BSZ180P03NS3GATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 13.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSZ180P03NS3GATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSZ180P03NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 39.6 A, 0.0135 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 39.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 40W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 40W, Bauform - Transistor: TSDSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS P3, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0135ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції BSZ180P03NS3GATMA1 за ціною від 17.14 грн до 69.58 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSZ180P03NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET P-CH 30V 9A/39.6A TSDSONPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 39.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 48µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2220 pF @ 15 V |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BSZ180P03NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSZ180P03NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BSZ180P03NS3GATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSZ180P03NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 39.6 A, 0.0135 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 39.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 40W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: TSDSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS P3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0135ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1101 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSZ180P03NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 30V 9A/39.6A TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 39.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 48µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2220 pF @ 15 V |
на замовлення 9340 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSZ180P03NS3GATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSZ180P03NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 39.6 A, 0.0135 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 39.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS P3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1101 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BSZ180P03NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET P-Ch -30V -39.6A TSDSON-8 OptiMOS P3 |
на замовлення 6599 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSZ180P03NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BSZ180P03NS3GATMA1 (BSZ180P03NS3 G) Код товару: 191392 |
Транзистори > Польові P-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||||
|
|
BSZ180P03NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
|
|
BSZ180P03NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
 |
BSZ180P03NS3GATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -39.6A; 40W; PG-TSDSON-8 Mounting: SMD Case: PG-TSDSON-8 Power dissipation: 40W Technology: OptiMOS™ P3 Gate-source voltage: ±25V Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: -30V Drain current: -39.6A On-state resistance: 40mΩ Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
|
|
BSZ180P03NS3GATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -39.6A; 40W; PG-TSDSON-8 Mounting: SMD Case: PG-TSDSON-8 Power dissipation: 40W Technology: OptiMOS™ P3 Gate-source voltage: ±25V Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: -30V Drain current: -39.6A On-state resistance: 40mΩ Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar |
товар відсутній |