грн
500+ 54.5 грн
1000+ 41.81 грн
5000+ 39.72 грн
10000+ 39.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSZ160N10NS3GATMA1 BSZ160N10NS3GATMA1 Виробник : INFINEON 2060043.pdf Description: INFINEON - BSZ160N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.014 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 6211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+133.69 грн
10+ 100.07 грн
100+ 75.13 грн
500+ 59.09 грн
1000+ 41.81 грн
5000+ 40.41 грн
Мінімальне замовлення: 6
BSZ160N10NS3GATMA1 BSZ160N10NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies 297832714821330dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8cf34415d2fileiddb3a304320896aa.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R
товар відсутній
BSZ160N10NS3GATMA1 BSZ160N10NS3GATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSZ160N10NS3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; 63W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Power dissipation: 63W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BSZ160N10NS3GATMA1 BSZ160N10NS3GATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSZ160N10NS3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; 63W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Power dissipation: 63W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній