Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSZ010NE2LS5ATMA1
BSZ010NE2LS5ATMA1

BSZ010NE2LS5ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-BSZ010NE2LS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a53a6e31d52a1 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 25V 32A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 12 V
на замовлення 3782 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+172.64 грн
10+ 150.27 грн
25+ 134.16 грн
100+ 113.31 грн
250+ 100.72 грн
500+ 88.13 грн
1000+ 71.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSZ010NE2LS5ATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 25V 32A/40A TSDSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 40A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-34, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 12 V.

Інші пропозиції BSZ010NE2LS5ATMA1 за ціною від 71.09 грн до 180.5 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BSZ010NE2LS5ATMA1 BSZ010NE2LS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSZ010NE2LS5_DataSheet_v02_02_EN-3361070.pdf MOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 2165 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+180.5 грн
10+ 140.25 грн
100+ 106.63 грн
250+ 97.57 грн
500+ 87.11 грн
1000+ 73.18 грн
2500+ 71.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSZ010NE2LS5ATMA1 BSZ010NE2LS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSZ010NE2LS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a53a6e31d52a1 Description: MOSFET N-CH 25V 32A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 12 V
товар відсутній