BSZ16DN25NS3GATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 32µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 100 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 57.68 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSZ16DN25NS3GATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSZ16DN25NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 10.9 A, 0.146 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 62.5W, Bauform - Transistor: TSDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 3, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.146ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції BSZ16DN25NS3GATMA1 за ціною від 54.16 грн до 160.99 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSZ16DN25NS3GATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSZ16DN25NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 10.9 A, 0.146 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 62.5W Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.146ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 38074 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BSZ16DN25NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 10.9A 8-Pin TSDSON EP T/R |
на замовлення 20768 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BSZ16DN25NS3GATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSZ16DN25NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 10.9 A, 0.146 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 62.5W Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.146ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 38074 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BSZ16DN25NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 32µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 100 V |
на замовлення 5064 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BSZ16DN25NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET N-Ch 250V 10.9A TDSON-8 OptiMOS 3 |
на замовлення 4970 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BSZ16DN25NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 10.9A 8-Pin TSDSON EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
 |
BSZ16DN25NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 10.9A 8-Pin TSDSON EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
|
|
BSZ16DN25NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 10.9A 8-Pin TSDSON EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
 |
BSZ16DN25NS3GATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 10.9A; 62.5W; PG-TSDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 10.9A Power dissipation: 62.5W Case: PG-TSDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.165Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 5000 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
|
|
BSZ16DN25NS3GATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 10.9A; 62.5W; PG-TSDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 10.9A Power dissipation: 62.5W Case: PG-TSDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.165Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |