Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSZ12DN20NS3GATMA1
BSZ12DN20NS3GATMA1

BSZ12DN20NS3GATMA1 Infineon Technologies

bsz12dn20ns3rev2.1.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 11.3A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+39.54 грн
Мінімальне замовлення: 5000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSZ12DN20NS3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSZ12DN20NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 11.3 A, 0.108 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: TSDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 3, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.108ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції BSZ12DN20NS3GATMA1 за ціною від 37.14 грн до 124.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BSZ12DN20NS3GATMA1 BSZ12DN20NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsz12dn20ns3rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 11.3A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+42.58 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ12DN20NS3GATMA1 BSZ12DN20NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsz12dn20ns3rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 11.3A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+58.59 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ12DN20NS3GATMA1 BSZ12DN20NS3GATMA1 Виробник : INFINEON INFNS16246-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSZ12DN20NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 11.3 A, 0.108 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.108ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+69.66 грн
500+ 54.74 грн
1000+ 38.73 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSZ12DN20NS3GATMA1 BSZ12DN20NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsz12dn20ns3rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 11.3A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 4192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
147+82.57 грн
158+ 76.73 грн
187+ 64.65 грн
200+ 58.94 грн
500+ 54.4 грн
1000+ 47.22 грн
2000+ 44.45 грн
Мінімальне замовлення: 147
BSZ12DN20NS3GATMA1 BSZ12DN20NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsz12dn20ns3rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 11.3A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
124+97.78 грн
134+ 90.47 грн
160+ 75.64 грн
250+ 68.06 грн
500+ 41.67 грн
Мінімальне замовлення: 124
BSZ12DN20NS3GATMA1 BSZ12DN20NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSZ12DN20NS3+Rev2.2.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a30432ad629a6012b15920ed91a5a Description: MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V
на замовлення 3822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+106.3 грн
10+ 83.41 грн
100+ 64.86 грн
500+ 51.59 грн
1000+ 42.03 грн
2000+ 39.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSZ12DN20NS3GATMA1 BSZ12DN20NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsz12dn20ns3rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 11.3A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+110.66 грн
10+ 90.79 грн
25+ 84.01 грн
100+ 67.73 грн
250+ 58.52 грн
500+ 37.14 грн
Мінімальне замовлення: 6
BSZ12DN20NS3GATMA1 BSZ12DN20NS3GATMA1 Виробник : INFINEON INFNS16246-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSZ12DN20NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 11.3 A, 0.108 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.108ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+124.31 грн
10+ 93.82 грн
100+ 69.66 грн
500+ 54.74 грн
1000+ 38.73 грн
Мінімальне замовлення: 7
BSZ12DN20NS3GATMA1 BSZ12DN20NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsz12dn20ns3rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 11.3A 8-Pin TSDSON EP T/R
товар відсутній
BSZ12DN20NS3GATMA1 BSZ12DN20NS3GATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSZ12DN20NS3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11.3A; 50W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11.3A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BSZ12DN20NS3GATMA1 BSZ12DN20NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSZ12DN20NS3+Rev2.2.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a30432ad629a6012b15920ed91a5a Description: MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V
товар відсутній
BSZ12DN20NS3GATMA1 BSZ12DN20NS3GATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSZ12DN20NS3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11.3A; 50W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11.3A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній